CLY32

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Semiconductor Group 1 of 10 Draft D, September 99 HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

• HiRel Discrete and Microwave Semiconductor
• For professional power amplifiers
• For frequencies from 100 MHz to 6 GHz
• Hermetically sealed microwave power package
• Low thermal resistance for high voltage application
• Power added efficiency > 53 % Space Qualified ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/006, Type Variant No.s 01 to 03 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package 123 CLY32-00 (ql) CLY32-05 (ql) CLY32-10 (ql) - see below G S D MWP-25 CLY32-nn: specifies output power level (see electrical characteristics) (ql) Quality Level: P: Professional Quality, Ordering Code: Q 62702L100 H: High Rel Quality, Ordering Code: on request S: Space Quality, Ordering Code: on request ES: ESA Space Quality, Ordering Code: Q 62702L120 (see order instructions for ordering example)

Semiconductor Group 2 of 10 Draft D, September 99 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain-source voltage V DS 14 V Drain-gate voltage V DG 16 V Gate-source voltage V GS - 6 V Drain current I D 1400 mA Gate forward current I G 8m A Compression Level Operation Range 1 1) PC 1.5 at VDS ≤ 9 V 2.5 at VDS ≤ 8 V 3.5 at VDS ≤ 7 V dB Compression Level Operation Range 2 2) PC 3.5 at VDS ≤ 7 V dB Compression Level Operation Range 3 3) PC tbd. dB Junction temperature T J 175 °C Storage temperature range T stg - 65...+ 175 °C Total power dissipation 4) Ptot 6.75 W Soldering temperature 5) Tsol 230 °C Thermal Resistance Junction-soldering point R th JS ≤ 20 K/W Notes.: 1) Operation Range 1: 250 mA ≤ ID ≤ 500 mA 2) Operation Range 2: ID > 500 mA 3) Operation Range 3: ID < 250 mA 4) At TS = + 40 °C. For TS > + 40 °C derating is required. 5) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have elapsed.

Semiconductor Group 3 of 10 Draft D, September 99 Electrical Characteristics (at TA=25°C; unless otherwise specified) Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics Drain-source saturation current VDS = 2 V, VGS = 0 V IDss 600 1000 1400 mA Gate threshold voltage VDS = 3 V, ID = 40 mA -VGth 1.6 2.6 3.6 V Drain current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.8 V IDp3 - - 100 µA Gate current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.8 V -IGp3 -- 4 0 µ A Drain current at pinch-off, high VDS VDS = 12 V, VGS = -4 V IDp12 - - 2000 µA Gate current at pinch-off, high VDS VDS = 12 V, VGS = -4 V -IGp12 - - 800 µA Transconductance VDS = 3 V, ID = 380 mA gm 300 370 - mS Thermal resistance junction to soldering point VDS = 9 V, ID = 380 mA, Ts = +25°C Rth JS -1 6 - K / W

Semiconductor Group 4 of 10 Draft D, September 99 Electrical Characteristics (continued) Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. AC Characteristics Linear power gain 1) VDS = 9 V, ID = 380 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 0 dBm Glp dB CLY32-00 11.0 12.0 - CLY32-05 11.5 12.5 - CLY32-10 11.5 12.5 - Output power at 1dB gain compr. 1) VDS = 9 V, ID(RF off) = 380 mA, f = 2.3 GHz P1dB dBm CLY32-00 - 31.8 - CLY32-05 - 32.3 - CLY32-10 - 33.0 - Output power 1) VDS = 9 V, ID(RF off) = 380 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 16.5 dBm Pout dBm CLY32-00 31.5 31.8 - CLY32-05 32.0 32.3 - CLY32-10 32.5 33.0 - Power added efficiency 1), 2) VDS = 9 V, ID(RF off) = 380 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 21.5 dBm PAE % CLY32-00 40 47 - CLY32-05 45 50 - CLY32-10 45 53 - Notes.: 1) RF Power characteristics given for power matching conditions 2) Power added efficiency: PAE = (PRFout - PRFin) / PDC

