CS6583 SEMICO | Alldatasheet
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MOS 电路 CS6583 非隔离降压型 LED 恒流驱动电路 本资料适用范围：CS6583BBO/CS6583BO/CS6583CBO/CS6583DBO/CS65L83BP 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第1 页 共9 页 1、概述 CS6583 是一款单电感非隔离降压型 LED 恒流驱动电路 ，工作在电感电流临界连续 模式下。适用于 85Vac~265 Vac 全电压输入范围 。电路的工作电流极低 ，只需要很少的 外围元件 。在较大的范围内 ，系统的输出电流 与电感量无关 。电路具有 优异的线性调整 率和负载调整率 ，降低系统成本 。 CS6583 的主要应用于 LED 蜡烛灯、LED 球泡灯及其它 LED 照明领域 。 其特点如下 ：
- 单电感非隔离降压结构
- 超低工作电流
- 宽输入电压
- 内部集成 500V 高压功率 MOSFET
- ±5% LED 输出电流精度
- LED 开路/短路保护
- CS 短路保护
- 过温保护功能
- 封装形式 ：SOP8 （CS6583B BO、CS6583 BO、CS6583C BO、CS6583D BO） ； DIP7 （CS65 L83BP） 2、功能框图与引脚说明 2. 1、功能框图 图 1 功能框图
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第2 页 共9 页 2. 2 、功能描述 CS6583 是 LED 恒流驱动芯片 ，集成 500V 高压功率管 ，无需光耦等次级反馈环路 ， 具有高精度的 LED 恒流输出 ，极大的节约了成本 。电路逐周期检测电感的峰值 电流， CS 外接采样电阻 Rcs，内部与 400mV 阈值比较器连接 。当功率 MOS 管导通时 ，CS 端 的电压随着电感电流的上升而上升 。当 CS 端电压超过 400mV 时，MOS 管关断，电感 开始放电 ，电感电流逐渐下降 。当电路检测到电感电流降为 0 时，内部逻辑控制 MOS 管重新打开 。 2.2.1 、启动和 VDD 欠压保护 系统上电后 ，VDD 电压开始上升 。当 VDD 电压上升到 UVLO 开启电压后 ，系统开 始工作，系统正常工作后 ，VDD 电压需要降低到 UVLO 关断电压以下 ，系统才会停止 工作，实现 UVLO 保护功能 。 2.2.2 、恒流控制 CS65 83 采用 BUCK 架构，工作在临界导通模式 。LED 输出电流计算公式如下 ： CS REF R VIo 2 其中，VREF 为 CS 采样阈值电压 （典型值为 400mV ） RCS 为电感电流采样电阻 2.2.3 、前沿消隐 由于存在寄生电容 ，MOSFET 在导通瞬间 ，会产生一个脉冲电流 。CS6583 内部集 成有前沿消隐功能 ，在 MOSFET 导通的瞬间 ，设计有 350ns 的前沿消隐时间 ，在这段时 间内，电流比较器停止工作 ，避免脉冲电流让电流比较器发生误翻转 ，如下图所示 ： VCS t TLEB=350ns 图 2 前沿消隐
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第3 页 共9 页 2.2. 4、可调阈值 LED 过压保护 CS6583 集成有 LED 过压保护 功能，可以通过设置 VOL 引脚电阻 RVOL 来设置 LED 开路保护电压 。RVOL 和输出空载电压 VOL 之间的关系如下 ： )(1032 6 L ILR O O )(066.0_ usRT VOLMINOFF 其中，L 为电感感值 ，IO 为输出电流大小 ，TOFF_MIN 为最小关断时间 。 2.2. 5、过温保护 为了避免温度过高而损坏器件 ，CS6583 内置过温调节 功能。当温度过高时，逐渐减 小输出电流 ，从而控制输 出功率和温升 ，当温度 高于 150℃时，将关断芯片并锁定 ，直 到 VDD 降到欠压保护关断电压 ，系统重启 。系统会不断检测芯片温度 ，当温度降到 125℃ 以下，系统重启后才能正常工作 。 2.2. 6、CS 采样电阻异常保护电路 CS658 3 集成 CS 采样电阻异常保护 ，当 LED 短路或者 CS 采样电阻开路 /短路发生 时，芯片会立即检查到错误信号 ，关断功率 MOSFET ，并重启系统 。 2. 3、引脚排列图
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第4 页 共9 页 2. 4、引脚说明 与结构原理图 引脚 符 号 功 能 属性 结 构 原 理 图
1 GND 地 P
2 VOL 开路保护电压调节端 ，接电
阻到地 I
3 NC 无连接，悬空
4 VDD 电源 P
5、6 D 内部高压功率管漏极 O 7（8） CS 电流采样端 I 3、电特性 3. 1 、极限参数 除非特别说明 ，Tamb = 25℃ 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 电源电压 VDD -0.3~ 21 V 功率管漏端 VDRAIN -0.3~ 500 V 低压模拟端口 （CS，ZCD） -0.3~7 V 功耗 PDMAX 0.45 （SOP8 ） W 0.9（DIP7 ） W 热阻 θJA 145（SOP8 ） ℃/W 80（DIP7 ） ℃/W 工作温度 TOP -40~105 ℃ 工作结温 TJ -45~150 ℃ 储存温度 TSTG -65~150 ℃ ESD（HBM 模型） 4 kV
