DD800S33K2C INFINEON | Alldatasheet
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TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:MW approvedby:EO dateofpublication:2016-06-17 revision:V3.0 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C VRRM 3300 3300 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 800 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 1600 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 220 kA²s Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C PRQM 1600 kW Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V VF 2,80 2,80 3,50 3,50 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) VR = 1800 V VGE = -15 V IRM 1100 1300 A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) VR = 1800 V VGE = -15 V Qr 500 900 µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) VR = 1800 V VGE = -15 V Erec 490 1150 mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 26,0 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 12,0 K/kW TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:MW approvedby:EO dateofpublication:2016-06-17 revision:V3.0 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6,0 kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 2,6 kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D 1800 V MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate AlSiC InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AlN Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,2 32,2 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,1 19,1 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 min. typ. max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proModul/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 6,00 K/kW Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 25 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,34 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 1,8 8,0 2,1 Nm Nm Gewicht Weight G 1000 g Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ800R33KF2C Modul. Dynamic data valid in conjunction with FZ800R33KF2C module.
TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:MW approvedby:EO dateofpublication:2016-06-17 revision:V3.0 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω ,VCE=1800V IF [A] E [mJ] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Erec, Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=1800V RG [Ω ] E [mJ] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112131415161718 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Erec, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 100 ZthJC : Diode ri[K/kW]: τi[s]: 11,7 0,03 6,5 0,1 1,56 0,3 6,24
TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:MW approvedby:EO dateofpublication:2016-06-17 revision:V3.0 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C VR [V] IR [A] 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IR, Modul
TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:MW approvedby:EO dateofpublication:2016-06-17 revision:V3.0 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module preparedby:MW approvedby:EO dateofpublication:2016-06-17 revision:V3.0 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved. Nutzungsbedingungen WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. Terms&Conditionsofusage IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcan reasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.