FM8254

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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 1 页 共 19 页 Version1.3 概述 FM8254 是内置高精度电压检测电路和延迟电路的 3/4 节串联用锂离子可充电池保护 IC。 特点 (1) 针对各节电池的高精度电压检测功能  过充电检测电压 n(n=1~4) 3.9~4.35V 精度±25mV  过充电解除电压 n(n=1~4) 3.8~4.15V 精度±80mV  过放电检测电压 n(n=1~4) 2.3~2.7V 精度±80mV  过放电解除电压 n(n=1~4) 2.7~3.0V 精度±100mV (2) 3段过电流检测功能  过电流检测电压 1 0.20V 精度±25mV  过电流检测电压 2 0.50V 精度±100mV  过电流检测电压 3 VC1−1.1V 精度±300mV (3) 通过外接部件的容量可设置过充电检测延迟时间、 过放电检测延迟时间和过电流 1检测延迟时间，过电流 检测 2、3延迟时间为内部固定 (4) 通过控制端子可以控制充放电 (5) 采用高耐压元件：绝对最大额定值 26V (6) 宽工作电压范围：3V~24 V (7) 宽工作温度范围：−40~+85°C (8) 低消耗电流  工作时 40μA 最大值 (+25°C)  休眠时 0.1μA 最大值 (+25°C) (9) 封装形式采用：TSSOP-16 引脚定义及说明 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title N umber R evisio nSize B D ate: 8 -Jun -2 017 Sh eet of File: I: \\电路图\\FM8 254.dd b D raw n B y: COP VMP DOP VINI CCT VSS NC CDT NC SEL CTL VC4 VC3 VC2 VC1 VDD TSSOP-16 引脚号 引脚名称 内容

1 COP 充电控制用 FET门极连接端子(Nch开路漏极输出)

2 VMP VC1与 VMP间的电压检测端子(过电流 3检测端子)

3 DOP 放电控制用 FET门极连接端子(CMOS输出)

4 VINI VSS与 VINI间的电压检测端子(过电流 1, 2检测端子)

5 CDT 过放电检测延迟、过电流检测 1延迟用的容量连接端子

6 CCT 过充电检测延迟用的容量连接端子

7 VSS 负电源输入端子、电池 4的负电压连接端子

8 NC 无连接*1

9 NC 无连接*1

10 SEL 3/4节串联的切换端子

VSS电位：三串，VDD电位：四串

11 CTL 充电用 FET以及放电用 FET的控制端子

12 VC4 电池 3的负电压、电池 4的正电压连接端子

13 VC3 电池 2的负电压、电池 3的正电压连接端子

14 VC2 电池 1的负电压、电池 2的正电压连接端子

15 VC1 电池 1的正电压连接端子

16 VDD 正电源输入端子、电池 1的正电压连接端子

1.NC表示从电气的角度而言处于开放状态。所以，与 VDD以及 VSS连接均无问题。

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 2 页 共 19 页 Version1.3 产品参数 型号 过充电检测 电压 VCU 过充电解除 电压VCL 过放电检测 电压 VDL 过放电解除 电压 VDU 过电流检测 电压 1VIOV1 向 0V电池 充电功能 内部框图

