DB3 DIOTEC | Alldatasheet
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Technical content
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 420 01.10.2002 DB 3, DB 4 Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC) Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC) Breakover voltage 28 ... 45 V Durchbruchsspannung Peak pulse current ± 2 A Max. Triggerimpuls Glass case DO-35 Glasgehäuse SOD-27 Weight approx. 0.13 g Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm Standard packaging taped in ammo pack see page 16 Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16 Maximum ratings Grenzwerte Power dissipation – Verlustleistung T A = 50 /g47CP tot 150 mW 1) Peak pulse current (120 pulse repetition rate) t P /g35 10 /g58sI PM ± 2 A 1) Max. Triggerstrom (120 Impulse) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T j – 40…+100 /g47C Storage temperature – Lagerungstemperatur T S – 40…+150 /g47C Characteristics Kennwerte Breakover voltage dV/dt = 10V/ /g58sD B 3 V BO 28 ... 36 V Durchbruchspannung DB 4 V BO 35 ... 45 V Breakover current – Durchbruchstrom V = 98 % V BO IBO < 200 /g58A Asymmetry of breakover voltage *V(BO)F - V(BO)R* /g41VBO < 3.8 V Unsymmetrie der Durchbruchspannug Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung dV/dt = 10V/ /g58s /g41VF/R > 5 V /g41I = IBO to/auf IF = 10 mA Thermal resistance junction to ambient air R thA < 60 K/W 1) Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
42101.10.2002 Typical characteristic of a DIAC – Typische DIAC-Kennlinie Test circuit for a thyristor trigger – Meßschaltung für Thyristor-Zündschaltung DB 3, DB 4