FS300R12KE3 EUPEC | Alldatasheet

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IC, nom 300 A IC 500 A min. typ. max. - 1,7 2,1 V - 2 t.b.d. V Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V prepared by: Mark Münzer VGES revision: 3 2,5 5 5,8 Transistor Wechselrichter / transistor inverter date of publication: 2001-08-16 Kollektor Emitter Sättigungsspannung VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom collector emitter satration voltage A Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL ICRM Ptot 1,45 repetitive peak forward current kV VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data VCES Periodischer Spitzenstrom Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung VCEsat Charakteristische Werte / characteristic values approved: Martin Hierholzer VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom Gate Schwellenspannung VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 12mAgate threshold voltage 1200 V Elektrische Eigenschaften / electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor Emitter Sperrspannung Tc= 80°CKollektor Dauergleichstrom collector emitter voltage Tc= 25°CDC collector current reverse transfer capacitance Rückwirkungskapazität f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V kW Vgate emitter peak voltage 600 Dauergleichstrom IF 300 Tc= 25°C repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°CPeriodischer Kollektor Spitzenstrom ADC forward current +/- 20 19 kA²s tp= 1ms IFRM 600 A Grenzlastintegral V 0,85 - nF nF21 - µC - 400 6,5 - - nAgate emitter leakage current Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - I²t value ICES collector emitter cut off current I²t Cres Kollektor Emitter Reststrom 2,7 VGE(th) Cies gate charge Gateladung VGE= -15V...+15V QG VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V mA5 - - 1 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data min. typ. max. - 250 - ns - 300 - ns - 90 - ns - 95 - ns - 550 - ns - 650 - ns - 130 - ns - 160 - ns - 1,65 2,1 V - 1,65 t.b.d. V - 210 - A - 270 - A - 30 - µQ - 57 - µQ - 14 - mJ - 26 - mJ VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Transistor Wechselrichter / transistor inverter td,on Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC= IC, nom, VCC= 600V tr VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/µs Durchlassspannung Charakteristische Werte / characteristic values IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C VF forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IRM - - tf VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C - 22 IC= IC, nom, VCC= 600V VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C mΩ Charakteristische Werte / characteristic values Eon IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ = 80nH VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V td,offVGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C - mJ - mJ Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip RCC´/EE´Tc= 25°C turn off energy loss per pulse Eoff IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ = 80nH VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C - 43 Diode Wechselrichter / diode inverter 1,1 Qr Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Erec VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/µs - nHstray inductance module Modulindiktivität Lσ CE - SC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - Lσ CE ·di/dt Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C ISC - 1200 - A Sperrverzögerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/µs 2 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data min. typ. max. - - 0,085 K/W - - 0,15 K/W gweight - 6 Nm G 800 M 3 - M 3 internal insulation CTI 225 Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation terminal connection torque Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse Schraube M6 screw M6 screw M5 comperative tracking index Schraube M5 Gewicht Al2O3 Abweichung von R100 R25 - kΩ Thermische Eigenschaften / thermal properties -5 - 5 - 5 Übergangs Wärmewiderstand Verlustleistung Tc= 100°C, R100= 493Ω Δ R/R Tc= 25°C P25 power dissipation B-value B-Wert R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] maximum junction temperature Betriebstemperatur thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemp. - - Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand Tc= 25°Crated resistance deviation of R100 B25/50 K/W- 0,005 - 3375 - K 20 mW 150 - - -40 - °C °C-40 - 125 This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC NmAnzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. 125 Mechanische Eigenschaften / mechanical properties RthCK Tvjmax Tvjop Tstg Lagertemperatur storage temperature pro Modul / per module λ Paste= 1W/m*K / λ grease= 1W/m*K operation temperature 3 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data output characteristic (typical) Tvj= 125°C output characteristic (typical) VGE= 15V Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE) Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE) 100 200 300 400 500 600 VCE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 100 200 300 400 500 600 VCE [V] IC [A] VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V 4 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF) forward caracteristic of inverse diode (typical) Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) IC= f(VGE) VCE= 20V 100 200 300 400 500 600 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] IC [A] Tj=25°C Tj=125°C 100 200 300 400 500 600 VF [V] IF [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 5 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V, IC=300A, VCE=600V, Tj=125°C Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=15V, Rgon=Rgoff=2,4W, VCE=600V, Tj=125°C 0 100 200 300 400 500 600 IC [A] E [mJ] Eon Eoff Erec 100 120 140 0 5 10 15 20 25 30 RG [W] E [mJ] Eon Eoff Erec 6 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data 1,61 1,187E-05 42,82 2,601E-02 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1,187E-05 63,02 6,499E-02 75,63 2,601E-02 8,52 2,364E-03 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=15V, Tj=125°C i ri [K/kW] : IGBT ti [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode ti [s] : Diode 2,83 6,499E-02 ZthJC = f (t) 4,84 2,364E-03 35,73 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 t [s] ZthJC [K/W] Zth : IGBT Zth : Diode IC,Chip 100 200 300 400 500 600 700 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] IC [A] IC,Chip 7 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS300R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16