CS1N60 ETC | Alldatasheet
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华晶分立器件 C S 1 N 6 0 ( F ) CS1N60(F)型 VDMOS 晶体管 参 数 名 称 符号 CS4N60 CS4N60F 单位 漏源反向电压 VDSS 600 V 漏极电流(连续) I D 1.0 漏极电流(脉冲) I DM 4.0 A 栅源反向电压 V GS 30 V 单脉冲能量 E AS 36 mJ 热阻 结到壳 R JC 2.3 5.5 热阻 结到环境 R JA 62.5 62.5 耗散功率 PD 54 23 W 最高结温 TJ 150 贮存温度 TSTG -55 150 1.概述与特点 CS1N60(F)是 N 沟道 600V 系列 VDMOS 晶体管 主要用于电源适配器 充电器等各种功率开 关电路 具有如下特点 开关速度快 通态电阻小 可并联使用 驱动简单 封装形式 产品名称 封装形式 CS1N60 TO-220 CS1N60F TO-220F VDSS RDS(ON)MAX I D 600V 10.5Ω 1.0A 2.电特性 2.1 极限值 除非另有规定 TC=25 2.2 电参数 除非另有规定 TC=25 2.2.1 截止特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 漏源反向电压 BVDSS V GS=0V , ID=250µA 600 V 反向电压的温度系数 ∆BVDSS/∆TJ I D = 250µA 0.6 V/ VDS = 600V , VGS= 0V , TJ = 25 漏源截止电流 IDSS VDS = 480V , VGS = 0V , TJ = 125 250 µA 栅源截止电流 IGSS VGS = ±30V ±100 nA
华晶分立器件 C S 1 N 6 0 ( F ) 2.2.2 开启特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 通态电阻 RDS(ON) V GS=10V ,ID=0.5A 10.5 Ω 阈值电压 VGS(TH) V DS = VGS, ID = 250µA 2.0 4.0 V 跨导 gfs V DS=15V , ID = 0.5A 0.88 S 脉冲测试 tp 380µs, 2.2.3 动态特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 输入电容 Ciss 160 输出电容 Coss 25 反向传输电容 Crss VGS = 0V VDS = 25V f = 1.0MHz pF 栅极电荷 Qg 2.1 栅源电荷 Qgs 1.4 栅漏电荷 Qgd ID =1.0A VDD =300V 3.8 nC 2.2.4 开关特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 延迟时间 开启 td(ON) 13 上升时间 trise 13 延迟时间 关断 td(OFF) 35 下降时间 tfall ID = 1.0A VDD = 300V VGS = 10V RG = 12Ω 19 ns 2.2.5 源漏二极管特性 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最小 典型 最大 单位 源漏二极管脉冲电流 ISM 4.0 A 源漏二极管正向压降 VSD IS=1.0A,VGS=0V 1.5 V 第 2 页 共 5 页
华晶分立器件 C S 1 N 6 0 ( F ) 3.特性曲线 曲线列表 图一 安全工作区曲线 以 CS1N60 为例 图七 典型传输特性曲线 图二 PD-TC 曲线 以 CS1N60 为例 图八 RDS(ON)-VGS 曲线 图三 ID-TC 曲线 图九 RDS(ON)-ID 曲线 图四 典型输出特性曲线 图十 RDS(ON)-TJ 曲线 图五 结到管壳热阻曲线 以 CS1N60 为例 图十一 VGS(TH)-TJ 曲线 图六 最大峰值电流 图十二 C-VDS 曲线 图一 安全工作区曲线 图二 P D-TC 关系曲线 PD(W) ID(A) VDS(V) TC( 图三 I D-TC 关系曲线 图四 典型输出特性曲线 ID(A) ID(A) TC( ) VDS(V) 第 3 页 共 5 页
华晶分立器件 C S 1 N 6 0 ( F ) 图五 结到管壳热阻 ZθJC tp(s) 图六 最大峰值电流 IDM(A) tp(s) 图七 典型传输特性曲线 图八 R DS(ON)-VGS 曲线 RDS(ON)( Ω) ID(A) VGS(V) V GS(V) 第 4 页 共 5 页
华晶分立器件 C S 1 N 6 0 ( F ) 图九 R DS(ON)-ID 曲线 图十 R DS(ON)-TJ 曲线 RDS(ON) RDS(ON)( Ω) ID(A) TJ( 图十一 V GS(TH)-TJ 曲线 图十二 C-V DS 曲线 C(pF) VGS(TH) TJ( ) V DS(V) 第 5 页 共 5 页