FBY8 DIOTEC | Alldatasheet
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Technical content
Features
High creepage and clearance Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Große Luft- und Kriechstrecken Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in bulk 500 Lose verpackt Weight approx. 1.9 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = N/A Marking: Two rings denote “cathode” and “High Voltage Fast Recovery Rectifier” The type number is noted only on the packing label Kennzeichnung: Zwei Ringe kennzeichnen “Kathode” und “Schnelle Hochspannungsgleichrichter” Die Typenbezeichnung ist nur auf dem Verpackungsetikett vermerkt Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] @ IRSM = 100 µA FBY8 8000 > 8000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 60°C IFAV 350 mA 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 13.5 A 15 A Rating for fusing, Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 1.1 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+120°C -50...+130°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 22 ±0.5 7.3 ±0.3 Ø 1.2 ±0.05 66 +4.0
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 350 mA VF < 14 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 2.5 pF Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 2 mA through/über IR = 4 mA to/auf IR = 1 mA trr < 150 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende RthA < 60 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 10 10 [n] 102 3 [A] îF 10-1 10-2 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T=25°Cj Rated forward current versus ambient temperature )1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )1 IFAV [%] 120 100 [°C]TA 150100500