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Technical content
Features
Reverse voltage up to 1600 V High forward surge current rating Free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Sperrspannung bis zu 1600 V Hohe Stoßstromfestigkeit Freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 500 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 7 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBI40D 140 200 GBI40G 280 400 GBI40J 420 600 GBI40K 560 800 GBI40M 700 1000 GBI40W 800 1600 Max. rectified output current without cooling fin Dauergrenzstrom am Brückenausgang ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV
6 A 5)
5 A 5)
Max. rectified output current with forced cooling Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit forcierter Kühlung TC = 100°C R-load C-load IFAV 40 A 35 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom TC = 100°C f > 15 Hz IFRM 70 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 400 A 450 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms i2t 700 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 7 ± 10% lb.in. 0.8 ± 10% Nm
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
4 Valid per diode – Gültig pro Diode
5 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Pb ELV W EEE RoHS 0.8 2.7 ±0.2 11 ±0.5 3.6±0.2 4 ±0.2 2.2 17.5 ±0.2 1.0 2x7.510 20±0.2 30±0.2 4.6±0.2 Type Typ 5 ±0.2
GBI40D ... GBI40W Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 20 A VF < 1.1 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1) Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 95 pF 1) Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 8 K/W 2) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.6 K/W Type Typ Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) GBI40D 0.5 10000 GBI40G 1.0 5000 GBI40J 1.5 3300 GBI40K 2.0 2500 GBI40M 2.5 2000 GBI40W 3.6 1300 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert 4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj 450a-(17a-1,05v) Rt CL