GBI10A_07 DIOTEC | Alldatasheet

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GBI10A ... GBI10M GBI10A ... GBI10M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2006-01-04 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 30 x 3.6 x 18 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 7 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) GBI10A 35 50 GBI10B 70 100 GBI10D 140 200 GBI10G 280 400 GBI10J 420 600 GBI10K 560 800 GBI10M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 40 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 180/200 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i 2t 160 A 2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M 3 5 ± 10% lb.in. 0.5 ± 10% Nm

1 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

2 Valid, if leads are kept to ambient temperatur e TA = 50°C at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 4.8 ±0.2 ±0.2 ±0.2 10 2x7.5 1.0 Type Typ 17.5 ±0.2 –~+ ~ 2.2 ±0.2 3.8 ±0.2 ±0.2 3.1 ±0.2 0.8

GBI10A ... GBI10M Characteristics Kennwerte Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV

3.0 A 1)

2.4 A 1)

Max. rectified current with forced cooling Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung TC = 100°C R-load C-load IFAV IFAV 10.0 A 8.0 A Forward voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 5 A V F < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom T j = 25°C V R = VRRM IR < 10 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthJA < 22 K/W 1) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthJC < 2.2 K/W Type Typ Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand RL [Ω] GBI10A 20000 0.25 GBI10B 10000 0.5 GBI10D 5000 1.0 GBI10G 2500 2.0 GBI10J 1500 3.0 GBI10K 1000 4.0 GBI10M 800 5.5

1 Valid, if leads are kept to ambient temp erature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25° Cj T = 125°Cj 225a-(5a-1.1v)