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 3 页 共 19 页 Version1.3 绝对最大值 （无特别说明：Ta=25℃） 项目 符号 应用端 最大额定值 单位 VDD∼ VSS间输入电压 VDS -- VSS−0.3 ∼ VSS+26 V 输入端子电压 VIN VC1,VC2,VC3,VC4,CTL, SEL,CCT, CDT,VINI VSS−0.3 ∼ VDD+0.3 VMP输入端子电压 VVMP VMP VSS−0.3 ∼ VSS+26 DOP输出端子电压 VDOP DOP VSS−0.3 ∼ VDD+0.3 COP输出端子电压 VCOP COP VSS−0.3 ∼ VSS+26 容许功耗 PD -- 400 mW 工作周围温度 Topr -- −40 ∼ +85 °C保存周围温度 Tstg -- −40 ∼ +125 注：绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值范围。如超过此额定值范围，有可能对产品造成 损坏。 电气特性（无特别说明：Ta=25℃） 项目 符号 条件 最小 典型 最大 单位 测定电路 检测电压 过充电检测电压 n n=1,2,3,4 VCUn -- VCUn−0.025 VCUn VCUn+0.025 V 过充电解除电压 n n=1,2,3,4 VCLn -- VCLn −0.08 VCLn VCLn +0.08 V 过放电检测电压 n n=1,2,3,4 VDLn -- VDLn −0.08 VDLn VDLn +0.08 V 过放电解除电压 n n=1,2,3,4 VDUn VDUn −0.10 VDUn VDUn+0.10 V 过电流检测电压 1 VIOV1 -- VIOV1 −0.025 VIOV1 VIOV1+0.025 V 过电流检测电压 2 VIOV2 -- 0.4 0.5 0.6 V 过电流检测电压 3 VIOV3 -- VC1−1.4 VC1−1.1 VC1−0.8 V 延迟时间 过充电检测延迟时间 tCU CCT端子容量 =0.1μF 0.5 1 1.5 s 3 过放电检测延迟时间 tDL CDT端子容量 =0.1μF 50 100 150 ms 过电流检测延迟时间 1 tIOV1 CDT端子容量 =0.1μF 5 10 15 ms 过电流检测延迟时间 2 tIOV2 — 0.4 1 1.6 ms 过电流检测延迟时间 3 tIOV3 FET门极容量 =2000pF 100 300 600 μs 向 0V电池充电功能 向 0V充电开始充电器电压 V0CHA 向 0V充电可能 -- 0.8 1.5 V 4 向 0V充电禁止电池电压 V0INH 向 0V充电禁止 0.4 0.7 1.1 V 内部电阻 VMP–VDD间电阻 RVMD -- 0.5 1 1.5 MΩ 5

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 4 页 共 19 页 Version1.3 VMP–VSS间电阻 RVMS -- 450 900 1800 kΩ 输入电压 VDD–VSS间工作电压 VDSOP DOP,COP输出电压确定 3 -- 24 V 2 CTLn输入 H电压 VCTLH -- VDD ×0.8 -- -- V CTLn输入 L电压 VCTLL -- -- -- VDD ×0.2 V SEL输入 H电压 VSELH -- VDD ×0.8 -- -- V SEL输入 L电压 VSELL -- -- -- VDD ×0.2 V 输入电流 消耗电流 IOPE V1=V2=V3=V4=3.5V -- 32 40 μA 1 休眠时消耗电流 IPDN V1=V2=V3=V4=1.5V -- -- 0.1 μA VC1端子电流 IVC1 V1=V2=V3=V4=3.5V -- 1.5 3 μA 5 VC2端子电流 IVC2 V1=V2=V3=V4=3.5V −0.3 0 0.3 μA VC3端子电流 IVC3 V1=V2=V3=V4=3.5V −0.3 0 0.3 μA VC4端子电流 IVC4 V1=V2=V3=V4=3.5V −0.3 0 0.3 μA CTL端子 H电流 ICTLH V1=V2=V3=V4=3.5V，VCTL =VDD -- -- 0.1 μA CTL端子 L电流 ICTLL V1=V2=V3=V4=3.5V，VCTL =VSS −0.4 -0.2 -- μA SEL端子 H电流 ISELH V1=V2=V3=V4=3.5V，VSEL =VDD -- -- 0.1 μA SEL端子 L电流 ISELL V1=V2=V3=V4=3.5V，VSEL =VSS –0.1 -- -- μA 输出电流 COP端子泄漏电流 ICOH VCOP =24V -- -- 0.1 μA 5 COP端子吸收电流 ICOL VCOP =VSS+0.5V 10 -- -- μA DOP端子源极电流 IDOH VDOP =VDD–0.5V 10 -- -- μA DOP端子吸收电流 IDOL VDOP=VSS+0.5V 10 -- -- μA 注：电压温度係数 1表示为过充电检测电压；电压温度係数 2表示为过电流检测电压 1。 测定电路 1. 消耗电流 (测定电路 1) 在 V1 =V2=V3=V4=3.5 V、VVMP =VDD时，VSS端子的电流即为消耗电流(IOPE)。 在 V1 =V2=V3=V4=1.5 V、VVMP =VSS时，VSS端子的电流即为休眠时的消耗电流(IPDN)。 2. 过充电检测电压、过充电解除电压、过放电检测电压、过放电解除电压、过电流检测电压 1、过电流检测电压 2、 过电流检测电压 3、CTL 输入 H 电压、CTL 输入 L 电压、SEL 输入 H 电压、SEL 输入 L 电压 (测定电路 2) 在 VVMP =VSEL =VDD、VINI =VCTL=VSS、CDT端子=“开放”、V1=V2=V3=V4=3.5 V的前提下，请确 认 COP端子以及 DOP端子为“L”(VDD=0.1 V以下的电压)(以下记载为初始状态)。  过充电检测电压(VCU1)、过充电解除电压(VCL1) 从初始状态开始缓慢提升 V1的电压，COP端子的电压变为“H”(VDD ×0.9 V以上的电压)时 V1的电压即为 过充电检测电压(VCU1)。之后，缓慢降低 V1的电压，COP端子的电压变为“L”时 V1的电压即为过充 电解除电压(VCL1)。