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第5 页 共9 页 3. 2、电特性 除非特别说明 ，Tamb = 25℃ 符 号 参 数 条 件 最小 典型 最大 单位 电源部分 VDD_CLAMP VDD 钳位电压 1mA 17 V VDD_ON VDD 启动电压 VDD 上升 14 V VDD_UVLO 电路欠压保护阈值 VDD 下降 9 V IST 电路启动电流 VDD=VDD_ST -1V 115 180 μA IOP 静态工作电流 FOP=70kHz 95 150 μA 电流采样部分 VCS_TH 电流检测阈值 396 400 416 mV TLEB 前沿消隐时间 350 ns TDELAY 电路关断延迟 220 ns 内部时间控制 TOFF_MAX 最大退磁时间 250 s TON_MAX 最大导通时间 45 s VOL VOL 引脚电压 0.5 V 过温保护 TSD 热关断温度 150 ℃ TSD_HYS 过热保护迟滞 25 ℃ 功率 MOS 管 VBV 功率管击穿电压 Vgs=0 ，IDS=250 A 500 V IDISS 功率管漏电流 Vgs=0 ，VDS=500V 1 A RON 导通电阻 VDD=16V ID=0.4A CS6583 BBO 14 18 Ω VDD=16V ID=0.5A CS6583 BO 10 14 Ω VDD=16V ID=0.5A CS6583 CBO 8.5 12.5 Ω VDD=16V ID=1A CS6583 DBO 5 9 Ω VDD=16V ID=1A CS65L83 BP 5 9 Ω
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第6 页 共9 页 4、典型应用线路图 和应用说明 4. 1、典型应用线路 图 4. 2、应用说明 4. 2. 1 、PCB 布线注意事项 1、VDD 引脚的旁路电容需紧贴其芯片引脚和 GND 管脚。 开路保护电压设置电阻 Rvol 需尽量靠近芯片的 VOL 管脚。 2、CS 端采样电阻的功率地线需尽可能短 ，且要和芯片的地线及其他小信号线采用 星型接地法接到母线电容的地端 。 3、需尽量减小大电流环路的面积 ，如电感、功率管的环路面积 ，以减小 EMI 辐射。 4、NC 引脚尽量悬空以保证芯片引脚间满足爬电距离 。 5、为增加抗干扰能力 ，芯片 VOL 端可以用地线露铜包围 VOL 电阻，芯片底部走 地线露铜 。尤其是 IC 使用红胶工艺时 ，IC 下面屏蔽线露铜能够有效的防止 IC 底部红胶漏电或吸附杂质导致强电侧向弱电侧漏电问题 。 4. 2. 2 、生产加工注意事项 1、为防止因天气潮湿导致驱动板工作异常 ，PCB 板请避免使用纸基板 、廉价阻燃 板或其它吸水率高的板材 ，建议选用吸水率低的玻纤板或其它吸水率低的优质板 2、若在生产过程中已使用吸水率 高的板材，请按照以下步骤进行防潮措施 ，以降 低因驱动板受潮带来的驱 动工作异常的风险 。 1） 、生产过程中请用使用吸水 率低的助焊剂 ； 2） 、驱动板完成焊接后需进行清洗 ，清洗后作烘干处理 ； 3） 、烘干后对整个驱动板刷三防漆 ，刷完以后进行烘干处理 。
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第7 页 共9 页 5、封装尺寸与外形图 （单位：mm） 5. 1、CS6583 BBO/BO/CBO/DBO 5. 2、CS65L83 BP
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第8 页 共9 页 A2 6.33 6.38 6.43 F 2.54 A3 7.52 7.62 7.72 G 0.25 B2 9.20 9.25 9.30 R 0.20 C 5.57 M1 9 10 11 D 1.52 M2 11 12 13 产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 部件名称 有毒有害物质或元素 （Cr 多溴联苯 （PBB） 多溴联苯 醚（PBDE） 说明 ○：表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363 -2006 标准的限量要求 以下。×：表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363 -2006 标准的 限量要求 。
MOS 电路 CS6583 版本：S-2014-07-F 无锡华润矽科微电子有限公司 第9 页 共9 页 无锡华润矽科微电子有限公司 WUXI CHINA RESOURC ES SEMICO CO. ，LTD. 地址：中国江苏省无锡市 菱湖大道 180 -22 邮编：214 135 电话：0510 -85810118 传真： （销售传真 ）0510 -85874503 网址：http://www.semico.com.cn 公司主要销售联络点 ： 市场营销部 ：江苏省无锡市 菱湖大道 180 -22 邮编：214 135 电话：0510 -85810118 -4445 / 2320 传真：0510 -85874503 深圳分公司：深圳市北环大道 7043 号青海大厦 1001 室 邮编：518000 电话：0755 -83572 766 传真：0755 -83572811 应用技术服务 ： 市场应用部 ：江苏省无锡市 菱湖大道 180 -22 邮编：214 135 电话：0510 -85810118 -5506 / 3563 传真：0510 -85810118 -3093 深圳华润矽科微电子有限公司 ：深圳市北环大道 7043 号青海大厦 1001 室 邮编：518000 电话：0755 -83947357 , 83547123 传真：0755 -8357 2811 注意： 建议您在使用矽科产品之前仔细阅读本资料 。 希望您经常和矽科有关部门进行联系 ，索取最新资料 ，因为矽科产品在不断更新和提高 。 本资料中的信息如有变化 ，恕不另行通知 。 本资料仅供参考 ，矽科不承担任何由此而引起的损失 。 矽科不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任 。