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深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. FM53 (文件编号：S&CIC1266) -30V P 沟道增强型MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 1 页 共 3 页 Version 1.0 VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@3A ≤87mΩ RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A ≤80mΩ 内部结构图 123 456 G1 G2 D1 D2 S1 D1 D1 D2 D2 SOT23-6 特点 LED 显示器 笔记本电脑 便携式设备和电池供电系统 最大额定值和热特性(TA = 25℃，除非另有说明) 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDS -30 V 栅源电压 VGS ±20 漏极电流 ID -5.2 A 漏极脉冲电流 IDM -20 最大功耗 Ta=25℃ PD 1.5 W Ta=75℃ 0.8 工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg -55 to 150 ℃ 热阻 RθJA 140 ℃/W 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. FM53 (文件编号：S&CIC1266) -30V P 沟道增强型MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 2 页 共 3 页 Version 1.0 电特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静电 漏源击穿电压 BVDSS V GS = 0V, ID = -250uA -20 -- -23 V 漏源电阻 RDS(on) V GS = -10V, ID = -5.5A -- 36.0 49.0 mΩ RDS(on) V GS = -4.5V, ID = -4.2A -- 53.0 80.0 栅极阈值电压 VGS(th) V DS = VGS, ID = -250uA -0.4 -0.7 -1 V 漏极到源极的漏电流 IDSS VDS = -24V, VGS = 0V, TJ=25℃ -- -- 1 uA 栅极到源极的漏电流 IGSS V GS = ±20V -- -- ±100 uA 漏极持续电流 ID -4.2 A 温度 VS RDS(ON)/VGS(th) RDS(ON) vs 结温 V GS(th) vs 结温
深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. FM53 (文件编号：S&CIC1266) -30V P 沟道增强型MOS 场效应管 www.superchip.cn 第 3 页 共 3 页 Version 1.0 封装信息 符号 毫米 最小值 典型值 最大值 A -- 1.19 1.24 A1 -- 0.05 0.09 A2 1.05 1.10 1.15 A3 0.31 0.36 0.41 b 0.35 0.40 0.45 c 0.12 0.17 0.22 D 2.85 2.90 2.95 E 2.80 2.90 3.00 E1 1.55 1.60 1.65 e 0.95BSC L 0.37 0.45 0.53 L1 0.65BSC θ 0 ° 2 ° 8 °