GBS4A_07 DIOTEC | Alldatasheet

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GBS4A ... GBS4M GBS4A ... GBS4M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2005-12-21 Dimensions - Maße [mm] Nominal current – Nennstrom 4 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 19 x 3.5 x 10 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) GBS4A 35 50 GBS4B 70 100 GBS4D 140 200 GBS4G 280 400 GBS4J 420 600 GBS4K 560 800 GBS4M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 16 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 80/90 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i 2t 32 A 2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C

1 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

2 Valid, if leads are kept to ambient temperature T A = 50°C at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Typ ~~+ _ 0.8 8.7 10 5 5 5 1.2 0.25 3.5

GBS4A ... GBS4M Characteristics Kennwerte Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV

2.3 A 1)

1.8 A 1)

Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 4 A 3.2 A Forward voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 2 A V F < 1.05 V 2) Leakage current – Sperrstrom T j = 25°C V R = VRRM IR < 10 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 12 K/W

1 Valid, if leads are kept to ambient temperature T A = 50°C at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden

2 Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. IFAV [%] 120 100 [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25° Cj T = 125°Cj 90a-(2a-1.05v)