D1461S3545T

D1461S3545T EUPEC | Alldatasheet

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Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max VRRM 3500, 4000 4500 V Stoßspitzensperrspannung non-repetetive peak reverse voltage tvj = +25°C ... tvj max VRSM 3600, 4100 4600 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM 2700 A Dauergrenzstrom mean forward current tC = 85°C, f = 50Hz tC = 70°C, f = 50Hz IFAVM 1460 1720 A A Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM 32 kA Grenzlastintegral t-value tvj = tvj max, tp = 10ms I2 t 5,12-106 s Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten repetitive decay rate of on-state current at turn-of iFM = 3000A, vR = 0,67 VRRM CS = 3µF, RS = 4Ω DS = D291S45T (-diF/dt)com 500 A/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage failure rate λ < 100 estimate value VR(D) typ. 2000 V Durchlaßspannung forward voltage tvj = tvj max, iF = 2500A vF max 2,5 V Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max V(TO) 1,43 V Ersatzwiderstand forward slope resistance tvj = tvj max rT 0,38 mΩ Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs VFRM typ. 45 V Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR 200 mA Rückstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5Ω IRM max 840 A Sperrverzögerungsladung recovered charge tvj = tvj max iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5Ω Qr max 2800 µAs

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC RthJC max max max 0,0125 0,0228 0,0277 °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided RthCK max max 0,003 0,006 °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 140 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+140 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Anpreßkraft clampig force F 27...45 kN Gewicht weight G typ 850 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Luftstrecke air distance 20 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Outline Drawing 26+-0.5 Æ 100 max Æ 62,8 C A 2 center holes Æ 3.5 ´1.8

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S On-State Characteristics ( v F ) Upper limit of scatter range ¾ t vj = 140 ° C typ. max. 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 0,00 0,50 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 VF / [V] IF / [ A ]

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Transient thermal Impedance for constant-current Double side cooled Anode side cooled Cathode side cooled r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s] 1 0,0038 2 0,0141 9,2 0,019 7,9 2 0,004 0,202 0,004 0,202 0,004 0,202 3 0,0029 0,103 0,0029 0,103 0,0029 0,13 4 0,0012 0,0115 0,0012 0,0115 0,0012 0,0115 5 0,0006 0,00245 0,0006 0,00245 0,0006 0,00245 Σ 0,0125 - 0,0228 - 0,0277 - Double side Anode side Cathode side 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035 0,04 0,045 0,05 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t / [sec.] Z (th) JC / [K/W] ( )Z R ethJC thn t n n n= ⋅ − − =∑ 11 /max t

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp ) I²t value i2 dt = f ( tp ) Sine half-wave, t vj =140 ° C , v R = 0 1,E+03 1,E+04 1,E+05 0,1 1 10 100 Time / [ms] 1,E+05 1,E+06 1,E+07 i²dt / [A²s]

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Reverse Recovery Current IRM = f ( - di/dt ) Upper limit of scatter range Conditions : tvj = 140 ° C Parameter: IFM Cs = 3 µF, Ds = D291S45T VR >= 1000 V 100A 300A 500A 1000A 3000A 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] IRM / [A]

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Reverse Recovery Charge Qrr = f ( - di/dt ) Upper limit of scatter range Conditions: tvj = 140 ° C Parameter: IFM Cs = 3 µF, Ds = D291S45T VR >= 1000 V 100A 300A 500A 1000A 3000A 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] QRR / [µAs]

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt ) Standard value for diodes with VT(T0) = 1,43 V, rT = 0,38 mΩ Conditions: tvj = 140 ° C Parameter: IFM Cs = 3 µF, Ds = D291S45T VR = 2000 V - - - - VR = 3000 V ____ 100A 300A 500A 1000A 3000A 0,5 1,5 2,5 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] WOFF / [WS]

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt ) Standard value for diodes with VT(T0) = 1,12 V, rT = 0,39 mΩ Conditions: tvj = 140 ° C Parameter: IFM Cs = 3 µF, Ds = D291S45T VR = 2000 V - - - - VR = 3000 V ____ 100A 300A 500A 1000A 3000A 0,5 1,5 2,5 0 100 200 300 400 500 600 di/dt / [A/µs] WOFF / [Ws]

Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1461 S 35 ... 45 T SZ-M / 16 June 1997, Beuermann Seite/page S Typical Peak Forward Recovery Voltage VFRM = f (diF/dt) linear di/dt Parameter tvj 25°C 140°C 0 100 200 300 400 500 600 700 800 di/dt / [A/µs] VFRM / [V]

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