F5K120

F5K120 DIOTEC | Alldatasheet

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
• PDF pages: 3

Technical content

Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2010-05-31 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 5 A Stand off voltage Sperrspannung 120 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Type Typ Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) VWM [V] ID [µA] VBR min [V] @ IT [mA] IF = 5A F5K120 120 5 130 5 < 0.95 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 5 A 2) Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb TA = 50°C Ptot 5 W Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 50 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 250/280 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 200 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C

1 Tj = 25°C

2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 5.4 62.5 ±0.5 7.5 ±0.1

Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VWM VR = VWM IR IR < 5 µA < 100 µA ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ 20 kV Peak pulse power dissipation 10/1000µs pulse 1) Impuls-Verlustleistung TA = 25°C PPPM 700 W Max. reverse peak pulse current 8/20µs pulse 2) Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung TA = 25°C IPPM 100 A Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 300 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 3) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 10 K/W

1 See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs

2 See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs

3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current vs. temp. of the case [°C]TC 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 250a-(7.5a-1,05v)

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 1 2 3 4[ms] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 10 µsr 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 20 40 60 [µs] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 8 µsr