ETZ1100N16P70 INFINEON | Alldatasheet
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Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 1/11 Seite/page Key Parameters VDRM / VRRM 1600V ITAVM 1051A (TC=85°C) ITSM 33600A VT0 0,8V rT 0,15mΩ RthJC 0,0388K/W Base plate 70mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Features Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit Pressure contact technology for high reliability Advanced Medium Power Technology (AMPT) Advanced Medium Power Technology (AMPT) Industrie-Standard-Gehäuse Industrial standard package Elektrisch isolierte Bodenplatte Electrically insulated base plate Typische Anwendungen Typical Applications Sanftanlasser Soft starters Gleichrichter für Antriebsapplikationen Rectifier for drives applications Kurzschließer-Applikationen Crowbar applications Leistungssteller Power controllers Gleichrichter für UPS Rectifiers for UPS Batterieladegleichrichter Battery chargers Statische Umschalter Static switches Bypass-Schalter Bypass switches content of customer DMX code DMX code DMX code digit digit quantity serial number 1..5 5 SAP material number 6..12 7 Internal production order number 13..20 8 datecode (production year) 21..22 2 datecode (production week) 23..24 2 www.ifbip.com support@infineon-bip.com 2 1 TZ 4 5
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 2/11 Seite/page Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1600 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1600 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1700 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current ITRMSM 1000 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C ITAVM 1051 A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms ITSM 33600 28200 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms I²t 5644800 3976200 A²s A²s Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (diT/dt)cr 200 A/µs Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 3000 A vT max. 1,52 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT max. 0,15 mΩ Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 12V IGT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 12V VGT max. 2 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD max. max. mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω IH max. 500 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs IL max. 2500 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 140 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tgd max. 4 µs prepared by: AG date of publication: 2019-04-23 approved by: MS revision: 3.2
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 3/11 Seite/page Thermische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5th letter O tq typ. 260 µs Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec VISOL 3,0 3,6 kV kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC RthJC max. max. 0,04 0,0388 K/W K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module RthCH typ. 0,02 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max 135 °C Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+135 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+135 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 4 page 4 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140) AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / Tolerance ± 10% M2 18 Nm Steueranschlüsse control terminals DIN 46 244 A 2,8 x 0,8 Gewicht weight G typ. 800 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² file-No. E 83335
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 4/11 Seite/page d 2 1 TZ 4 5
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 5/11 Seite/page Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [K/W] 0,0032 0,02313 0,00866 0,00267 0,0011 τn [s] 19 4,994 0,30347 0,0188 0,01 Analytische Funktion / Analytical function: maxn n=1 thnthJC n – t - e1RZ Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ΔZth Θ rec [K/W] 0,00137 0,00196 0,00229 0,00265 0,00304 ΔZth Θ sin [K/W] 0,00170 0,00203 0,00237 0,00276 0,00326 Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 6/11 Seite/page Diagramme Durchgangsverluste 0,000 0,010 0,020 0,030 0,040 0,01 0,1 1 10 100 Z(th)JC [K/W] t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ 0,1 100 10 100 1000 10000 vG [V] iG [mA] Tvj max =+135 C Tvj = -40 C Tvj = +25 C a b c Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 7/11 Seite/page Gehäusetemperatur bei Rechteck 200 400 600 800 1000 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 PTAV [W] ITAV [A] DC 180 rec 120 rec 60 rec Q = 30 rec 180 sin 90 rec Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 100 120 140 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 TC [°C] ITAVM [A] DCQ= 30 rec 60 rec 90 rec 180 rec 180 sin 120 rec Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 8/11 Seite/page 0,10 0,12 0,15 0,20 0,25 0,30 0,40 0,60 0,80 1,00 1,00 2,00 1,00 2,00 500 1000 1500 2000 2500 3000 20 40 60 80 100 120 P tot [W] T A [°C] RthCA [K/W] B2 ID 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 I D [A] L-Last L-load R-Last R-load Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 0,10 0,12 0,15 0,20 0,25 0,30 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 1,50 2,00 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 20 40 60 80 100 120 P tot [W] T A [°C] B6 ID R thCA [K/W] 0 500 1000 1500 2000 ID [A] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 9/11 Seite/page 0,08 0,10 0,12 0,15 0,20 0,25 0,30 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 2,002,00 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 20 40 60 80 100 120 P tot [W] TA [°C] R thCA K/W] IRMS W 1CR thCA K/W] IRMS W 1C 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 I RMS [A] Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 0,08 0,10 0,12 0,15 0,20 0,25 0,30 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 2,002,00 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500 20 40 60 80 100 120 P tot [W] T A [°C] W 3C IRMS W 3C IRMS R thCA [K/W] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 I RMS [A] Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 10/11 Seite/page 100 1000 10000 1 10 100 Qr [µAs] -di/dt [A/µs] iTM = 2000A 1000A 500A 200A 100A 50A Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM 5.000 10.000 15.000 20.000 25.000 0,01 0,1 1 IT(OV)M [A] t [s] b TA = 45 C a TA = 35 C Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
Phase Control Thyristor Module Technische Information / technical information eTZ1100N16P70 Date of Publication 2019-04-23 Revision: 3.2 11/11 Seite/page Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheits gefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in d iesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits - oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produkt beobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuan t the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For inf ormation on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.