F20W60C3 SHINDENGEN | Alldatasheet

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外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". PowerMOSFET （MOSFET〈2010.06〉） 単位 Unit 規格値 Ratings 条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item －55～150Tstg保存温度 StorageTemperature 150Tchチャネル温度 ChannelTemperature V 600VDSSドレイン ・ ソース間電圧 Drain-SourceVoltage ±30VGSSゲート ・ ソース間電圧 Drain-SourceVoltage A 20IDドレイン電流 （直流） ContinuousDrainCurrent(DC) 60パルス幅10μs,duty=1/100 Pulsewidth10µs,duty=1/100IDPドレイン電流 （ピーク） ContinuousDrainCurrent(Peak) 20ISソース電流 （直流） ContinuousSourceCurrent(DC) W75PT全損失 TotalPowerDissipation (Recommendedtorque:0.5N・m)TOR締め付けトルク MountingTorque www.shindengen.co.jp/product/semi/ F20W60C3 600V20A ■定格表 RATINGS

  • 絶対最大定格 AbsoluteMaximumRatings（指定のない場合 Tc＝25℃）
  • 電気的 ・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃） Unit：mm ■外観図 OUTLINE Package：MTO-3P ᶆ ᶅᶃ ᶄ 20W 60C3 0000 %BUF DPEF ʢྫʣ $POUSPM /P ʢྫʣ 5ZQF /P ᶃ ᶄ ᶅ ᶆ 単位 Unit 規格値 Ratings条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item MAXTYPMIN V──600ID＝1mA,VGS＝0VV（BR）DSSドレイン ・ ソース間降伏電圧 Drain-SourceBreakdownVoltage μA 25──VDS＝600V,VGS＝0VIDSSドレイン遮断電流 ZeroGateVoltageDrainCurrent ±0.1──VGS＝±30V,VDS＝0VIGSSゲート漏れ電流 Gate-SourceLeakageCurrent S─17.58.7ID＝10A,VDS＝10Vgfs順伝達コンダクタンス ForwardTransconductance Ω0.190.16─ID＝10A,VGS＝10VR（D S）ONドレイン ・ ソース間オン抵抗 StaticDrain-SourceOn-stateResistance V 3.93.02.1ID＝1mA,VDS＝10VVTHゲートしきい値電圧 GateThressholdVoltage 1.5──IS＝10A,VGS＝0VVSDソース ・ ドレイン間ダイオード順電圧 Source-DrainDiodeForwadeVoltage ℃/W1.66──接合部 ・ ケース間 Junctiontocaseθjc熱抵抗 ThermalResistance nC─87─VGS＝10V,ID＝20A,VDD＝400VQgゲート全電荷量 TotalGateCharge pF ─2400─ VDS＝25V,VGS＝0V,f＝1MHz Ciss入力容量 InputCapacitance ─50─Crss帰還容量 ReverseTransferCapacitance ─780─Coss出力容量 OutputCapacitance ns ─32─ ID＝10A,VDD＝150V,RL＝15Ω td（on）ターンオン遅延時間 Turn-ondelaytime ─60─tr上昇時間 Risetime ─355─td（off）ターンオフ遅延時間 Turn-offdelaytime ─60─tf下降時間 Falltime ※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、0.6〔℃/W〕を御使用下さい。 但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。 TheJunctionTemperatureiscalculatedfromthecasetemperature,thermalresistancevalueuses0.6℃/W.UseintheSafeOperatingAreaforinputcurrentandvoltage. 特長 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング Feature 煙LowRON 煙FastSwitching

＊Sinewaveは50Hzで測定しています。 ＊50Hzsinewaveisusedformeasurements. （MOSFET〈2010.06〉）www.shindengen.co.jp/product/semi/ ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ̐ ̌ ̏ ̌ ̏ ̑ ̎ ̑ ̍ ̑ ̎ ̌ ̍ ̌ ग़ྗಛੑ TypicalOu tputCha racteristics ˆ 5:1 77̜̜44 ̐ ̫ ̫̐7̜4 ̐ ̫ 1VMTF NFBTVSFNFOU ̐ ̌ ̏ ̌ ̏ ̑ ̎ ̑ ̍ ̑ ̎ ̌ ̍ ̌ ఻ୡಛੑ TransferCh aracteristics 7%4 5:1 ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ̩̲ ʵ̑̑ˆˆ ̎ ̑ ̎̑ˆˆ ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ˆ ̎ ̑ ˆ 1VMTF NFBTVSFNFOU ᴷυϨΠϯిྲྀ Static Drain-Source O n-staticRe sistance vs Drain C urrent ᴷέʔεԹ౓ StaticDrain-Source On-staticRe sistance vs Case Temp erature ̌ ɽ ̌̍ ̍ ̌ ̌ ɽ ̎ ̌ ɽ ̍ ̌ ɽ ̌ ̑ ̌ ɽ ̌ ̎ ̌ ɽ ̑ 7(4 ʹ̍̌7 5Dʹ ̎̑ˆ 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU ̌ ɽ ̌̍ ̌ ɽ ̍ 7(4 ʹ7 1VMTF UFTU 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU **%% "*% G ate Threshold Voltage vs Ca se 5em perature 7%4 ʹ̍ ̌ 7 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU Safe Op erating Area ̍ ̌ ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ ̌ ɽ ̌̍ ̌ ɽ ̍ 5D ʹ̎ ̑ ˆ 4JOHMF QVMTF 33%4 %4ʢʢPO POʣʣ 3FTUSJDUFE TQBDF 3FTUSJDUFETQBDF 3%4 ʢPO ʣ 3FTUSJDUFE TQBDF %$ %$%$ NT NTNT NT NTNT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT TransientTherma lIm pedance 5JNF U ʤTʥ 5SBODJFOU 5IFSNBM *NQFEBODF ВKD ʤˆ8ʥ Ωϟύγλϯεಛੑ Cap acitance Ch aracteristic s ̍ ̌ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ ̍ ̌ Gʹ ̍.)[ 5Dʹ̎ ̑ ˆ 5:1 ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ গ ཰ᴷέʔεԹ౓ Powe rDe rating -Ca se Tem perature 77̜̜447̜4 77%4 %47%4 ̍ ̑ ̎ ̌ ̍ ̌ ήʔ τνϟʔδಛੑ ̐ ̌ ̌ ̑ ̌ ̌ ̏ ̌ ̌ ̎ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ G ateCh arge Ch aracteristics ̎̌" 5:1 77%% %% 7%% ̐ ̌ ̌ ̫ ̎ ̌ ̌ ̫ ̍ ̌ ̌ ̫ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ (BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4 0/ ʤЊʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUJD 3FTJTUBODF 3 %4ʢ0/ ʣʤЊʥ $BTF̩FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ (BUF 5ISFTIPME 7PMUBHF ̫5) ʤ ̫ʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ $BQBDJUBODF ̘JTT $PTT $STTʤQ' ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ̫ʥ 1PXFS %FSBUJOH ʤʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ (BUF 4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ %SBJO 4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ 5PUBM (BUF $IBSHF 2H ʤO$ʥ ВВKD KDВKD ̍ ̌ ̌̌ ̌ ̍ ̌̌ ̍ F20W60C3