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 5 页 共 19 页 Version1.3  过放电检测电压(VDL1)、过放电解除电压(VDU1) 从初始状态开始缓慢降低 V1的电压，DOP端子的电压变为“H”时 V1的电压即为过放电检测电压(VDL1)。 之后，缓慢提升 V1的电压，DOP端子的电压变为“L”时 V1的电压即为过放电解除电压(VDU1)。只要使 Vn(n=2∼ 4)的电压产生变化，也与 n=1的情况相同可以计算出过充电检测电压(VCUn)、过充电解除电 压(VCLn)、过放电检测电压(VDLn)以及过放电解除电压(VDUn)。  过电流检测电压 1(VIOV1) 从初始状态开始缓慢提升 VINI端子的电压，DOP端子的电压变为“H”时 VINI端子的电压即为过电流检测电 压 1(VIOV1)。  过电流检测电压 2(VIOV2) 从初始状态开始设置 CDT端子的电压为 VSS之后，缓慢提升 VINI端子的电压，DOP端子的电压变为“H” 时 VINI端子的电压即为过电流检测电压 2(VIOV2)。  过电流检测电压 3(VIOV3) 从初始状态开始缓慢降低 VMP端子的电压，DOP端子的电压变为“H”时 VDD 与 VVMP的电压 (VDD−VVMP) 即为过电流检测电压 3(VIOV3)。  CTL 输入 H 电压(VCTLH)、CTL 输入 L 电压(VCTLL) 从初始状态开始缓慢提升 CTL端子的电压，COP端子以及 DOP端子的电压变为“H”时 CTL端子的电压 即为 CTL输入 H电压(VCTLH)。之后，缓慢降低 CTL端子的电压，COP端子以及 DOP端子的电压变为“L” 时 CTL端子的电压即为 CTL输入 L电压(VCTLL)。  SEL 输入 H 电压(VSELH)、SEL 输入 L 电压(VSELL) 从初始状态开始设置 V4=0V，确认 DOP端子为“H”。之后，缓慢降低 SEL端子的电压，DOP端子的 电压变为“L”时 SEL端子的电压即为 SEL输入 L电压(VSELL)。之后，缓慢提升 SEL端子的电压，DOP端 子的电压变为“H”时 SEL端子的电压即为 SEL输入 H电压(VSELH)。 3. 过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间、过电流检测延迟时间 1、过电流检测延迟时间 2、过电流检测延迟时 间 3 (测定电路 3) 在 VVMP =VDD、VINI =VSS、V1=V2 =V3=V4=3.5 V的前提下，请确认 COP端子以及 DOP端子为“L”(以 下记载为初始状态)。  过充电检测延迟时间(tCU) 过充电检测延迟时间(tCU)是从初始状态开始，使 V1的电压在瞬间变化为 4.5 V之后，COP端子的电压  过放电检测延迟时间(tDL) 过放电检测延迟时间(tDL)是从初始状态开始，使 V1的电压在瞬间变化为 1.5 V之后，DOP端子的电压  过电流检测延迟时间 1(tIOV1) 过电流检测延迟时间 1(tIOV1)是从初始状态开始，使 VINI端子的电压在瞬间变化为 0.4 V之后，DOP端

