DAN803 DIOTEC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
1) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 366 28.02.2002 DAN 803 / DAP 803 / DA 4148A/K (200 mW) Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden Nominal power dissipation 200 mW Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage 80 V Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case 24 x 3.5 x 6.6 [mm]
9 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. Gewicht ca. 0.6 g Dimensions / Maße in mm Standard packaging: bulk see page 22 Standard Lieferform: lose im Karton s. Seite 22 "DAP": common anodes / gemeinsame Anoden "DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden "DA4148A": common anodes / gemeinsame Anoden "DA4148K" : common cathodes / gemeinsame Kathoden Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] DAN 803 = DA 4148 K 80 80 DAP 803 = DA 4148 A 80 80 Max. average forward rectified current, R-load, T A = 25/g47C for one diode operation only I FAV 100 mA 1) per diode for simultaneous operation I FAV 25 mA 1) Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, T U = 25/g47C für eine einzelne Diode I FAV 100 mA 1) pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb I FAV 25 mA 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T A = 25/g47CI FSM 500 mA Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
1) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 36728.02.2002 DAN 803 / DAP 803 / DA 4148A/K (200 mW) Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T j 50 +150/g47C Storage temperature Lagerungstemperatur T S 50 +150/g47C Characteristics Kennwerte Forward voltage T j = 25/g47CI F = 10 mA V F < 1.0 V Durchlaßspannung Leakage current T j = 25/g47CV R = 20 V I R < 25 nA Sperrstrom Reverse recovery time I F = 10 mA through/über t rr < 4 ns Sperrverzug I R = 10 mA to/auf IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air R thA < 85 K/W 1) Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft