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Technical content

Features

Budget version of GBU12 series For free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Budget-Version der GBU12-Reihe Montage freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 1000 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 3.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBV15B 70 100 GBV15D 140 200 GBV15G 280 400 GBV15J 420 600 GBV15K 560 800 GBV15M 700 1000 Max. rectified output current free standing Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend R-load C-load TA = 40°C IFAV

5.6 A 5)

4.5 A 5)

Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 R-load C-load TC = 100°C IFAV 8.0 A 6.4 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 42 A 5) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle

50 Hz (10 ms)

60 Hz (8.3 ms) IFSM 210 A 240 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 220 A2s Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben

3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten

4 Valid per diode – Gültig pro Diode

5 Valid, if leads are kept at TA at 5 mm distance from case – Gilt, wenn Anschlüsse in 5 mm vom Gehäuse auf TA gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Pb ELV W EEE RoHS 21.5 ±0.7 3.6±0.2 5.08 1.1 +0.2 17.5 1.7 ±0.1 5.6 0.5 +0.1 2.2 3.4 ±0.1 5.3+0.5 18.2 ±0.3 Type/Typ +– ~ ~ 1.8+0.7 - 0.1 1.8 +0.2

GBV15B ... GBV15M Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 7.5 A VF < 1.1 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1) Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 80 pF 1) Thermal resistance junction to ambient (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 18 K/W 2) Thermal resistance junction to case (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC < 2.7 K/W Type Typ Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) GBV15B 0.5 10000 GBV15D 1.0 5000 GBV15G 2.0 2500 GBV15J 3.0 1666 GBV15K 4.0 1250 GBV15M 5.0 1000 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet

1 Valid per diode – Gültig pro Diode

2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert 4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged mostly in a single mains period. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL nahezu in einer einzigen Netzperiode geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 270a-(12a-1v) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 Rt CL