DF300R12KE3

DF300R12KE3 EUPEC | Alldatasheet

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IC, nom 300 A IC 480 A min. typ. max. - 1,7 2,15 V - 2,0 - V VGES 5,0 5,8 1200 ICRM 600 +/- 20 Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Periodischer Spitzenstrom Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung VCEsat Charakteristische Werte / characteristic values approved: SM TM; Wilhelm Rusche Transistor Wechselrichter / transistor inverter date of publication: 2002-10-02 Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C collector emitter saturation voltage VCES V Elektrische Eigenschaften / electrical properties Tc= 25°C IC= 12mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C DC collector current Kollektor Emitter Reststrom prepared by: MOD-D2; Mark Münzer repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°CPeriodischer Kollektor Spitzenstrom Dauergleichstrom repetitive peak forward current Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor Emitter Sperrspannung Tc= 80°CKollektor Dauergleichstrom collector emitter voltage Tvj= 25°C A A300 W A 1470 V DC forward current gate emitter peak voltage Tc= 25°C; Transistor IF Ptot Grenzlastintegral gate threshold voltage VGE(th) I²t value I²t Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL Gate Schwellenspannung tp= 1ms - 2,8 2,5 600IFRM IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C QG f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V mA - µC 19 k A²s kV 6,5 V nF nF Gateladung VGE = -15V...+15V collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C reverse transfer capacitance Rückwirkungskapazität Eingangskapazität VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C gate charge revision: 3.0 input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V - 0,85Cres ICES - 21Cies - - - 400 nAIGES gate emitter leakage current 1 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules min. typ. max. - 0,25 - µs - 0,30 - µs - 0,09 - µs - 0,10 - µs - 0,55 - µs - 0,65 - µs - 0,13 - µs - 0,18 - µs - 1,65 2,15 V - 1,65 - V - 210 - A - 270 - A - 30 - µC - 56 - µC - 14 - mJ - 26 - mJ VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C IC= 300A VCC= 600V VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C mΩ Charakteristische Werte / characteristic values Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip SC data Eon IC= 300A, VCC= 600V, Lσ= 80nH VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C Eoff IC= 300A, VCC= 600V, Lσ= 80nH ISC Rückstromspitze peak reverse recovery current IRM Charakteristische Werte / characteristic values VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C IF= 300A, -diF/dt= 3000A/µs IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 125°Cforward voltage Durchlassspannung Inversdiode / free-wheel diode VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C 0,7 Qr VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Tc= 25°C VF IF= 300A, -diF/dt= 3000A/µs - nHstray inductance module Modulinduktivität LσCE - Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C turn off energy loss per pulse Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) 1200 - A - mJ - mJ Transistor Wechselrichter / transistor inverter tf VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C IC= 300A, VCC= 600V td,on Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC=300A, VCC= 600V tr Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) RCC´/EE´ td,off Erec VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C IF= 300A, -diF/dt= 3000A/µs Sperrverzögerungsladung recovered charge VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 125°C IC= 300A, VCC= 600V Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VGE= ±15V, RG= 2,4Ω , Tvj= 25°C 2 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules - 1,65 2,15 V - 1,65 - V - 280 - A - 360 - A - 40 - µC - 75 - µC - 18 - mJ - 34 - mJ - - 0,085 K/W - - 0,150 K/W - - 0,125 K/W Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse MN mterminal connection torque 2,5 - 5,0Anschlüsse /terminals M6 Thermische Eigenschaften / thermal properties RthCK K/W Tvj max Lagertemperatur storage temperature operation temperature Tvj op Tstg Nm °C-40 - 125 Al2O3 -0,010 RthJC °Cmaximum junction temperature Betriebstemperatur -40 - 125 °C 150- Gehäuse, siehe Anlage comperative tracking index internal insulation Mmounting torque CTI Schraube M6 / screw M6 6,0 gweight GGewicht 3,0Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=400A, -diF/dt= 4000A/µs VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Transistor Wechelr. / transistor inverter Inversdiode / free wheel diode IF=400A, -diF/dt= 4000A/µs Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. IRMVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Qr Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Sperrverzögerungsladung recovered charge Übergangs Wärmewiderstand This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. Innere Isolation case, see appendix 340 425 Chopperdiode / chopper diode Durchlassspannung IF=400A, VGE= 0V, Tvj= 25°C VF forward voltage IF= 400A, VGE= 0V, Tvj= 125°C Erec Rückstromspitze peak reverse recovery current IF=400A, -diF/dt= 4000A/µs thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemp. VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Chopper Diode / chopper diode Charakteristische Werte / characteristic values 3 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE) output characteristic (typical) T vj= 125°C output characteristic (typical) VGE= 15V Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE) 100 200 300 400 500 600 V CE [V] IC [A] VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V 100 200 300 400 500 600 V CE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 4 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules Durchlasskennlinie der Dioden (typisch) IF= f(VF) forward caracteristic of diodes (typical) Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) IC= f(VGE) VCE= 20V 100 200 300 400 500 600 56789 1 0 1 1 1 2 1 3 V GE [V] IC [A] Tvj=25°C Tvj=125°C 150 225 300 375 450 525 600 V F [V] IF [A] of inverse diode 100 200 300 400 500 600 700 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IF [A] of chopper diode 5 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=±15V, IC=300A, VCE=600V, Tvj=125°C Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=±15V, RG=2,4Ω , VCE=600V, Tvj=125°C 0 100 200 300 400 500 600 IC [A] E [mJ] Eon Eoff Erec 100 120 140 160 180 0 4 8 1 21 62 02 42 8 R G [Ω ] E [mJ] Eon Eoff Erec 6 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules τi [s] : Chopper Diode 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03 ri [K/kW] : Chopper Diode 52,51 63,02 7,10 τi [s] : Inversdiode 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03 2,364E-03 ri [K/kW] : Inversdiode 62,99 75,66 8,52 2,601E-02 ri [K/kW] : IGBT 35,73 42,82 4,84 1,61 i 123 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, Tvj=125°C, RG=2,4Ω 1,187E-05 2,83 1,187E-05 2,37 1,187E-05 τi [s] : IGBT 6,499E-02 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] ZthJC [K/W] Zth : IGBT Zth : Inversdiode Zth : Diode Chopper 100 200 300 400 500 600 700 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 V CE [V] IC [A] IC,Chip IC,Modul 7 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

Technische Information / technical information DF300R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules 20 mm 11 mmclearance distance Luftstrecke creepage distance Kriechstrecke Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) DB_DF300R12KE3_3.0 2002-10-02

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