DF80R07W1H5FP_B11 INFINEON | Alldatasheet
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Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 www.infineon.com 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5H5undCoolSiC™SchottkyDiodeundPressFIT/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5H5andCoolSiC™SchottkydiodeandPressFIT/pre-applied ThermalInterfaceMaterial J VCES = 650V IC nom = 40A / ICRM = 80A PotentielleAnwendungen PotentialApplications
- •SolarAnwendungen Solarapplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
- •CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5 CoolSiCTMSchottkydiodegen5
- •ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V
- •NiederinduktivesDesign Lowinductivedesign
- •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
- •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand Al2O3substratewithlowthermalresistance
- •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor
- •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology
- •Thermisches Interface Material bereits aufgetragen Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent ICN 40 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C ICDC 20 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 80 A Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A VGE = 15 V VCE sat 1,40 1,45 1,50 1,72 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 3,25 4,00 4,75 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V QG 0,165 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,008 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,012 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 400 V VGE = -15 / 15 V RGon = 2,7 Ω td on 0,012 0,013 0,013 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 400 V VGE = -15 / 15 V RGon = 2,7 Ω tr 0,003 0,004 0,004 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 400 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 2,7 Ω td off 0,072 0,09 0,095 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 400 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 2,7 Ω tf 0,018 0,028 0,029 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 400 V, Lσ = 25 nH di/dt = 6300 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 2,7 Ω Eon 0,091 0,12 0,127 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 400 V, Lσ = 25 nH du/dt = 7500 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 2,7 Ω Eoff 0,076 0,167 0,195 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A Tvj = 150°C tP ≤ 0 µs, Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,85 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 3 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 30 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 30 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 60 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 90,0 82,0 A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V VF 1,60 1,55 1,50 2,00 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 2,37 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 20 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 40 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 18,0 15,0 A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V VF 1,45 1,60 1,65 1,85 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 20 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V IRM 35,2 32,6 31,9 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 20 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Qr 0,31 0,29 0,29 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 20 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Erec 0,044 0,039 0,038 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 2,15 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 4 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ΔR/R -5 5 % Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing RTI 140 °C min. typ. max. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 16 nH Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature TBPmax 125 °C Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 - 50 N Gewicht Weight G 23 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet 5 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] IC [A] VGE = 7 V VGE = 9 V VGE = 11 V VGE = 15 V VGE = 17 V VGE = 19 V ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.7Ω ,RGoff=2.7Ω ,VCE=400V IC [A] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C
Datasheet 6 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=400V RG [Ω ] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.7Ω ,RGoff=2.7Ω ,VCE=400V,Tvj=150°C IC [A] t [ns] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 100 1000 tdon tr tdoff tf SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=400V,Tvj=150°C RG [Ω ] t [ns] 0 5 10 15 20 25 30 100 1000 tdon tr tdoff tf TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZthJH : IGBT ri[K/W]: τi[s]: 0,162 0,00211 0,482 0,015 0,609 0,0909 0,597 0,0909
Datasheet 7 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=2.7Ω ,Tvj=150°C VCE [V] IC [A] 0 100 200 300 400 500 600 700 100 IC, Modul IC, Chip KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz VCE [V] C [nF] 0 5 10 15 20 25 30 0,001 0,01 0,1 100 Cies Coes Cres GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=20A,Tvj=25°C QG [nC] VGE [V] 0 25 50 75 100 125 150 175 -15 -12 VCC = 400 V DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C
Datasheet 8 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZthJH : Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,227 0,0022 0,795 0,0177 0,594 0,0978 0,754 0,0978 DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(IF) RGon=2.7Ω ,VCE=400V IF [A] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(RG) IF=20A,VCE=400V RG [Ω ] E [mJ] 0 5 10 15 20 25 30 0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
Datasheet 9 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller transientthermalimpedanceDiode,Boost ZthJH=f(t) t [s] ZthJH [K/W] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 ZthJH : Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,427 0,0021 0,702 0,0174 0,449 0,0986 0,572 0,0986 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TNTC [°C] R[Ω ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp
Datasheet 10 V3.0 2018-10-05 DF80R07W1H5FP_B11 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon
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