CS4N60

CS4N60 ETC | Alldatasheet

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华晶分立器件 C S 4 N 6 0 ( F ) CS4N60(F)型 VDMOS 晶体管 1.概述与特点 CS4N60(F)是 N 沟道 600V 系列 VD MOS 晶体管，主要用于电源适配器、充电器等各种功率开 关电路。 具有如下特点：

• 开关速度快
• 通态电阻小
• 可并联使用
• 驱动简单 封装形式： 产品名称 封装形式 CS4N60 TO-220 CS4N60F TO-220F VDSS RDS(ON)MAX ID 600V 2.2 Ω 4.1A 2.电特性 2.1 极限值（除非另有规定，T C=25℃） 参 数 名 称 符号 CS4N60 CS4N60F 单位 漏源反向电压 VDSS 600 V 漏极电流(连续) I D 4.1 漏极电流(脉冲) I DM 16.4 A 栅源反向电压 V GS ±30 V 单脉冲能量 E AS 250 mJ 热阻（结到壳） R θJC 1.25 3.8 热阻（结到环境） R θJA 62.5 62.5 ℃/W 耗散功率 PD 100 33 W 最高结温 TJ 150 贮存温度 TSTG -55～150 ℃ 2.2 电参数（除非另有规定，T C=25℃） 2.2.1 截止特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 漏源反向电压 BVDSS VGS=0V , ID=250µA 600 V 反向电压的温度系数 ∆BVDSS/∆TJ ID = 250µA 0.71 V/℃ VDS = 600V , VGS= 0V , TJ = 25℃ 25 漏源截止电流 IDSS VDS = 480V , VGS = 0V , TJ = 125℃ 250 µA 栅源截止电流 IGSS VGS = ±30V ±100 nA 无锡华润华晶微电子有限公司 地址： 江苏省无锡市梁溪路14 号 电话： 0510-5807123-3399 传真：0510-85807228-2227

华晶分立器件 C S 4 N 6 0 ( F ) 无锡华润华晶微电子有限公司 第 2 页 共 5 页 2.2.2 开启特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 通态电阻 RDS(ON) VGS=10V ,ID=2.5A 2.2 Ω 阈值电压 VGS(TH) VDS = VGS, ID = 250µA 2.0 4.0 V 跨导 gfs VDS=15V , ID = 2.5A 2.5 S 脉冲测试 tp≤380µs,δ≤2% 2.2.3 动态特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 输入电容 Ciss 660 输出电容 Coss 85 反向传输电容 Crss VGS = 0V VDS = 25V f = 1.0MHz pF 栅极电荷 Qg 23 栅源电荷 Qgs 4.3 栅漏电荷 Qgd ID =4.1A VDD =300V VGS = 10V 10.6 nC 2.2.4 开关特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 延迟时间（开启） td(ON) 21 上升时间 trise 21 延迟时间（关断） td(OFF) 44 下降时间 tfall ID = 4.1A VDD = 300V VGS = 10V RG = 12Ω 40 ns 2.2.5 源漏二极管特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 源漏二极管脉冲电流 ISM 16.4 A 源漏二极管正向压降 VSD IS=4.1A,VGS=0V 1.5 V

华晶分立器件 C S 4 N 6 0 ( F ) 3.特性曲线 曲线列表： 图一 安全工作区曲线（以 CS4N60 为例） 图七 典型传输特性曲线 图二 PD-TC曲线（以CS4N60 为例） 图八 RDS(ON)-VGS曲线 图三 ID-TC曲线 图九 RDS(ON)-ID曲线 图四 典型输出特性曲线 图十 RDS(ON)-TJ曲线 图五 结到管壳热阻曲线（以 CS4N60 为例）图十一 VGS(TH)-TJ曲线 图六 最大峰值电流 图十二 C-VDS曲线 图一 安全工作区曲线 图二 P D-TC关系曲线 PD(W) ID(A) VDS(V) TC(℃) 图三 I D-TC关系曲线 图四 典型输出特性曲线 ID(A) ID(A) TC(℃) VDS(V) 无锡华润华晶微电子有限公司 第 3 页 共 5 页

华晶分立器件 C S 4 N 6 0 ( F ) 图五 结到管壳热阻 ZθJC tp(s) 无锡华润华晶微电子有限公司 第 4 页 共 5 页 图六 最大峰值电流 IDM(A) tp(s) 图七 典型传输特性曲线 图八 R DS(ON)-VGS曲线 RDS(ON)( Ω) ID(A) VGS(V) VGS(V)

华晶分立器件 C S 4 N 6 0 ( F ) 图九 R DS(ON)-ID曲线 图十 R DS(ON)-TJ曲线 无锡华润华晶微电子有限公司 第 5 页 共 5 页 RDS(ON) RDS(ON)( Ω) ID(A) TJ(℃) 图十一 V GS(TH)-TJ曲线 图十二 C-V DS曲线 C(pF) VGS(TH) TJ(℃)V DS(V)