FE3A_13 DIOTEC | Alldatasheet
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FE3A ... FE3G FE3A ... FE3G Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-10-15 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 3 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ DO-201 Weight approx. Gewicht ca. 1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF at/bei IF = 3 A FE3A 50 50 < 0.98 FE3B 100 100 < 0.98 FE3D 200 200 < 0.98 FE3G 400 400 < 1.30 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 3 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 125/135 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 78 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø 1.2±0.05 Ø 4.5 62.5 ±0.5 7.5 ±0.1 +0.1 -0.3
FE3A ... FE3G Characteristics Kennwerte Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 50 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthT < 8 K/W Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 125°Cj T = 25°Cj FE3GFE3A...D