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 6 页 共 19 页 Version1.3  过电流检测延迟时间 2(tIOV2) 过电流检测延迟时间 2(tIOV2)是从初始状态开始，使 VINI端子的电压在瞬间变化为 VIOV2最大值+0.2V  过电流检测延迟时间 3(tIOV3) 过电流检测延迟时间 3(tIOV3)是从初始状态开始，使 VMP端子的电压在瞬间变化为 VIOV3最小值−0.2 V 4. 向 0 V 充电开始充电器电压、或者向 0 V 充电禁止电池电压 (测定电路 4) 针对 0V电池，可以通过充电功能的选择，向 0V充电开始充电器电压或者向 0V充电禁止电池电压的一方适用 于各类产品。 向 0V充电开始充电器电压的情况下，在 V1=V2=V3=V4 =0V、VVMP =V0CHA最大值时，COP端子的电 压比 V0CHA 最大值−1V小。 向 0V充电禁止电池电压的情况下，在 V1 =V2 =V3=V4=V0INH最小值、VVMP =24 V时，COP端子的电 压比 VVMP−1V高。 5. VMP−VDD 间电阻、VMP−VSS 间电阻、VC1 端子电流、VC2 端子电流、VC3 端子电流、VC4 端子电流、CTL 端子 H 电流、CTL 端子 L 电流、SEL 端子 H 电流、SEL 端子 L 电流、COP 端子泄漏电流、COP 端子吸收电流、 DOP 端子源极电流、DOP 端子吸收电流 (测定电路 5) 在 VVMP =VSEL =VDD、VINI =VCTL =VSS、V1=V2=V3=V4=3.5 V、其他为“开”的前提下(以下记载为 初始状态)。 VMP−VDD间电阻(RVDM)是从初始状态开始，利用 VVMP =VSS时的 VMP端子的电流(IVDM)，可以从 RVDM =VDD /IVDM计算出。 VMP−VSS间电阻(RVSM)是从初始状态开始，利用在 V1=V2 =V3=V4=1.8 V时的 VMP端子的电流(IVSM)， 可以从 RVSM =VDD /IVSM计算出。 在初始状态下，流经 VC1端子的电流为 VC1端子电流(IVC1)，流经 VC2端子的电流为 VC2端子电流(IVC2)， 流经 VC3端子的电流为 VC3端子电流(IVC3)，流经 VC4端子的电流为 VC4端子电流(IVC4)。 在初始状态下，流经 CTL端子的电流为 CTL端子 L电流(ICTLL)，之后，在 VCTL =VDD时流经 CTL端子的电 流为 CTL端子 H电流(ICTLH)。 在初始状态下，流经 SEL端子的电流为 SEL端子 H电流(ISELH)，之后，在 VSEL =VSS时流经 SEL端子的 电流为 SEL端子 L电流(ISELL)。 从初始状态开始，在 VCOP =VSS+0.5 V时，流经 COP端子的电流为 COP端子吸收电流(ICOL)。之后，在 V1=V2=V3 =V4=6V、VCOP =VDD时流经 COP端子的电流为 COP端子泄漏电流(ICOH)。 从初始状态开始，在 VDOP =VSS +0.5 V时，流经 DOP端子的电流为 DOP端子吸收电流(IDOL)。之后，在 VVMP =VDD－2V、VDOP =VDD－0.5 V时流经 DOP端子的电流为 DOP端子源极电流(IDOH)。

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 7 页 共 19 页 Version1.3 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title N u mb er R ev isio nSize B D ate: 8 -Ju n -2 0 1 7 Sh eet o f File: I: \\电路图\\FM8 25 4 .d d b D raw n B y : COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF V COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF A A A A A A A A A 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 V V 0.1uF 0.1uF 0.1uF 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 VV 0.1uF 8 9 COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 A 0.1uF 8 9 测定电路 1 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title N umber R evisio nSize B D ate: 8-Jun -2 017 Sh eet of File: I: \\电路图\\FM8 254.dd b D raw n B y: COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF V COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF A A A A A A A A A 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 V V 0.1uF 0.1uF 0.1uF 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 VV 0.1uF 8 9 COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 A 0.1uF 8 9 测定电路 2

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 8 页 共 19 页 Version1.3 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title N umber R evisio nSize B D ate: 8-Jun -2 017 Sh eet of File: I: \\电路图\\FM8 254.dd b D raw n B y: COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF V COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF A A A A A A A A A 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 V V 0.1uF 0.1uF 0.1uF 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 VV 0.1uF 8 9 COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 A 0.1uF 8 9 测定电路 3 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title N umber R evisio nSize B D ate: 8-Jun -2 017 Sh eet of File: I: \\电路图\\FM8 254.dd b D raw n B y: COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF V COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF A A A A A A A A A 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 V V 0.1uF 0.1uF 0.1uF 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 VV 0.1uF 8 9 COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 A 0.1uF 8 9 测定电路 4

