EGL1A_15 DIOTEC | Alldatasheet
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Technical content
Features
Package compatible to SOD-87 High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Gehäuse kompatibel zu SOD-87 Hohe Leistungsabgabe Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 2500 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking: 1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family” 2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below) Kennzeichnung: 1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter” 2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten) Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 2. Cathode ring 2. Kathodenring EGL1A 50 50 gray / grau EGL1B 100 100 red / rot EGL1D 200 200 orange / orange EGL1G 400 400 yellow / gelb EGL1J 600 600 green / grün EGL1K 800 800 blue / blau EGL1M 1000 1000 violett / violet Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung EGL1A...EGL1G TA = 75°C IFAV 1 A 3) EGL1J...EGL1M TA = 50°C IFAV 1 A 3) Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 8 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 25/30 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 0.4 0.4 1.6 3.5 Pb ELV W EEE RoHS
EGL1A ... EGL1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C trr [ns] 1) VF [V] at / bei IF [A] EGL1A ... EGL1D < 50 < 1.25 1 EGL1G < 50 < 1.35 1 EGL1J ... EGL1M < 75 < 1.8 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj 4 pF Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 75 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 40 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 EGL1A...EGL1G EGL1J...EGL1M EGL1A...D EGL1G EGL1J...M T = 25°Cj [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)