DAN803_08 DIOTEC | Alldatasheet
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DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW) DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW) Small Signal Diode Arrays Diodensätze mit Allzweckdioden Version 2008-06-06 Dimensions - Maße [mm] Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 80 V 9-pin Plastic case 9-Pin Kunststoffgehäuse 24 x 3.5 x 6.6 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton “DAN” / DA4148“K“ common cathodes / gemeinsame Kathoden “DAP” / DA4148“A“ common anodes / gemeinsame Anoden Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) DAN803 = DA4148K 80 80 DAP803 = DA4148A 80 80 Max. average forward rectified current, R-load for one diode operation only for simultaneous operation TA = 25°C IFAV IFAV 100 mA 2) 25 mA 2) Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden TA = 25°C IFAV IFAV 100 mA 2) 25 mA 2) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 500 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 6.6 Ø 0.5 3.5 3.5 Type / Typ 8 x 2.54 24±0.2 9842 6 7531 9842 6 7531
DAN803 / DAP803 / DA4148A/K (200 mW) Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 10 mA VF < 1.0 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 20 V IR < 25 nA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to IR = 1 mA trr < 4 ns Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 85 K/W 2) Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF 10-4 10-3 10-2 10-1 T = 25°Cj T = 125°Cj