DF200R12KE3

DF200R12KE3 EUPEC | Alldatasheet

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IC, nom 200 A IC 295 A min. typ. max. - 1,7 2,15 V - 2,0 - V Gate Schwellenspannung IC= 8mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C gate charge Gateladung VGE= -15V...+15V Grenzlastintegral 5,0 5,8 nA - 400 0,5 1,9 - µC tp= 1ms I FRM 400 A Tc= 25°C; Transistor repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°CPeriodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt Verlustleistung total power dissipation Vgate emitter peak voltage 200 Gate Emitter Spitzenspannung Dauergleichstrom ADC forward current Tc= 25°CDC collector current reverse transfer capacitance Rückwirkungskapazität f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Kollektor Emitter Sperrspannung Tc= 80°CKollektor Dauergleichstrom collector emitter voltage Tvj= 25°C V CES 400 +/- 20 7,8 VGE(th) Cies QG IGES date of publication: 2002-10-07 revision: 3.0approved: SM TM; Wilhelm Rusche gate threshold voltage VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V prepared by: MOD-D2; Mark Münzer gate emitter leakage current Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules 2,5 kV IF 1200 V W k A²s ICRM Ptot Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C A 1040 I²t value Elektrische Eigenschaften / electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values VGES I²t - input capacitance insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL Isolations Prüfspannung VCEsat Charakteristische Werte / characteristic values V nF nF14 - 6,5 Transistor Wechselrichter / transistor inverter Eingangskapazität Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V collector emitter saturation voltage IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C ICES Cres mA - - 5 1 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules min. typ. max. - 0,25 - µs - 0,30 - µs - 0,09 - µs - 0,10 - µs - 0,55 - µs - 0,65 - µs - 0,13 - µs - 0,18 - µs - 1,65 2,15 V - 1,65 - V - 150 - A - 190 - A - 20 - µC - 36 - µC - 9 - mJ - 17 - mJ - ASC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls - nH mΩ - lead resistance, terminal-chip Tc= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Qr Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Erec VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C IF= 200A, -diF/dt= 2000A/µs Sperrverzögerungsladung recovered charge IF=200A, -diF/dt= 2000A/µs RCC´/EE´ LσCE Kurzschlussverhalten 0,7 - tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C ISC - 800 - mJ - mJ35 Eon IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 125°C VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 125°C - Eoff IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH td,offVGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 125°C IC= 200A, VCC= 600V VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 25°C td,on VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 125°C tf VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 125°C IC= 200A, VCC= 600V tr VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 25°C VGE= ±15V, RG= 3,6Ω , Tvj= 125°C IC= 200A, VCC= 600V VF forward voltage Durchlassspannung IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125°C Inversdiode / free wheel diode IRM VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C IF=200A, -diF/dt= 2000A/µs Charakteristische Werte / characteristic values Rückstromspitze peak reverse recovery current Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) I C= 200A, VCC= 600V turn off energy loss per pulse Leitungswiderstand, Anschluss-Chip stray inductance module Modulinduktivität Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) 2 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules - 1,65 2,15 V - 1,65 - V - 210 - A - 270 - A - 30 - µC - 56 - µC - 14 - mJ - 26 - mJ RthJC - - 0,12 K/W - - 0,20 K/W - - 0,15 K/W Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse MN mterminal connection torque Anschlüsse / terminals M6 2,5 - 5,0 Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=300A, -diF/dt= 3000A/µs ErecVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF=300A, -diF/dt= 3000A/µs QrVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C VF forward voltage IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 125°C Rückstromspitze peak reverse recovery current IF=300A, -diF/dt= 3000A/µs IRMVR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C Charakteristische Werte / characteristic values Chopperdiode / chopper diode Durchlassspannung IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 25°C Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. Innere Isolation case, see appendix 3,0 340 gweight GGewicht comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung Mmounting torque CTI Schraube M6 / screw M6 Mechanische Eigenschaften / mechanical properties 425 storage temperature Gehäuse, siehe Anlage internal insulation 125 °C - 0,01 - - - 150 -40 - K/W Al2O3 maximum junction temperature Betriebstemperatur Transistor Wechelr. / transistor inverter Inversdiode / free wheel diodeInnerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K Tstg Lagertemperatur 6,0 Nm °C-40 - 125 Thermische Eigenschaften / thermal properties Tvj max Tvj op Höchstzulässige Sperrschichttemp. operation temperature Chopper Diode / chopper diode RthCK thermal resistance, case to heatsink Übergangs Wärmewiderstand 3 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE) output characteristic (typical) T vj= 125°C output characteristic (typical) VGE= 15V Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE) 120 160 200 240 280 320 360 400 V CE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 120 160 200 240 280 320 360 400 V CE [V] IC [A] VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V 4 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) IC= f(VGE) VCE= 20V Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF) forward caracteristic of inverse diode (typical) 120 160 200 240 280 320 360 400 56789 1 0 1 1 1 2 1 3 V GE [V] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 100 150 200 250 300 350 400 V F [V] IF [A] of free wheel diode 150 225 300 375 450 525 600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IF [A] of chopper diode 5 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=±15V, RG=3,6Ω , VCE=600V, Tvj=125°C Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=±15V, IC=200A, VCE=600V, Tvj=125°C Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 I C [A] E [mJ] Eon Eoff Erec 100 0 4 8 1 21 62 02 42 83 23 6 RG [Ω ] E [mJ] Eon Eoff Erec 6 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules τi [s] : Chopper Diode 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03 ri [K/kW] : Chopper Diode 63,07 75,68 8,53 2,364E-03 2,601E-02 τi [s] : Inversdiode 6,499E-02 2,601E-02 100,88 3,78 234 60,45 6,83 2,28 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 6,499E-02 ri [K/kW] : IGBT 50,44 i Reverse bias safe operation area (RBSOA) 1,187E-05 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) τi [s] : IGBT ri [K/kW] : Inversdiode 11,3683,98 1,187E-05 2,84 1,187E-05 VGE=±15V, Tvj=125°C, RG=3,6Ω ZthJC = f (t) 2,364E-03 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] ZthJC [K/W] Zth : IGBT Zth : Inversdiode Zth : Diode Chopper 100 150 200 250 300 350 400 450 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] IC [A] IC,Chip IC,Modul 7 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

Technische Information / technical information DF200R12KE3 IGBT-Module IGBT-Modules 11 mmclearance distance Luftstrecke 20 mmcreepage distance Kriechstrecke Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) DB_DF200R12KE3_3.0 2002-10-07

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