F16F60CPM SHINDENGEN | Alldatasheet

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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". 単位 Unit 規格値 Ratings 条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item ℃－55～150Tstg保存温度 StorageTemperature 150Tchチャネル温度 ChannelTemperature V 600VDSSドレイン・ソース間電圧 Drain-SourceVoltage ±30VGSSゲート・ソース間電圧 GateSourceVoltage A 16IDドレイン電流（直流） ContinuousDrainCurrent(DC) 48パルス幅10μs,duty=1/100 Pulsewidth10µs,duty=1/100IDPドレイン電流（ピーク） ContinuousDrainCurrent(Peak) 16ISソース電流（直流） ContinuousSourceCurrent（DC） W55PT全損失 TotalPowerDissipation kV2一括端子・ケース間，AC1分間印加 Terminalstocase,AC1minuteVdis絶縁耐圧 DielectricStrength (Recommendedtorque:0.3N・m)TOR締め付けトルク MountingTorque F16F60CPM 600V16A ■定格表 RATINGS

  • 絶対最大定格 AbsoluteMaximumRatings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
  • 電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified） Unit：mm ■外観図 OUTLINE 単位 Unit 規格値 Ratings条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item MAXTYPMIN V──600ID＝1mA,VGS＝0VV（BR）DSSドレイン・ソース間降伏電圧 Drain-SourceBreakdownVoltage μA10──VDS＝600V,VGS＝0VIDSSドレイン遮断電流 ZeroGateVoltageDrainCurrent ±0.1──VGS＝±30V,VDS＝0VIGSSゲート漏れ電流 Gate-SourceLeakageCurrent S─147ID＝8A,VDS＝10Vgfs順伝達コンダクタンス ForwardTransconductance Ω0.1990.180─ID＝8A,VGS＝10VR（D S）ONドレイン・ソース間オン抵抗 StaticDrain-SourceOn-stateResistance V3.53.02.5ID＝1mA,VDS＝10VVTHゲートしきい値電圧 GateThresholdVoltage 1.5──IS＝8A,VGS＝0VVSDソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Source-DrainDiodeForwardVoltage ℃/W2.27──接合部・ケース間 Junctiontocaseθjc熱抵抗 ThermalResistance nC─33─VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝16AQgゲート全電荷量 TotalGateCharge pF ─1520─ VDS＝100V,VGS＝0V,f＝1MHz Ciss入力容量 InputCapacitance ─2.5─Crss帰還容量 ReverseTransferCapacitance ─72─Coss出力容量 OutputCapacitance ns ─30─ ID＝8A,RL＝18.75Ω,VDD＝150V,Rg＝50Ω, td（on）ターンオン遅延時間 Turn-ondelaytime ─45─tr上昇時間 Risetime ─125─td（off）ターンオフ遅延時間 Turn-offdelaytime ─40─tf降下時間 Falltime 特長 煙高耐圧 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング Feature 煙HighVoltage 煙LowRON 煙FastSwitching PowerMOSFET Package：FTO-220A（3pin） 16F60CPM %BUF DPEF ʢྫʣ $POUSPM /P ʢྫʣ 0000 ᶅᶃ ᶄ 5ZQF /P ᶃ ᶄ ᶅ

■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ গ཰ ʵέʔεԹ౓ Powe rDe rating -Ca se Tem perature 1PXFS %FSBUJOH ʤʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5Dʤˆʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ ̍ ̎ ̍ ̒ ̏ ̎ ̎ ̔ ̎ ̐ ̎ ̌ ग़ྗಛੑ TypicalOu tputCh aracteristics 1VMTF NFBTVSFNFOU %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ ̎ ̑ ˆ 5:1 77(4 (4 ̍ ̌ ̍̌77 ̔̔77 ̒̒77 7(4 ̍ ̌ 7 77(4 (4 ̑̑777(4 77(4 (4 ̐̐777(4 ̍ ̒ ̏ ̎ ̎ ̔ ̎ ̐ ̎ ̌ ̍ ̎ ఻ୡಛੑ TransferCh aracteristics 1VMTF NFBTVSFNFOU %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ (BUF ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ 7%4 ̎ ̌ 7 5:1 ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ˆ ̎ ̑ ˆ ̍ ̌ ̌ ˆ ʵυϨΠϯిྲྀ StaticD rain-Source O n-state Re sistance vs D rainCu rrent ̌ɽ ̍ ̌ɽ ̌ ̑ 7(4 ʹ7 5Dʹ ̎ ̑ˆ 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4 ʢ0/ ʣʤЊʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ ʵέʔεԹ౓ StaticDrain-Source On- state R esistance vs Case Tempe rature ̌ɽ ̍ ̌ɽ ̌̍ 7(4 ʹ7 QVMTF UFTU 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU $BTF̩FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ **%% G ateThresholdVoltage vs Ca se 5em perature 7%4 ʹ̍ ̌ 7 ̍N" 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU (BUF 5ISFTIPME 7PMUBHF ̫5) ʤ ̫ʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ Safe Op erating Area 5D ʹ̎ ̑ ˆ 4JOHMF QVMTF %$ %$%$ NT NTNT NT NTNT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ TransientThermalImpe dance ̍ ̌ ̌̌ ̌ ̍ ̌̌ ̍ 5JNF U ʤTʥ Ωϟύγλϯεಛੑ Cap acitance Ch aracteristic s ̍ ̌ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ ̍ ̌ 5Dʹ ̎ ̑ ˆ Gʹ ̍.)[ 5:1 $BQBDJUBODF ̘JTT $PTT $STTʤQ' ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ̫ʥ 77̜̜447̜4 77%4 %47%4 ήʔ τνϟʔδಛੑ ̑ ̌ ̌ ̏ ̌ ̌ ̐ ̌ ̌ ̎ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ G ate Ch arge Cha racteristics ̍ ̒ " 5:1 (BUF ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ 5PUBM (BUF $IBSHF 2H ʤO$ʥ 77%% %% 7%% ̐ ̌ ̌ ̫ ̎ ̌ ̌ ̫ ̍ ̌ ̌ ̫ ̍ ̌ ̍ ̌ ̌ ̐ ̔ ̏ ̎ ̍ ̒ ̌ɽ ̌ ̍ ̌ɽ ̍ 5SBOTJFOU 5IFSNBM *NQFEBODF ВKD ʤˆ8ʥ 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4ʢ0/ ʣʤNЊʥ ̍ ̒ ̎ ̌ ̍ ̎ 3%4 ʢPO ʣ 3FTUSJDUFE TQBDF F16F60CPM ＊Sinewaveは50Hzで測定しています。 ＊ 50Hzsinewaveisusedformeasurements.

͝஫ҙ ͞ΕΔಛ ͷ ʲඪ४༻్ʳ ɺՈిɺ ʲಛผ༻్ʳ ɺҩྍ ʲಛఆ༻్ʳ ͷͨΊͷ૷ஔɺγεςϜ ࢭ Ͱ͖ΔΑ͏͝ ౼Լ͍͞ɻ ೝԼ͍͞ɻ ͍·ͤΜɻ ͏΋ͷ Ͱ͸͋Γ·ͤΜɻ ɺ༌ग़ʹ͸ಉ Մ͕ඞཁͰ͢ɻ

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