FS600R07A2E3 INFINEON | Alldatasheet

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TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 HybridPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC HybridPACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC T T T VCES = 650V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen TypicalApplications

  • •AnwendungenimAutomobil AutomotiveApplications
  • •Hybrid-Elektrofahrzeuge(H)EV HybridElectricalVehicles(H)EV
  • •Hybrid-Nutzfahrzeuge CommercialAgricultureVehicles
  • •Motorantriebe MotorDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
  • •ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
  • •HoheStromdichte HighCurrentDensity
  • •NiederinduktivesDesign LowInductiveDesign
  • •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses
  • •Tvjop=150°C Tvjop=150°C
  • •TrenchIGBT3 TrenchIGBT3
  • •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
  • •2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit 2.5kVAC1minInsulation
  • •DirektgekühlteBodenplatte DirectCooledBasePlate
  • •HoheLeistungsdichte HighPowerDensity
  • •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor
  • •IsolierteBodenplatte IsolatedBasePlate
  • •Kupferbodenplatte CopperBasePlate
  • •RoHSkonform RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent ICN 600 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TF = 75°C, Tvj max = 175°C TF = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 400 530 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1200 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TF = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 1250 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V VCE sat 1,30 1,35 1,40 1,60 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 9,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,90 5,80 6,50 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 6,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,5 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 39,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,15 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 2,2 Ω td on 0,09 0,10 0,10 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 2,2 Ω tr 0,08 0,09 0,09 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 1,0 Ω td off 0,44 0,47 0,48 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 1,0 Ω tf 0,03 0,05 0,06 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 20 nH VGE = ±15 V, di/dt = 4600 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = 2,2 Ω Eon 9,00 11,0 11,5 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 20 nH VGE = ±15 V, du/dt = 2900 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 1,0 Ω Eoff 14,0 17,5 18,5 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 4200 3000 A A Tvj = 25°C Tvj = 150°C tP ≤ 8 µs, tP ≤ 6 µs, Wärmewiderstand,ChipbisKühl-Flüssigkeit Thermalresistance,junctiontocoolingfluid proIGBT/perIGBT coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol;ΔV/Δt= 10,0dm³/min RthJF 0,12 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 600 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 400 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 1200 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 12000

11500 A²s

A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V VF 1,40 1,35 1,30 1,75 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V IRM 190 290 320 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Qr 14,0 31,0 36,0 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 400 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V Erec 3,50 7,00 8,50 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisKühl-Flüssigkeit Thermalresistance,junctiontocoolingfluid proDiode/perdiode coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol;ΔV/Δt= 10,0dm³/min RthJF 0,17 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ΔR/R -5 5 % Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Cu InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,0 5,5 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 min. typ. max. DruckabfallimKühlkreislauf* Pressuredropincoolingcircuit* ΔV/Δt = 10,0 dm³/min; TF = 25°C cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol Δp 119 mbar HöchstzulässigerDruckimKühlkreislauf Maximumpressureincoolingcircuit p 2,5 bar Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 14 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TF=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,80 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 - 5,0 Nm Gewicht Weight G 1340 g * Kühleraufbau gemäß gültiger Application Note. * Cooler setup according to the valid application note.

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] IC [A] 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.2Ω ,RGoff=1Ω ,VCE=300V IC [A] E [mJ] 100 200 300 400 500 600 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V RG [Ω ] E [mJ] 100 120 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJF=f(t)(ΔV/Δt=10dm³/min) t [s] ZthJF [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 ZthJF : IGBT ri[K/W]: τi[s]: 0,00807 0,000498 0,0213 0,0156 0,0344 0,0516 0,0465 0,447 0,0124 2,17 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1Ω ,Tvj=150°C VCE [V] IC [A] 100 200 300 400 500 600 700 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 IC, Modul IC, Chip WärmewiderstandIGBT,Wechselrichter thermalimpedanceIGBT,Inverter RthJF=f(ΔV/Δt) coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol ΔV/Δt [dm³/min] RthJF [K/W] 0,112 0,114 0,116 0,118 0,120 0,122 0,124 0,126 0,128 RthJF: IGBT

