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Technical content

Features

Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Montage freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 500 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 7 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBI35A 35 50 GBI35B 70 100 GBI35D 140 200 GBI35G 280 400 GBI35J 420 600 GBI35K 560 800 GBI35M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 70 A 5) Peak forward surge current, 50/60 Hz (10/8.3 ms) half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz (10/8.3 ms) Sinus-Halbwelle Tj = 25°C IFSM 320/350 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Tj = 25°C i2t 512 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 7 ± 10% lb.in. 0.8 ± 10% Nm

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben

3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM

Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten

4 Valid per diode – Gültig pro Diode

5 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Pb ELV W EEE RoHS 0.8 2.7 ±0.2 11 ±0.5 3.6±0.2 4 ±0.2 2.2 17.5 ±0.2 1.0 2x7.510 20±0.2 30±0.2 4.6±0.2 Type Typ 5 ±0.2

GBI35A ... GBI35M Characteristics Kennwerte Max. rectified output current without cooling fin Dauergrenzstrom am Brückenausgang ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV

5 A 1)

4 A 1)

Max. rectified output current with forced cooling Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit forcierter Kühlung TC = 100°C R-load C-load IFAV IFAV 35 A 30 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 2) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 2) Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 130 pF 2) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthA < 8 K/W 1) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.6 K/W Type Typ Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) GBI35A 0.2 25000 GBI35B 0.3 16600 GBI35D 0.5 10000 GBI35G 1.0 5000 GBI35J 1.5 3300 GBI35K 2.0 2500 GBI35M 2.5 2000 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 Valid per diode – Gültig pro Diode

3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert 4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rt CL Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj 450a-(17a-1,05v)