FP11W60C3 SHINDENGEN | Alldatasheet
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外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". PowerMOSFET （MOSFET〈2010.06〉） 単位 Unit 規格値 Ratings 条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item －55～150Tstg保存温度 StorageTemperature 150Tchチャネル温度 ChannelTemperature V 600VDSSドレイン ・ ソース間電圧 Drain-SourceVoltage ±30VGSSゲート ・ ソース間電圧 Drain-SourceVoltage A 11IDドレイン電流 （直流） ContinuousDrainCurrent(DC) 33パルス幅10μs,duty=1/100 Pulsewidth10µs,duty=1/100IDPドレイン電流 （ピーク） ContinuousDrainCurrent(Peak) 11ISソース電流 （直流） ContinuousSourceCurrent(DC) W45PT全損失 TotalPowerDissipation kV2一括端子 ・ ケース間，AC1分間印加 Terminalstocase,AC1minuteVdis絶縁耐圧 DielectricStrength (Recommendedtorque:0.5N・m)TOR締め付けトルク MountingTorque www.shindengen.co.jp/product/semi/ FP11W60C3 600V11A ■定格表 RATINGS
- 絶対最大定格 AbsoluteMaximumRatings（指定のない場合 Tc＝25℃）
- 電気的 ・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃） Unit：mm ■外観図 OUTLINE Package：ITO-3P ᶃ ᶄ ᶅ ᶅᶄᶃ 11W 60C3 5ZQF /P %BUF DPEF ʢྫʣ $POUSPM /P ʢྫʣ 0000 単位 Unit 規格値 Ratings条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item MAXTYPMIN V──600ID＝1mA,VGS＝0VV（BR）DSSドレイン ・ ソース間降伏電圧 Drain-SourceBreakdownVoltage μA 25──VDS＝600V,VGS＝0VIDSSドレイン遮断電流 ZeroGateVoltageDrainCurrent ±0.1──VGS＝±30V,VDS＝0VIGSSゲート漏れ電流 Gate-SourceLeakageCurrent S─8.34.2ID＝5.5A,VDS＝10Vgfs順伝達コンダクタンス ForwardTransconductance Ω0.380.34─ID＝5.5A,VGS＝10VR（D S）ONドレイン ・ ソース間オン抵抗 StaticDrain-SourceOn-stateResistance V 3.93.02.1ID＝0.5mA,VDS＝10VVTHゲートしきい値電圧 GateThressholdVoltage 1.5──IS＝5.5A,VGS＝0VVSDソース ・ ドレイン間ダイオード順電圧 Source-DrainDiodeForwadeVoltage ℃/W2.77──接合部 ・ ケース間 Junctiontocaseθjc熱抵抗 ThermalResistance nC─45─VGS＝10V,ID＝11A,VDD＝400VQgゲート全電荷量 TotalGateCharge pF ─1200─ VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz Ciss入力容量 InputCapacitance ─30─Crss帰還容量 ReverseTransferCapacitance ─390─Coss出力容量 OutputCapacitance ns ─18─ ID＝5.5A,VDD＝150V,RL＝27.2Ω td（on）ターンオン遅延時間 Turn-ondelaytime ─30─tr上昇時間 Risetime ─190─td（off）ターンオフ遅延時間 Turn-offdelaytime ─32─tf下降時間 Falltime 特長 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 煙絶縁タイプ Feature 煙LowRON 煙FastSwitching 煙IsolatedPackage
＊Sinewaveは50Hzで測定しています。 ＊50Hzsinewaveisusedformeasurements. （MOSFET〈2010.06〉）www.shindengen.co.jp/product/semi/ ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ̍ ̑ ̎ ̌ ̎ ̎ ̍ ̌ ̎ ̎ ̍ ̑ ̎ ̌ ̍ ̌ ग़ྗಛੑ TypicalOu tputCha racteristics ˆ 5:1 77̜̜44 ̐ ̫ ̫̐7̜4 ̐ ̫ 1VMTF NFBTVSFNFOU ୡಛੑ TransferCh aracteristics 7%4 5:1 ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ̩̲ ʵ̑̑ˆˆ ̎ ̑ ̎̑ˆˆ ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ˆ ̎ ̑ ˆ 1VMTF NFBTVSFNFOU ᴷυϨΠϯిྲྀ Static Drain-Source O n-staticRe sistance vs Drain C urrent ᴷέʔεԹ StaticDrain-Source On-staticRe sistance vs Case Temp erature ̌ ɽ ̍ ̍ ̌ ̌ ɽ ̑ ̌ ɽ ̎ 7(4 ʹ7 5Dʹ ̎ ̑ˆ 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU ̍ ̌ ̌ ɽ ̌̍ ̌ ɽ ̍ 7(4 ʹ7 1VMTF UFTU 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU G ate Threshold Voltage vs Ca se 5em perature 7%4 ʹ̍ ̌ 7 ̌̑N" 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU Safe Op erating Area ̍ ̍ ̍ ̌ ̏ ̏ ̎ ̎ ̌ ɽ ̌̍ ̌ ɽ ̍ 5D ʹ̎ ̑ ˆ 4JOHMF QVMTF 33%4 %4ʢʢPO POʣʣ 3FTUSJDUFE TQBDF 3FTUSJDUFETQBDF 3%4 ʢPO ʣ 3FTUSJDUFE TQBDF %$ %$%$ NT NTNT NT NTNT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT TransientTherma lIm pedance ̌̌ ̌ ̍ ̌̌ ̍ 5JNF U ʤTʥ 5SBODJFOU 5IFSNBM *NQFEBODF ВKD ʤˆ8ʥ Ωϟύγλϯεಛੑ Cap acitance Ch aracteristic s ̍ ̌ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ ̍ ̌ Gʹ ̍.)[ 5Dʹ̎̑ˆ 5:1 ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ গ ᴷέʔεԹ Powe rDe rating -Ca se Tem perature 77̜̜447̜4 77%4 %47%4 ̍ ̑ ̎ ̌ ̍ ̌ ήʔ τνϟʔδಛੑ ̐ ̌ ̌ ̑ ̌ ̌ ̏ ̌ ̌ ̎ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ G ateCh arge Ch aracteristics ̍̍" 5:1 77%% %% 7%% ̐ ̌ ̌ ̫ ̎ ̌ ̌ ̫ ̍ ̌ ̌ ̫ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ (BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4 ʢ0/ ʣʤЊʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUJD 3FTJTUBODF 3 %4ʢ0/ ʣʤЊʥ $BTF̩FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ (BUF 5ISFTIPME 7PMUBHF ̫5) ʤ ̫ʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ $BQBDJUBODF ̘JTT $PTT $STTʤQ' ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ̫ʥ 1PXFS %FSBUJOH ʤʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ (BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ 5PUBM (BUF $IBSHF 2H ʤO$ʥ ВВKD KDВKD **%% ̑̑" FP11W60C3