DF400R12KE3 INFINEON | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By alldatasheet.com(free datasheet download site)
- PDF pages: 9
Technical content
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlleddiode TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 400 580 A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 2000 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V VCE sat 1,70 2,00 2,15 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 16,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 3,70 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,9 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω td on 0,25 0,30 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω tr 0,09 0,10 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω td off 0,55 0,65 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω tf 0,13 0,18 µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs RGon = 1,8 Ω Eon 17,0 25,0 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs RGoff = 1,8 Ω Eoff 42,0 62,0 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 1600 A Tvj = 125°C tP ≤ 10 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,062 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,03 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 400 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 34000 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V VF 1,65 1,65 2,15 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 6000 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V IRM 400 480 A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 6000 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V Qr 44,0 80,0 µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 400 A, - diF/dt = 6000 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V Erec 20,0 37,0 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,11 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,06 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 400 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 34000 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V VF 1,65 1,65 2,15 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,11 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,06 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Cu InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 29,0 23,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 23,0 11,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 min. typ. max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proModul/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,01 K/W Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 20 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,70 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 - 5,0 Nm Gewicht Weight G 340 g
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 100 200 300 400 500 600 700 800 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] IC [A] 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.8Ω ,RGoff=1.8Ω ,VCE=600V IC [A] E [mJ] 100 200 300 400 500 600 700 800 100 120 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] 100 120 140 160 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 ZthJC : IGBT ri[K/W]: τi[s]: 0,01612 0,01 0,01798 0,02 0,02015 0,05 0,00775 0,1 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω ,Tvj=125°C VCE [V] IC [A] 200 400 600 800 1000 1200 1400 100 200 300 400 500 600 700 800 900 IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=1.8Ω ,VCE=600V IF [A] E [mJ] 100 200 300 400 500 600 700 800 Erec, Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 ZthJC : Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,0286 0,01 0,0319 0,02 0,03575 0,05 0,01375 0,1 DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 160 240 320 400 480 560 640 720 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 TransienterWärmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/W] 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 ZthJC : Diode ri[K/W]: τi[s]: 0,00208 0,0000119 0,00625 0,002364 0,05548 0,02601 0,04619 0,06499
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines j n j n i i
TechnischeInformation/TechnicalInformation DF400R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:MK approvedby:WR dateofpublication:2013-10-03 revision:3.0 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.