F3L75R12W1H3_B11 INFINEON | Alldatasheet

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TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 ULapproved(E83335) VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypischeAnwendungen TypicalApplications

  • •3-Level-Applikationen 3-Level-Applications
  • •SolarAnwendungen SolarApplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
  • •NiederinduktivesDesign LowInductiveDesign
  • •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses
  • •NiedrigesVCEsat LowVCEsat MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
  • •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
  • •KompaktesDesign Compactdesign
  • •PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology
  • •Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent ICN 75 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 45 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 275 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V VCE sat 1,45 1,55 1,60 1,70 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,05 5,80 6,45 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,57 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,40 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,235 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω td on 0,03 0,03 0,03 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω tr 0,01 0,012 0,012 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω td off 0,25 0,32 0,34 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω tf 0,025 0,04 0,045 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = 6,8 Ω Eon 0,40 0,60 0,70 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 6,8 Ω Eoff 1,05 1,60 1,75 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 270 A Tvj = 150°C tP ≤ 10 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,500 0,550 K/W

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,450 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 30 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 60 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 310 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V VF 2,15 1,85 1,70 t.b.d. V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V IRM 85,0 90,0 95,0 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Qr 2,30 2,95 3,30 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Erec 0,85 1,25 1,35 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,700 0,750 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,700 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent ICN 50 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 60 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V VCE sat 1,25 1,30 1,30 1,50 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,05 5,80 6,45 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,2 Ω td on 0,022 0,022 0,025 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,2 Ω tr 0,01 0,012 0,012 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,2 Ω td off 0,12 0,15 0,165 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,2 Ω tf 0,025 0,037 0,04 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH VGE = 15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = 6,2 Ω Eon 0,40 0,55 0,60 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH VGE = 15 V, du/dt = 4200 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 6,2 Ω Eoff 0,90 1,20 1,30 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 350 250 A A Tvj = 25°C Tvj = 150°C tP ≤ 8 µs, tP ≤ 6 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,750 0,850 K/W

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,700 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 50 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 30 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 100 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 130

115 A²s

A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V VF 1,45 1,35 1,30 1,65 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V IRM 42,0 48,0 50,0 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Qr 1,80 2,40 2,60 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Erec 0,45 0,65 0,73 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,800 1,10 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,600 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ΔR/R -5 5 % Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,0 kV InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AI2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 min. typ. max. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 30 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 - 80 N Gewicht Weight G 24 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,T1-T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AusgangskennlinienfeldIGBT,T1-T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] IC [A] VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1-T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] IC [A] 5 6 7 8 9 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.8Ω ,RGoff=6.8Ω ,VCE=400V IC [A] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V RG [Ω ] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 70 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandIGBT,T1-T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4 ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZthJH : IGBT ri[K/W]: τi[s]: 0,032 0,0005 0,062 0,005 0,312 0,05 0,544 0,2 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1-T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω ,Tvj=150°C VCE [V] IC [A] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=6,2Ω ,VCE=400V IF [A] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V RG [Ω ] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZthJH: Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,097 0,0005 0,219 0,005 0,576 0,05 0,508 0,2 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] 0,00 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] IC [A] VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] IC [A] 5 6 7 8 9 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.2Ω ,RGoff=6.2Ω ,VCE=400V IC [A] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V RG [Ω ] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZthJH: IGBT ri[K/W]: τi[s]: 0,084 0,0005 0,195 0,005 0,586 0,05 0,585 0,2 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=6.8Ω ,VCE=400V IF [A] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 0,00 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90 1,00 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V RG [Ω ] E [mJ] 0 10 20 30 40 50 60 0,00 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZthJH: Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,206 0,0005 0,247 0,005 0,412 0,05 0,535 0,2 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[Ω ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon

TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L75R12W1H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:CM approvedby:AKDA dateofpublication:2015-08-26 revision:V2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.