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 9 页 共 19 页 Version1.3 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title N umber R evisio nSize B D ate: 8-Jun -2 017 Sh eet of File: I: \\电路图\\FM8 254.dd b D raw n B y: COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF V COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 0.1uF A A A A A A A A A 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 V V 0.1uF 0.1uF 0.1uF 16COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 VV 0.1uF 8 9 COP VMP DOP VINI CDT CCT VSS NC NC SEL CTL VDD VC1 VC2 VC3 VC4 A 0.1uF 8 9 测定电路 5 工作说明 * 请参照标准电路。 1.通常状态 全部的电池电压在 VDLn与 VCUn之间，比放电电流的电流值低(VINI端子电压比 VIOV1、VIOV2低， 并且 VMP端子电压比 VIOV3高)的情况下，充电用 FET以及放电用 FET变为 ON。 2. 过充电状态 某个电池的电压比 VCUn高，这种状态保持在 tCU以上的情况下，COP端子变为高阻抗。 COP端子通过外接电阻上拉为 EB+的缘故，充电用 FET变为 OFF, 而停止充电。这种状态称为过充电状态。 过充电状态在满足下述的 2个条件的一方的情况下被解除。 a) 全部的电池的电压在 VCLn以下时 b) 全部的电池电压在 VCUn以下，并且 VMP端子电压在 39/40×VDD以下时 (负载被连接，通过充电用 FET的本体二极管开始放电) 3. 过放电状态 某个电池的电压比 VDLn低，这种状态保持在 tDL以上的情况下，DOP端子的电压变为 VDD电平，放电用 FET 变为 OFF, 而停止充电。这种状态称为过放电状态。变为过放电状态后，FM8254转移为休眠状态。 4. 过电流状态 FM8254备有对应 3种类的过电流检测电平(VIOV1、VIOV2以及 VIOV3)以及各自电平的过电流检测延迟时间 (tIOV1、tIOV2以及 tIOV3)。放电电流比一定值大(VSS和 VINI的电压差比 VIOV1大)的情况下,这种状态保持 在 tIOV1 以上时， FM8254进入过电流状态。在过电流状态，DOP端子的电压变为 VDD电平，放电用 FET变为 OFF,而停止放电。另外，COP端子变为高阻抗，由于 EB +端子的电位被上拉，导致充电用 FET 变为 OFF。VMP端子通过内部电阻 RVMD被上拉至 VDD。针对过电流检测电平 2(VIOV2)以及过电流检测延 迟时间(tIOV2)的工作与针对 VIOV1以及 tIOV1的工作是相同的。在过电流状态，通过 IC内部的 RVMD电阻

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 10 页 共 19 页 Version1.3 VMP端子被上拉至 VDD。过电流状态在满足下述的条件时被解除。 a) 通过充电器连接或者负载开放(30 MΩ以上)，VMP端子电压在 VIOV3以上时 5. 延迟时间的设置 过充电检测延迟时间(tCU)可以通过连接在 CCT端子的外接电容的容量来设置。过放电检测延迟时间(tDL) 以及过电流检测延迟时间 1(tIOV1) 可以通过连接在 CDT端子的外接电容的容量来设置。各延迟时间由下 述的公式来计算出来。过电流检测延迟时间 2以及 3(tIOV2,tIOV3)在内部被固定。 最小值 典型值 最大值 tCU[s]=(5.00, 10.0, 15.0)×CCCT[μF] tDL[s]=(0.50, 1.00, 1.50)×CCDT[μF] tIOV1[s]=(0.05, 0.10, 0.15)×CCDT[μF] 6. 休眠状态 变为过放电状态，停止了放电，由于 IC内部的 RVMS电阻 VMP端子被下拉至 VSS，VMP端子电压变为 VDD/2 以下时，FM8254进入休眠状态。在休眠状态下 FM8254的几乎全部的电路停止工作，消耗电流变为 IPDN 以下。各个输出端子的状态变为如下的状态。 a)COP Hi-Z b)DOP VDD 休眠状态在满足下述的条件时被解除。 a)VMP端子电压变为 VDD/2以上时(连接了充电器)。过放电状态在满足下述的条件时被解除。 b) 全部的电池电压变为 VDLn以上，并且 VDD端子电压变为 VDD/2以上时(连接了充电器)。 7. 向 0 V 电池充电功能 有关自我放电后电池(0V电池)的充电，FM8254允许向 0V的电池充电(可以向 0V电池充电)。 注意 VDD端子的电压比 VDSOP的最小值低的情况下，不能保证 FM8254工作。 8. 有关 CTL 端子 FM8254备有控制端子。CTL端子是用于控制 COP端子以及 DOP端子的输出电压而准备的。CTL端子优 先用于电池保护电路。 表 5 通过 CTL端子可设置的状态 CTL端子 COP端子 DOP端子 High Hi-Z VDD Open Hi-Z VDD Low 通常状态*1 通常状态*1 9. 有关 SEL 端子 FM8254备有控制端子。SEL端子是用于控制 3节或者 4节保护的切换而准备的。SEL端子在 Low的情况下、

