UBF80 ETC2 | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 4
Technical content
D RE ELEKTRONENROHREN 6N8 22.2% U B F 80 | DUODIODE — REGELPENTODE fiir Amplitudengleichrichtung HF-, ZF- und NF-Verstérker 3 f£
8 A @
| ks or an a ls on oT ott gs mox. Abmessungen Sockelschaltschema TECHNISCHE DATEN Heizung: EBF 80 UBF 80 Heizspannung Ur 63 19 Vv Heizstrom I, 300 100 mA Statische Werte: (Diode je System) Diodenspannung Ug 10 v Diodenstrom le 15 mA Innenwiderstand Ri 67 kQ Betriebswerte: Pentode als HF- oder ZF-Verstarker Anodenspannung Us, 250 200 100 Vv Gitterspannung Ug3 0 0 0 v Schirmgitterwiderstand — Rgo 100 70 50 kQ Katodenwiderstand Ry 300 300 300 Q VEB WERK FUR FERNMELDEWESEN Berlin-Oberschineweide, OstendstraBe 1-5 Fernruf 6321 61 und 632011 — Telegrammanschrift: Oberspreewerk Fernschreiber WF Berlin 1302
Regelbereich 1: 100 1: 100 1: 100 (Gittervorspannung Ug 22-415 -2 -31,5 -115 -15,5 V) (Schirmgitterspannung — Uga 82 250 82 195 50 100 Vv) Anodenstrom I, 5 5 28 mA Schirmgitterstrom Iga 1,68 1,7 1,0 mA Steilheit s 2,2 0,022 2,2 0,022 1,9 0,019 mAiV Schirmgitterdurchgriff_ Dp 5,55 5,55, 5,55 % Schirmgitterverstérkungs- faktor Hoejot 18 18 18 Innenwiderstand Ri 14>10 10 >10 09>10 MQ Aquivolenter Rauschwiderstand re 68 62 46 kQ. Grenzwerte: Diodenspannung in Sperrichtung Ua sperr max 350 v Diodenstrom je Diode 14 max 0,8 mA Diodenstromeinsatz Use O12. 1,3 Vv (lg = 0,3 pA) Anodenkaltspannung Ua. max 550 v Anodenspannung Us max 300 v Anodenbelastung No mox 15 w Schirmgitterkaltspannung U gat max 550 Vv Schirmgitterspannung (lo =5 mA) Uge max 125 v (lo S 2,5 mA) Ug2 mox 300 v Schirmgitterbelastung Noo mox 0,3 Ww Gitterableitwiderstand bei automatischer (durch Ri) oder halb- ‘automatischer Gittervor- spannungserzeugung Rg) max 3 MQ. bei Vorspannungs- erzeugung nur durch Rg Rg max <20 MQ Gitterstromeinsatz Ugie 1,3 v (lst S 0,3 pA) Katodenstrom tk max 10 mA Spannung zwischen Faden und Katode Usk mox ore ng M AuBenwiderstand zwischen Faden und Katode Rik mox 20 kQ Kapazitiiten: Eingang Ce 42 pF Ausgang Ca 49 pF
Diode | —Katode Ca ik 22 pF Diode Il — Katode Caulk 2,35 pF Diode | —- Diode Il Ca tjait S035 pF Gitter 1 — Anode Cot /o < 0,0025 pF Diode | — Gitter1 Cd Ijgt < 0,0008 pF Diode Il — Gitter 1 autjs < 0,001 pF Diode |— Anode Cate < 02 pF Diode Il —- Anode Silja < 0,05 pF Gitter 1 — Faden Con/t < 007 pF NenngrdBe: 50 (nach DIN 41 539) Sockel: 9stiftiger Miniatursockel (Noval) Gewicht: ca. 16 g Alle mager gedruckten Werte, soweit nicht als Grenzwerte gekennzeichnet, sind ,,ca.-Werte", Hierzu gehéren die ,,Allgemeinen Betriebsbedingungen". Warennummer 36 65 62 00 Abschirmung und Halterung fiir NenngréBe 50: Hersteller: Gebr. Kleinmann, Berlin-Lichtenberg, WeitlingstraBe 70 Bezugsméglichkeiten fiir Empfangerréhren im Bereich der Deutschen Demokratischen Republik: Direktverkehr mit den Betrieben der volkseigenen und ihr gleichgestellten Wirtschaft, Fir Handelsorganisationen, Privatbetriebe und Reparaturwerkstétten Uber die DHZ-Niederlassungen Elektrotechnik, Exportinformotion: DIA Deutscher Innen- und AuBenhandel, Elektrotechnik, Berlin C 2, Liebknechtstrabe 14 — Telegromme: Diaelektro — Ruf: 5172 83, 51 72 85/86 Zentrales Absatzkontor der Réhrenwerke der DDR, Berlin-Oberschéneweide, Ostend- strade 1-5 ~ Telegramme: Oberspreewerk — Ruf: 632161 und 632011 ~ Fernschreiber: WE Berlin 1302. Ausgabe Februor 1956 Anderungen vorbehalten Alle frdheren Ausgaben sind ungiiltig V77- Ag 2065/55
zum Empfangerrdhren-Katalog Ausgabe Februar 1956 Type DF 167 unter *) muS es Bis zur vélligen Angleichung an heiBen: die internationalen Daten fibrt die Réhre die Bezeichnung DF 167 statt DF 67 Type E/UBF 80 unter Kapazitaten Cgife 0.0025 pF; cqiyg) 0,0908 pF; muB es heiBen: Caltgt 0.001 pF; (die << Zeichen entfallen) Type FC 84 unter Grenzwerte Gitterstromeinsatz Uge —1,3 V muB es heiBen: stait - 0,3 V Type EF 86 unter Grenzwerte: Sponnung zwischen Faden und Katode Us/k andern in U 9 mox Type E/IL 861 unter Heizung muB Heizstrom 375 + 20 mA es heiBen: statt 230 + 20 mA