D3501N

D3501N EUPEC | Alldatasheet

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N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D 3501N BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 1/8 Seite/page Kenndaten Elektrische Eigenschaften Elektri sch e Eig enschaften / Electrical properti es Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues Periodische Rüc kwärts-S pitzensperrspannung repetiti ve peak reverse voltages Tvj = -40°C... Tvj m ax V RRM 3200 4000 3600 4200 V V Periodische Rüc kwärts-S pitzensperrspannung repetiti ve peak reverse voltages Tvj = 0°C... Tvj m ax V RRM 3300 4100 3700 4300 V V Durchlaßstrom-Grenzeffek tivw ert ma xi mu m RMS o n-stat e curre nt I FRMSM 8200 A Dauergrenzstrom average on-state c urrent TC = 100 °C TC = 60 °C IFAVM 3690 5220 A A Stoßstrom-Grenz wert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj m ax, tP = 10 ms IFSM 63000 56000 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj m ax, tP = 10 ms I²t 19850 15680 10³ A²s 10³ A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-stat e voltage Tvj = Tvj m ax , iF = 4000 A vF typ. ma x. 1,2 1,27 V V Schleus ens pannung threshold voltage Tvj = Tvj m ax V (TO) typ. ma x. 0,700 0,734 V V Ersatzwi derstand slope resist anc e Tvj = Tvj m ax r T typ. ma x. 0,125 0,134 mΩ mΩ A 0,5994 B 2,898E-5 C -0,02377 typ. D 0,01088 A 0,5978 B 3,158E-5 C -0,01954 Durchlaßkennlinie 1500A ≤ iF ≤ 4000A on-stat e c haract eristic T vj = Tvj m ax ma x. D 0,01114 Rückw ärts-Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj m ax, vR = VRRM i R max. 100 mA prepar ed by: C. Schneider dat e of publication: 2005-04-15 approved by: J. Przybilla rev ision: 5 TTTF iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D 3501N BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 2/8 Seite/page Thermische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften Elektri sch e Eig enschaften / Electrical properti es Charakteristische Werte / Characteristic values Sperr verzögerungsladung recovered charge VR = 1000V, Tvj = Tvj m ax C = 4,7µF, R = 8,2Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs Qr max. 7,2 mAs Rückstr omspitze peak reverse r ecover y c urrent VR = 1000V, Tvj = Tvj m ax C = 4,7µF, R = 8,2Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs IRM max. 200 A Sperr verzögerungsladung recovered charge VR = 100V, Tvj = Tvj m ax C = 4,7µF, R = 8,2Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs Qr typ. 5,1 mAs Rückstr omspitze peak reverse r ecover y c urrent VR = 100V, Tvj = Tvj m ax C = 4,7µF, R = 8,2Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs IRM typ. 155 A Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmew iderstand thermal resistance, junc tion to c ase Kühlfläc he / cooling surfac e beids eitig / two-sided, θ = 180°sin beids eitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / c at hode, DC R thJ C ma x. ma x. ma x. ma x. 0,0092 0,0085 0,0149 0,0198 °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewi derstand thermal resistance, case to heatsi nk Kühlfläc he / cooling surfac e beids eitig / two-sided einseitig / single-sided R thC H ma x. ma x. 0,0025 0,005 °C/W °C/W Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur maxi mum junction temperat ure T vj m ax 160 °C Betriebs temperatur operating temperat ure T c op -40...+160 °C Lagertemperatur storage t emperat ure T st g -40...+160 °C Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties Gehäuse, siehe Anlage case, s ee annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druc kkont akt Si-pellet with press ure contac t 76DNE42 Anpress kraft clampi ng force F 36.. .52 kN Gewic ht weig ht G typ. 1700 g Kriechstrecke creepage distance 40 mm Schw ingfestigkeit vibration r esistanc e f = 50 Hz 50 m/s²

N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D 3501N BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 3/8 Seite/page Maßbild 1: Anode/Anode 2: Kathode/Cathode

N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D 3501N BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 4/8 Seite/page R,t – Werte R R,T-Werte Analytische Elem ente des transienten Wärm ewid erstandes Z thJC Analytical elem ents of transient thermal imped ance Z thJC Pos . n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,0032 0,00278 0,00158 0,00076 0,00018 beidseitig two-s ided τn [s] 1,472 0,186 0,049 0,0075 0,0025 Rthn [°C/W] 0,00928 0,00025 0,00371 0,00101 0,00065 anodens eitg anode-s ided τn [s] 7,8 0,663 0,149 0,0244 0,00484 Rthn [°C/W] 0,01433 0,00013 0,00324 0,00136 0,00074 k athodens eitig cathode-s ided τn [s] 7,7 1,205 0,18 0,035 0,0055 Analytische Funktion / Analytical function: Σ −= τ ma xn n=1 thnthJC n e1RZ 0,0 02 0,0 04 0,0 06 0,0 08 0,0 1 0,0 12 0,0 14 0,0 16 0,0 18 0,0 2 0 ,00 1 0,0 1 0 ,1 1 10 10 0 t / [sec.] Z (t h) JC / [ K/ W d k a Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z th JC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D 3501N BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 5/8 Seite/page Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max

N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D 3501N BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 6/8 Seite/page Tc beidseitig Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 4,7µF, R = 8,2 Ω

N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Datenblatt / Data sheet D 3501N BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 7/8 Seite/page Ta bei Sinus Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 4,7µF, R = 8,2 Ω

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