F11K120_13 DIOTEC | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 2

Technical content

Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2013-12-06 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 11 A Stand off voltage Sperrspannung 120 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm] (~ DO-201) Weight approx. – Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Sperr-Belastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Type Typ Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] VWM [V] ID [µA] VBR min [V] @ IT [mA] IF = 5A IF = 11A F11K120 120 5 130 5 < 0.97 < 1.10 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TL = 50°C IFAV 11 A 1) Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb TA = 50°C Ptot 5 W Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 50 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 250/280 A Peak pulse power dissipation 10/1000µs pulse 2) Impuls-Verlustleistung TA = 25°C PPPM 700 W Max. reverse peak pulse current 8/20µs pulse 3) Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung TA = 25°C IPPM 100 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 200 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C

1 Valid, if leads are kept at TL at a distance of 3 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf TL gehalten werden

2 See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs

3 See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 5.4 62.5 ±0.5 7.5 ±0.1

Hot leakage current – Heiß-Sperrstrom Tj = 100°C VR = VWM IR < 100 µA ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ 20 kV Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 350 ns Thermal resistance junction to ambient air – Wärmewiderst. Sperrschicht – umg. Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderst. Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 10 K/W

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current vs. temp. of the case [°C]TC 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 250a-(7.5a-1,05v) 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 1 2 3 4[ms] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 10 µsr 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform IPP PPP 100 0 t 20 40 60 [µs] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 8 µsr