DDB6U104N16RR EUPEC | Alldatasheet
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Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...T vj max VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) IFRMSM 60 A RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom TC = 100°C Id 105 A output current Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, t p = 10ms IFSM 650 A surge forward current Tvj = Tvj max, t p = 10ms 550 A Grenzlastintegral Tvj = 25°C, t p = 10ms I²t 2100 A²s I²t-value Tvj = Tvj max, t p = 10ms 1500 A²s IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C IC 50 A DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom tp = 1ms ICRM 100 A repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung TC = 25°C Ptot 350 W total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung VGE ± 20 V gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung VRRM 1200 V repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom TC = 80°C IF 25 A DC forward current Periodischer Spitzenstrom tp = 1ms IFRM 50 A repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 2,5 kV insulation test voltage NTC connected to baseplate Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max. Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 100A vF 1,30 V forward voltage Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,75 V threshold voltage Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 5,5 mΩ forward slope resistance Sperrstrom Tvj = Tvj max, v R = VRRM iR 5 mA reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip TC = 25°C RAA\+KK\ 1 mΩ lead resistance, terminals-chip prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000 approved by: Lothar Kleber revision: 1 BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 A 33/00 Seite/page 1(12)
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Tvj = 25°C, i C = 50A, v GE = 15V vCE sat 2,10 2,80 V collector-emitter saturation voltage Tvj = 125°C, i C = 50A, v GE = 15V 2,5 Gate-Emitter-Schwellspannung Tvj = 25°C, i C = 2mA, v GE = v CE vGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V gate-emitter threshold voltage Eingangskapazität Tvj = 25°C, f 0 = 1MHz, Cies 3,3 nF input capacitance v CE = 25V, v GE = 0V Kollektor-Emitter Reststrom Tvj = 25°C, v CE = 1200V, v GE = 0V iCES 0,8 1 mA collector-emitter cut-off current Tvj = 125°C, v CE = 1200V, v GE = 0V 4,0 Gate-Emitter Reststrom Tvj = 25°C, v CE = 0V, v GE = 20V iGES 500 nA gate leakage current Emitter-Gate Reststrom Tvj = 25°C, v CE = 0V, v EG = 20V iEGS 500 nA gate-leakage current Schnelle Diode / Fast diode Durchlaßspannung Tvj = 25°C, i F = 25A vF 1,7 2,20 V forward voltage Tvj = 125°C, i F = 25A 1,6 Sperrverzögerungsladung iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, v R = 600V Qr recovered charge Tvj = 25°C 2,3 µAs Tvj = 125°C 6,0 µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect RthJC max. 1,08 °C/W Transistor / Transistor, DC max. 0,38 °C/W Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 1,00 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand Gleichrichter / Rectifier RthCK max. 0,25 °C/W thermal resistance, case to heatsink Transistor / Transistor max. 0,24 °C/W Schnelle Diode / Fast diode max. 0,30 °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 150 °C max. junction temperature Betriebstemperatur Tc op - 40...+150 °C operating temperature Lagertemperatur Tstg - 40...+150 °C storage temperature BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 2(12)
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 4 case, see appendix page 4 Innere Isolation Al2O3 internal insulation CTI 225 V comperative tracking index Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 4 Nm mounting torque Gewicht G typ. 185 g weight Kriechstrecke 12,5 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand TC = 25°C R25 5 kW rated resistance R100 = 493Ω ± 5% Verlustleistung TC = 25°C P25 max. 20 mW power dissipation B-Wert R2 = R1 exp [B(1/T 1 - 1/T2)] B25/50 3375 K B-value Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 3(12)
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 4(12)
Technische Information / Technical Information DD B6U 104 N 16 RR N B6 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC, Netz-Diode Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC, rectifier diode Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 0,4063 0,3034 0,0497 0,0309 0,0300 0,0190 0,0140 0,0003 14. Dez 00 Seite/page 5(12) Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT [ ]R C Wthn ° / [ ]τn s max n n t thnthJC neRZFunktioneAnalytisch t
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 6(12) Tvj = 150°C 100 120 140 160 180 200 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 vF [V] iF [A]
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(Id) Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 7(12) B2: 180° sin B6: 120° rect 100 110 120 130 140 150 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 Id [A] TC [°C]
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax ; vR = 0,5VRRM; vRM = 0,8VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 8(12) 20A 50A 200A 100 1000 1 10 100 - di/dt [A/µs] Qr [µAs]
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter ZthJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Q BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 9(12) 180° rect 120° rect 60° rect 180° sin DC 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00 1,20 1,40 0,001 0,01 0,1 1 t [s] ZthJC [°C/W]
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) iC = f(vCE), vGE = 15V BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 10(12) Tvj = 25°C Tvj = 125°C 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 vCE [V] iC [A]
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical) iF = f(vF) BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 11(12) Tvj = 25°CTvj = 125°C 0 0,5 1 1,5 2 2,5 vF [V] iF [A]
Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T) BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 12(12) 0,1 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 T [°C] R [kΩ ]