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=2.2Ω ,VCE=300V IF [A] E [mJ] 100 200 300 400 500 600 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=300V RG [Ω ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJF=f(t)(ΔV/Δt=10dm³/min) t [s] ZthJF [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,01 0,1 ZthJF : Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,0165 0,000594 0,0395 0,0129 0,0583 0,0474 0,0401 0,389 0,0165 3,19

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 WärmewiderstandDiode,Wechselrichter thermalimpedanceDiode,Inverter RthJF=f(ΔV/Δt) coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol ΔV/Δt [dm³/min] RthJF [K/W] 0,162 0,164 0,166 0,168 0,170 0,172 0,174 0,176 0,178 0,180 RthJF: Diode NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[Ω ] 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp DruckabfallimKühlkreislauf* pressuredropincoolingcircuit* Δp=f(ΔV/Δt) coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol,TF=25°C ΔV/Δt [dm³/min] Δp [mbar] 120 160 200 240 280 320 360 400 Δp: Modul

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 Schaltplan/circuit_diagram_headline T T11 T12 T T21 T22 T T31 T32 Gehäuseabmessungen/packageoutlines D ( 3 : 1 ) A ( 5 : 1 ) C ( 5 : 1 ) Group 2, 4, 6 ( 2 : 1 ) Group 1, 3, 6 ( 2 : 1 ) D A C Group4 Group3 A A B B C C D D E E F F G G H H I I J J K K L L Revision |nderungen Datum Name Bearb. Norm Datum Name 15.07.2014 24.07.2014 broerman EU\\broerman Mat.-Nr.:Ma“stab: Werkstoff: Ersatz f¯r: Ersetzt durch: Oberfl˜che:Kanten: Modell: Revision: ISO 2768 - mK EN ISO 1302 Benennung: Ma“bild Dokumentstatus: Entwicklungsfreigabe HP2 connector pin / CF base plate D00044455 ISO 13715 ‹ Alle Rechte bei INFINEON TECHNOLOGIES AG , auch fr den Fall von Schutzrechtanmeldungen. Freima“toleranz: A00041013 Blatt-Nr.: Gepr. DE 1.5 ISO 8015 principle of independency dimensions ISO 14405 GG target geometry according CAD file with general tolerances method of least-squares1 edges general tolerances surface DIN ISO 13715 1. DIN 16742-TG6 2. DIN ISO 2768-mk DIN EN ISO 1302 Drawing: D00044455.00.A All dimensions refer to module in delivery condition T31 T32 T21 T22 T11 T12 N3 P3 N2 P2 N1 P1 3 2 1 Group2 Group6 Group1 Group5 0 3,54 -0,10,4 194,46-0,40,1 15,75 -0,075 0,125+ 68,75 -0,2 (97) (213) 17B 0,4 20,5B 0,4 0,2 20,3B 0,4 0,3 B 0,15 0,2B 0,1 0,1Pin-Fin pedestal 7,6B 0,3 Au coating all side 0,64 B 0,03 0,64 -0,3 (100) L P0,84AD-EB-C 24x L P0,84AD-EB-C L P0,84AD-EB-C M6/10 depth L P0,85AFG 7,5B 0,15 25,15 46,15 68,2 92,25 113,25 131,8 159,35 180,35 200 205,5B 0,45 0,1 P L P 0,33AFG G8x F 09B 0,4 4,35 28,9 72,55 96 127,45 163,1 195,65 207B 0,4 16B0,2 3,55 6,25B0,1 7,75B0,4 84,5 88,05 90,75B0,2 92,25B0,4 for PCB mounting thread forming screw 3,0 x 10 mm (8x) assembly aid for PCB P3 x 10 mm (2x) (216) 7,62 15,24 20,32 H I L P0,5AHH-I A 5,08 12,7 20,32 J K L P0,5AJJ-K D 208,7 208,7 B E C 31,35 38,65 98,45 103,85 104,35 28,35 35,75 104,15 104,35 7,32 14,94 22,56 27,64 7,32 14,94 22,56 27,64 min. 10,5

TechnischeInformation/TechnicalInformation FS600R07A2E3 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:WJ approvedby:MM dateofpublication:2014-10-30 revision:3.2 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.