F1200G

F1200A_07 DIOTEC | Alldatasheet

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F1200A ... F1200G F1200A ... F1200G Superfast Silicon-Rectifiers Superschnelle Silizium-Gleichrichter Version 2007-05-09 Dimensions - Maße [mm] Nominal Current Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] F1200A 50 50 F1200B 100 100 F1200D 200 200 F1200G 400 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 12 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375/390 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 680 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage bei reduzierter Sperrspannung VR ≤ 80% VRRM VR ≤ 20% VRRM Tj Tj -50...+150°C -50...+200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5

F1200A ... F1200G Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF < 0.82 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 25 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 200 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 10 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 2 K/W Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 Vr < 80% Vrrm Vr < 20% Vrrm Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj 400a-(5a-0,8v)