D658S10

D658S10 EUPEC | Alldatasheet

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Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 658 S 10...14 S Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 25°C...Tvj max VRRM 1000 V repetitive peak forward reverse voltage 1200 V 1400 V Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1100 V non-repetitive peak reverse voltage 1300 V 1500 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert IFRMSM 1400 A RMS forward current Dauergrenzstrom TC =100°C IFAVM 658 A mean forward current TC =71°C 900 A Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 12200 A surge foward current Tvj = Tvj max, tp = 10 ms 10100 A Tvj = 25°C, tp = 1 ms 25750 A Tvj = Tvj max, tp = 1 ms 21300 A Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 744200 A²s Tvj = Tvj max, tp = 10ms 510050 A²s Tvj = 25°C, tp = 1ms 331530 A²s I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 1ms 226850 A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 2700 A vF max. 2,25 V forward voltage Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 1 V threshold voltage Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 0,45 mΩ forward slope resistance Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 VFRM typ 2,9 V 1) typical value of forward recovery voltage Tvj = Tvj max diF/dt=50A/µs, vR=0V Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II tfr typ 5 µs 1) forward recovery time Tvj = Tvj max, iFM=2700A diF/dt=50 A/µs, vR=0V Sperrstrom Tvj = 25°C, vR=VRRM iR max. 20 mA reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM max. 200 mA Rückstromspitze DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max IRM 87 A 1) peak reverse recovery current iFM =900A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max Qr 285 µAs 1) recovered charge iFM =900 A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max trr 4,5 µs 1) reverse recovered time iFM =900A,-diF/dt=50A/µs vR=100 V; vRM<=200V Sanftheit Tvj = Tvj max SR µs/A 2) Softness iFM =A,-diF/dt=A/µs vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM 1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) SZ-M / 17.02.87 Seite/page 1

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 658 S 10...14 S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Θ =180°sin max. 0,044 °C/W beidseitig / two-sided, DC max. 0,041 °C/W Anode / anode, Θ =180°sin max. 0,073 °C/W Anode / anode, DC max. 0,070 °C/W Kathode / cathode, Θ =180°sin max. 0,103 °C/W Kathode / cathode, DC max. 0,100 °C/W Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCK thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0075 °C/W einseitig / single-sided max. 0,015 °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 150 °C max. junction temperature Betriebstemperatur Tc op -40...+150 °C operating temperature Lagertemperatur Tstg -40...+150 °C storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 30mm Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft F 6...14,5 kN clamping force Gewicht G typ. 100 g weight Kriechstrecke 17 mm creepage distance Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification Schwingfestigkeit f = 50Hz 5x9,81 m/s² vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 17.02.87 Seite/page 2

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 658 S 10...14 S SZ-M / 15.08.78 Seite/page 3

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 658 S 10...14 S Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig Rthn [°C/W] 0,00009 0,00256 0,00415 0,0142 0,02 two-sided τ n [s] 0,000194 0,000683 0,00404 0,0641 0,336 anodenseitig Rthn [°C/W] 0,00009 0,00263 0,00469 0,0227 0,0385 anode-sided τ n [s] 0,000194 0,000689 0,00459 0,1 3,059 kathodenseitig Rthn [°C/W] 0,00009 0,00265 0,00456 0,0187 0,0052 cathode-sided τ n [s] 0,000194 0,000692 0,00462 0,0841 1,171 n max Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = = ∑ Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn )) n=1 SZ-M / 08.05.85 Seite/page 4 0,0688 2,458 0,00139 8,731

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 658 S 10...14 S Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) Tvj = T vj max SZ-M / 04.02.87 Seite/page 5 500 1.000 1.500 2.000 2.500 3.000 3.500 4.000 0,5 1 1,5 2 2,5 3 vF [V] iF [A]

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