D758N EUPEC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 4
Technical content
Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 758 N VWK July 1996 max. 7 Kathode Cathode Anode ø3,5 x 2 tief / depth beidseitig / on both sides +0.1 8,5 1,1 ø 23 ø 23 19,5 1,1 European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... tvj max VRRM 200, 400 V 600, 800 * V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... tvj max VRSM = VRRM + 50 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM 1195 A Dauergrenzstrom mean forward current tc = 115 °C IFAVM 760 A 1) tc = 130 °C 630 A Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 10,3 kA tvj = tvj max, tp = 10 ms 8,8 kA Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t 530,45 kA2s tvj = tvj max, tp = 10 ms 387,2 kA2s Charakteristische Werte Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iF = 2,3 kA VT max. 1,45 V Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 0,70 V Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT 0,31 mΩ Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, VR = VRRM iR max. 20 mA Thermische Eigenschaften Thermal properties Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin RthJC max. 0,067 °C/W to case beidseitig/two sided, DC max. 0,063 °C/W Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,104 °C/W Anode/anode, DC max. 0,100 °C/W Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,174 °C/W Kathode/cathode, DC max. 0,170 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided RthCK max. 0,015 °C/W einseitig /single-sided max. 0,030 °C/W Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 180 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 21 mm Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T F 3,8...7,6 kN Gewicht weight G typ. 75 g Kriechstrecke creepage distance 25 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s2 Maßbild outline Seite/page * Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request
0 0,5 1,0 1,5 2,0 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0 1 2 3 4 5 6 D758N_4 0 0,1 0,2 0,3 D758N_6 0 0,1 0,2 0,3 D758N_5 1a 1b+ D758N_1 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 7 8 9 10 [kA] IF(0V)M IF(0V)M [kA] (normiert) i²dt ⌠⌡ IF(0V)M vR IF(0V)M vR t [s] vF [V] t [s] [kA]iF t [ms]p Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t ∫i²dt = f(tp) tvj = 180 °C tvj = 25 °C Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic iF = f (vF) Bild / Fig. 3 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 760 A; tC = 115 °C; tvj = 180 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM Bild / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 760 A; tC = 115 °C; tvj = 180 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM D 758 N
0,02 0,04 0,06 0,08 D758N_3 T Θ Θ T D758N_7 1 10 1000,1 iFM [A] 400 200 100 800 D758N_2 0,20 0,15 0,10 0,05 10-3 10-2 10-1 100 10 1 102 [µAs] Qr Z(th)JC [°C/W] [°C/W] thJC ΔR -diF /dt [A/µs] t [s] Θ [°el] 103 102 T Θ Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform Bild / Fig. 6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt) tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9 Ω Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM nmax n=1 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Bild / Fig. 7 Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling ZthJC = Rthn(1-EXP(-t/τn))Σ D 758 N Kühlg. Cooling Pos. n Rthn °C/W τn [s] Rthn °C/W τn [s] Rthn °C/W τn [s] 1 2 3 4 5 6 7 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 0,000110 0,00002 0,000096 0,000017 0,000048 0,000009 0,00193 0,000245 0,0018 0,000243 0,002232 0,00024 0,00751 0,00181 0,006464 0,0014 0,00673 0,00172 0,03415 0,0569 0,0118 0,0278 0,0387 0,0543 0,0193 0,377 0,03744 0,103 0,00929 0,556 Analytische Funktion / Analytical function 0,0213 1,26 0,113 3,41 0,0211 5,2