F6B52HP SHINDENGEN | Alldatasheet
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外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". PowerMOSFET （MOSFET〈2010.07〉） 単位 Unit 規格値 Ratings 条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item －55～150Tstg保存温度 StorageTemperature 150Tchチャネル温度 ChannelTemperature V 525VDSSドレイン ・ ソース間電圧 Drain-SourceVoltage ±30VGSSゲート ・ ソース間電圧 Drain-SourceVoltage A 6IDドレイン電流 （直流） ContinuousDrainCurrent(DC) 24パルス幅10μs,duty=1/100 Pulsewidth10µs,duty=1/100IDPドレイン電流 （ピーク） ContinuousDrainCurrent(Peak) 6ISソース電流 （直流） ContinuousSourceCurrent(DC) W15PT全損失 TotalPowerDissipation A6Tch＝150℃IAR繰り返しアバランシェ電流 RepetitiveAvalancheCurrent mJ 50Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃ StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚CEAS単発アバランシェエネルギー SingleAvalancheEnergy 5Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃ StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚CEAR繰り返しアバランシェエネルギー RepetitiveAvalancheEnergy A/μs350IS＝6A,Tc＝25℃di/dtドレインソース間ダイオード Drain-SourceDiode www.shindengen.co.jp/product/semi/ F6B52HP 525V6A ■定格表 RATINGS
- 絶対最大定格 AbsoluteMaximumRatings（指定のない場合 Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified）
- 電気的 ・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified） Unit：mm ■外観図 OUTLINE Package：FB ᶅ ᶆ ᶃ ᶄ 5ZQF /P BUF DPEF ʢྫʣ F6B5 2H 000A 00 単位 Unit 規格値 Ratings条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item MAXTYPMIN V──525ID＝1mA,VGS＝0VV（BR）DSSドレイン ・ ソース間降伏電圧 Drain-SourceBreakdownVoltage μA 100──VDS＝525V,VGS＝0VIDSSドレイン遮断電流 ZeroGateVoltageDrainCurrent ±10──VGS＝±25V,VDS＝0VIGSSゲート漏れ電流 Gate-SourceLeakageCurrent S─62ID＝3A,VDS＝10Vgfs順伝達コンダクタンス ForwardTransconductance Ω1.21.0─ID＝3A,VGS＝10VR（D S）ONドレイン ・ ソース間オン抵抗 StaticDrain-SourceOn-stateResistance V 4.53.753.0ID＝1mA,VDS＝10VVTHゲートしきい値電圧 GateThressholdVoltage 1.5──IS＝3A,VGS＝0VVSDソース ・ ドレイン間ダイオード順電圧 Source-DrainDiodeForwadeVoltage ℃/W8.33──接合部 ・ ケース間 Junctiontocaseθjc熱抵抗 ThermalResistance nC─10─VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝6AQgゲート全電荷量 TotalGateCharge pF ─580─ VDS＝35V,VGS＝0V,f＝1MHz Ciss入力容量 InputCapacitance ─4─Crss帰還容量 ReverseTransferCapacitance ─65─Coss出力容量 OutputCapacitance ns ─15─ ID＝3A,RL＝50Ω, VDD＝150V, td（on）ターンオン遅延時間 Turn-ondelaytime ─10─tr上昇時間 Risetime ─40─td（off）ターンオフ遅延時間 Turn-offdelaytime ─15─tf下降時間 Falltime 特長 煙低オン抵抗 煙面実装タイプ Feature 煙LowRON 煙SMDPackage
（MOSFET〈2010.07〉）www.shindengen.co.jp/product/semi/ ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ̍ ̎ ̍ ̌ ̍ ̎ ̍ ̌ ग़ྗಛੑ TypicalOu tputCha racteristics ˆ 5:1 77̜̜44 ̍ ̌ ̫ 77̜̜44 77̜̜44 1VMTF NFBTVSFNFOU ୡಛੑ TransferCh aracteristics 7%4 5:1 ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ̩̲ ʵ̑̑ˆˆ ̎ ̑ ̎̑ˆˆ ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ˆ ̎ ̑ ˆ 1VMTF NFBTVSFNFOU ᴷυϨΠϯిྲྀ Static Drain-Source O n-state Re sistance vs Drain C urrent ᴷέʔεԹ StaticDrain-Source On-stateRe sistance vs Ca se Tempe rature ̌ ɽ ̍ ̎ ̌ ̍ ̌ ̌ ɽ ̑ ̌ ɽ ̎ 7(4 ʹ̍̌7 5Dʹ ̎̑ˆ 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU ̍ ̌ ̌ ɽ ̍ ̌ ɽ ̑ ̌ ɽ ̎ 7(4 ʹ̍̌7 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU G ate Threshold Voltage vs Ca se 5em perature ̍ 7%4 ʹ̍̌7 ̍N" 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU Safe Op erating Area ̑ ̌ ̎ ̐ ̍ ̔ ̍ ̎ ̌ ɽ ̌̍ ̌ ɽ ̍ 5D ʹ̎̑ˆ 4JOHMF QVMTF 33%4 %4ʢʢPO POʣʣ 3FTUSJDUFE TQBDF 3FTUSJDUFETQBDF 3%4 ʢPO ʣ 3FTUSJDUFE TQBDF %$ %$%$ NT NTNT NT NTNT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT TransientTherma lIm pedance ̍̌̌ ̍ ̌ ̌̌ ̌ ̍ ̌̌ ̍ 5JNF U ʤTʥ 5SBODJFOU 5IFSNBM *NQFEBODF ВKD ʤˆ8ʥ Ωϟύγλϯεಛੑ Cap acitance Ch aracteristic s ̑ ̌ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ ̍ ̌ Gʹ ̍.)[ 5Dʹ̎̑ˆ 5:1 ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ গ ᴷέʔεԹ Powe rDe rating -Ca se Tem perature 77̜̜447̜4 77%4 %47%4 ̍ ̑ ̎ ̌ ̍ ̌ ήʔ τνϟʔδಛੑ ̐ ̌ ̌ ̑ ̌ ̌ ̏ ̌ ̌ ̎ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ G ateCh arge Ch aracteristics 5:1 77%% %% 7%% ̐ ̌ ̌ ̫ ̎ ̌ ̌ ̫ ̍ ̌ ̌ ̫ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ (BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4 ʢ0/ ʣʤЊʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4ʢ0/ ʣʤЊʥ $BTF̩FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ (BUF 5ISFTIPME 7PMUBHF ̫5) ʤ ̫ʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ $BQBDJUBODF ̘JTT $PTT $STTʤQ' ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ̫ʥ 1PXFS %FSBUJOH ʤʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ 4JOHMF "WBMBODIF &OFSHZ %FSBUJOH ʤʥ 4UBSUJOH $IBOOFM 5FNQFSBUVSF 5DI ʤˆʥ (BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ 5PUBM (BUF $IBSHF 2H ʤO$ʥ ВВKD KDВKD **%% ୯ൃΞόϥϯγΣి ྲྀᴷΠϯμΫλϯε SingleAvalanche Cu rrentvs Inductive Load গᴷνϟωϧԹ Single Avalanche EnergyD erating vs Cha nnelTem perature ̑ ̌ ̍ ̌ ̌ ɽ ̍ 7%%ʹ̍ ̌ ̌7 7(4 ʹ̍̑7 ʵ ̌7 3Hʹ ̍ ̌ ̌ Њ 4JOHMF "WBMBODIF $VSSFOU * "4ʤ"ʥ *OEVDUBODF - ʤN)ʥ F6B52HP ＊Sinewaveは50Hzで測定しています。 ＊50Hzsinewaveisusedformeasurements.