GBI10A_15 DIOTEC | Alldatasheet
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GBI10A ... GBI10M GBI10A ... GBI10M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2015-04-15 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 30 x 20 x 3.6 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 7 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) GBI10A 35 50 GBI10B 70 100 GBI10D 140 200 GBI10G 280 400 GBI10J 420 600 GBI10K 560 800 GBI10M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 40 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 180/200 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 160 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 7 ± 10% lb.in. 0.8 ± 10% Nm
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 0.8 2.7 ±0.2 11 ±0.5 3.6±0.2 4 ±0.2 2.2 17.5 ±0.2 1.0 2x7.510 20±0.2 30±0.2 4.6±0.2 Type Typ 5 ±0.2
GBI10A ... GBI10M Characteristics Kennwerte Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV
3.0 A 1)
2.4 A 1)
Max. rectified current with forced cooling Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung TC = 100°C R-load C-load IFAV IFAV 10.0 A 8.0 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthJA < 22 K/W 1) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthJC < 2.2 K/W Type Typ Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand RL [Ω] GBI10A 20000 0.25 GBI10B 10000 0.5 GBI10D 5000 1.0 GBI10G 2500 2.0 GBI10J 1500 3.0 GBI10K 1000 4.0 GBI10M 800 5.5
1 Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 225a-(5a-1.1v)