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 11 页 共 19 页 Version1.3 由于 V4节的过放电检测被禁止，即使 V4节为短路，过放电检测也可使用于 3节保护。SEL端子优先用于电 池保护电路。SEL端子请务必使用在 High或者是 Low电位。 表 6 通过 SEL端子可设置的状态 SEL端子 状态 High 4节保护 Open 未定 Low 3节保护 工作时序图 1. 过充电检测、过放电检测

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 12 页 共 19 页 Version1.3 * ①通常状态 ②过充电状态 ③过放电状态 注：假设为在定电流时的充电。VEB+表示为充电器的开放电压。 2. 过电流检测 * ①通常状态 ②过充电状态 注：假设为在定电流时的充电。VEB+表示为充电器的开放电压。

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 13 页 共 19 页 Version1.3 参考电路 3节串联： 4节串联：

深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. FM8254(文件编号：S&CIC1490) 3/4 节串联用电池保护 IC www.superchip.cn 第 14 页 共 19 页 Version1.3 外接元器件的推荐值 ： NO 符号 典型值 范围 单位 NO 符号 典型值 范围 单位

1 RVC1 1*1 0-1 kΩ 11 RSENSE — 0- mΩ

2 RVC2 1*1 0-1 kΩ 12 Rvss 51*1 10-51 Ω

3 RVC3 1*1 0-1 kΩ 13 RVc1 0.1*1 0-0.33 μF 4 RVC4 1*1 0-1 kΩ 14 CVC2 0.1*1 0-0.33 μF 5 RDOP 5.1 2-10 kΩ 15 CVC3 0.1*1 0-0.33 μF 6 RCOP 1*2 0.1-1 MΩ 16 CVC4 0.1*1 0-0.33 μF 7 RVMP 5.1 1-10 kΩ 17 CCCT 0.1 0.01- μF 8 RCTL 0 0-100 kΩ 18 CCDT 0.1 0.07- μF 9 RVINI 1 0-100 kΩ 19 CVSS 2.2*1 2.2-10 μF

10 RSEL 0 0-100 kΩ

*1. 请将过滤器参数设为RVSS × CVSS ≥ 51 μF•Ω,RVC1 × CVC1=RVC2 × CVC2=RVC3 × CVC3= RVC4 × CVC4=RVSS × CVSS。 *2. 对于音箱及类似产品，电源端有大容值的电容，建议 RCOP改至 5.1MΩ。 注意： 1. 上述连接例的参数有可能不经预告而作更改。 2.VDD-VSS间的滤波器参数推荐为 112 μF•Ω左右。 例 CVSS × RVSS=2.2 μF × 51 Ω =112 μF•Ω 在设定 VDD-VSS间的滤波器参数时，请通过实际的应用电路对瞬态电源变动以及过电流保护功能予以充分实测。 3. 对上述连接例以外的电路未作动作确认, 且上述电池保护 IC的连接例以及参数并不作为保证电路工作的依据。 请在实际的应用电路上进行充分的实测后再设定参数。 注意事项  请注意输入输出电压、负载电流的使用条件，使 IC内的功耗不超过封装的容许功耗。  电池的连接顺序并无特别要求，连接电池时有可能发生不能放电的情况。在这种情况下，应把 VMP端子与 VDD端子短路连接，或者连接充电器就可以恢复到通常状态。  过充电电池和过放电电池混杂在一起的情况下变为过充电状态与过放电状态，都不可能进行充电和放电。  本 IC虽内置防静电保护电路，但请不要对 IC施加超过保护电路性能的过大静电。

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