FS100R12KE3 EUPEC | Alldatasheet

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IC, nom 100 A IC 140 A min. typ. max. - 1,7 2,1 V - 2 t.b.d. V 5 mAcollector emitter cut off current Gateladung VGE= -15V...+15V QG - 0,9 - µC - - VGES revision: 2 VGE(th) f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 7,1 - Ptot 480 Kollektor Emitter Reststrom prepared by: Mark Münzer gate threshold voltage Eingangskapazität Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules VCEsat Charakteristische Werte / characteristic values approved: Martin Hierholzer input capacitance gate charge VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES Periodischer Spitzenstrom Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung vorläufige Daten preliminary data Transistor Wechselrichter / transistor inverter date of publication: 2001-08-16 Kollektor Emitter Sättigungsspannung VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom collector emitter satration voltage 1200 V kV2,5 A nF - Tc= 25°CDC collector current VCES collector emitter voltage Elektrische Eigenschaften / electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor Emitter Sperrspannung Tc= 80°CKollektor Dauergleichstrom repetitive peak forward current VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom Gate Schwellenspannung VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 4mA I²t value W Vgate emitter peak voltage 200 Dauergleichstrom IF 100 Tc= 25°C repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°CPeriodischer Kollektor Spitzenstrom ICRM ADC forward current +/- 20 1,95 kA²s tp= 1ms IFRM 200 A Grenzlastintegral 5 5,8 6,5 V 0,3 - nFreverse transfer capacitance Rückwirkungskapazität f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - - 400 nAgate emitter leakage current Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - I²t 1 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data min. typ. max. - 260 - ns - 285 - ns - 30 - ns - 45 - ns - 420 - ns - 520 - ns - 65 - ns - 90 - ns - 1,65 2,1 V - 1,65 t.b.d. V - 120 - A - 140 - A - 10 - µC - 20 - µC - 5 - mJ - 9 - mJ VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Transistor Wechselrichter / transistor inverter td,on Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC= IC, nom, VCC= 600V trVGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 125°C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Rückstromspitze peak reverse recovery current IRM IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C - - IF=IC,nom, -diF/dt= 2600A/µs Durchlassspannung Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) Charakteristische Werte / characteristic values Charakteristische Werte / characteristic values tfVGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 125°C td,offVGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 125°C IC= IC, nom, VCC= 600V VGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 125°C mΩ - 10 - mJ - mJ - 12 Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Eoff IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ = 70nH VGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 125°C VCC= 900V, VCEmax= VCES - Lσ CE ·di/dt 1,8Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip RCC´/EE´ stray inductance module Lσ CE Diode Wechselrichter / diode inverter VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C VF forward voltage Modulinduktivität Tc= 25°C 21 - nH turn on energy loss per pulse Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) IC= IC, nom, VCC= 600V Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj ≤ 125°C ISC - 400 - A IC= IC, nom, VCC= 600V VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Sperrverzögerungsladung recoverred charge Eon IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ = 70nH VGE= ±15V, RG= 3,9Ω , Tvj= 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) SC data Einschaltverlustenergie pro Puls Qr Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Erec VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF=IC,nom, -diF/dt= 2600A/µs IF=IC,nom, -diF/dt= 2600A/µs 2 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data min. typ. max. - - 0,26 K/W - - 0,48 K/W Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Thermische Eigenschaften / thermal properties -5 - - 5 - - deviation of R100 Verlustleistung Tc= 100°C, R100= 493Ω Δ R/R RthCK thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemp. Übergangs Wärmewiderstand Tvjmax Lagertemperatur storage temperature pro Modul / per module λ Paste= 1W/m*K / λ grease= 1W/m*K operation temperature Betriebstemperatur Tstg -40 - 125 6 Nm Al2O3 Tc= 25°C kΩ Abweichung von R100 R25 - 0,009 - Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand Tc= 25°Crated resistance B-value - 3375 - K °Cmaximum junction temperature power dissipation B-Wert R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 P25 K/W 20 mW 150 Gehäuse, siehe Anlage Tvjop -40 - 125 - - internal insulation 225comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung Schraube M5 Mmounting torque screw M5 CTI Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC 300 gweight GGewicht Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. Innere Isolation case, see appendix 3 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE) output characteristic (typical) Tvj= 125°C output characteristic (typical) VGE= 15V Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE) 100 120 140 160 180 200 VCE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 100 120 140 160 180 200 VCE [V] IC [A] VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V 4 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF) transfer characteristic (typical) IC= f(VGE) VCE= 20V 100 120 140 160 180 200 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 100 120 140 160 180 200 VF [V] IF [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 5 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=15V, RGon=RGoff=3,9W, VCE=600V, Tj=125°C Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V, IC=100A, VCE=600V, Tj=125°C 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 IC [A] E [mJ] Eon Eoff Erec 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 RG [W] E [mJ] Eon Eoff Erec 6 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data 109,19 130,88 15,01 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 4,93 1,187E-05 ZthJC = f (t) 2,364E-03 9,08 1,187E-05 201,64 6,499E-02 2,364E-03 2,601E-02 242,02 2,601E-02 6,499E-02 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=15V, Tj=125°C i ri [K/kW] : IGBT ti [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode ti [s] : Diode 27,26 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 t [s] ZthJC [K/W] Zth : IGBT Zth : Diode IC,Chip 100 150 200 250 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] IC [A] IC,Chip 7 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16

Technische Information / technical information FS100R12KE3IGBT-Module IGBT-Modules vorläufige Daten preliminary data Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16