DD500S33HE3 INFINEON | Alldatasheet
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Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2 www.infineon.com 2016-12-06 DD500S33HE3 IHM-BModul IHM-Bmodule VCES = 3300V IC nom = 500A / ICRM = 1000A TypischeAnwendungen TypicalApplications
- •Mittelspannungsantriebe Mediumvoltageconverters
- •Motorantriebe Motordrives
- •Traktionsumrichter Tractiondrives
- •USV-Systeme UPSsystems
- •Windgeneratoren Windturbines ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
- •GroßeDC-Festigkeit HighDCstability
- •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
- •AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- •GehäusemitCTI>600 PackagewithCTI>600
- •IHMBGehäuse IHMBhousing
- •IsolierteBodenplatte Isolatedbaseplate ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V3.2 2016-12-06 DD500S33HE3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C VRRM 3300 3300 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 500 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 1000 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 65,0 61,0 kA²s kA²s Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C PRQM 800 kW Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 500 A, VGE = 0 V IF = 500 A, VGE = 0 V IF = 500 A, VGE = 0 V VF 3,10 2,75 2,65 3,85 3,25 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 1800 V VGE = -15 V IRM 500 600 625 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 1800 V VGE = -15 V Qr 225 450 525 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 1800 V VGE = -15 V Erec 225 550 650 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 43,1 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 16,5 K/kW TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 3 V3.2 2016-12-06 DD500S33HE3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6,0 kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC VISOL 2,6 kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D 2100 V MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate AlSiC Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,2 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,1 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 600 min. typ. max. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 18 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RAA'+CC' 0,37 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 150 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 1,8 8,0 2,1 Nm Nm Gewicht Weight G 800 g Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ500R33HE3 Modul. Dynamic Data valid in conjunction with FZ500R33HE3 module.
Datasheet 4 V3.2 2016-12-06 DD500S33HE3 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Tvj = 150°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω ,VCE=1800V IF [A] E [mJ] 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=500A,VCE=1800V RG [Ω ] E [mJ] 0 4 8 12 16 20 24 28 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 100 ZthJC : Diode ri[K/kW]: τi[s]: 6,197 0,004 15,481 0,047 13,442 0,319 8,003 9,255
Datasheet 5 V3.2 2016-12-06 DD500S33HE3 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C VR [V] IR [A] 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 200 400 600 800 1000 1200 IR, Modul
Datasheet 6 V3.2 2016-12-06 DD500S33HE3 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™ TrademarksupdatedNovember2015 OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2016-12-06 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2016InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.