Semiconductor Group 5 of 10 Draft D, September 99 Typical Common Source S-Parameters VDS = 3 V, I D = 380 mA, Z o = 50 Ω f |S11| <S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S12 MAG [GHz] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [dB] [dB] 0,5 0,853 -118 6,201 111 0,0377 36 0,546 -176 0,45 22,2 0,6 0,839 -122 5,856 109 0,0385 34 0,552 -177 0,51 21,8 0,7 0,825 -128 5,477 106 0,0394 33 0,560 -178 0,57 21,4 0,8 0,816 -133 5,075 103 0,0403 30 0,568 -180 0,62 21,0 0,9 0,813 -140 4,658 99 0,0413 28 0,577 179 0,67 20,5 1,0 0,818 -147 4,239 94 0,0424 27 0,586 177 0,70 20,0 1,1 0,821 -153 3,876 89 0,0435 25 0,593 175 0,73 19,5 1,2 0,823 -158 3,561 85 0,0443 23 0,598 173 0,76 19,1 1,3 0,824 -162 3,290 82 0,0451 22 0,602 171 0,80 18,6 1,4 0,825 -166 3,055 78 0,0457 21 0,605 169 0,85 18,3 1,5 0,825 -170 2,852 75 0,0463 20 0,607 168 0,89 17,9 1,6 0,826 -173 2,672 72 0,0469 19 0,609 166 0,93 17,6 1,7 0,826 -177 2,512 69 0,0475 18 0,612 165 0,97 17,2 1,8 0,825 -179 2,372 66 0,0482 18 0,615 164 1,01 16,9 16,4 1,9 0,825 178 2,244 64 0,0487 17 0,618 163 1,04 16,6 15,4 2,0 0,825 176 2,130 61 0,0492 17 0,622 162 1,08 16,4 14,6 2,1 0,825 173 2,024 59 0,0496 16 0,625 161 1,12 16,1 14,0 2,2 0,825 171 1,927 57 0,0504 16 0,628 160 1,15 15,8 13,5 2,3 0,825 169 1,838 54 0,0508 16 0,631 159 1,19 15,6 12,9 2,4 0,825 167 1,756 52 0,0513 15 0,633 157 1,23 15,3 12,5 2,5 0,825 165 1,683 50 0,0520 15 0,634 156 1,26 15,1 12,0 2,6 0,825 163 1,616 48 0,0525 15 0,635 155 1,29 14,9 11,6 2,7 0,825 161 1,555 45 0,0533 14 0,636 154 1,32 14,6 11,3 2,8 0,824 160 1,499 43 0,0542 14 0,637 153 1,35 14,4 10,9 2,9 0,824 158 1,449 41 0,0554 13 0,638 152 1,36 14,2 10,6 3,0 0,824 156 1,402 39 0,0561 13 0,640 151 1,39 14,0 10,3 3,1 0,824 155 1,358 37 0,0569 13 0,643 150 1,40 13,8 10,0 3,2 0,824 153 1,316 35 0,0580 13 0,645 149 1,41 13,6 9,7 3,3 0,824 151 1,275 33 0,0590 13 0,648 148 1,43 13,3 9,5 3,4 0,824 150 1,236 31 0,0596 12 0,650 147 1,45 13,2 9,2 3,5 0,824 148 1,200 29 0,0608 12 0,652 146 1,46 13,0 8,9 3,6 0,824 147 1,167 27 0,0620 12 0,654 145 1,46 12,7 8,7 3,7 0,825 145 1,137 25 0,0632 11 0,656 144 1,46 12,5 8,5 3,8 0,826 144 1,107 23 0,0642 10 0,658 143 1,47 12,4 8,3 3,9 0,826 142 1,081 21 0,0656 10 0,660 142 1,46 12,2 8,1 4,0 0,826 140 1,055 19 0,0664 9 0,662 141 1,47 12,0 8,0 4,1 0,827 139 1,029 17 0,0674 8 0,665 140 1,47 11,8 7,8 4,2 0,827 137 1,005 16 0,0684 8 0,669 139 1,47 11,7 7,6 4,3 0,827 136 0,981 14 0,0695 7 0,672 138 1,47 11,5 7,4 4,4 0,829 134 0,958 12 0,0703 7 0,673 136 1,48 11,3 7,3 4,5 0,829 133 0,933 10 0,0710 6 0,675 135 1,49 11,2 7,0 4,6 0,829 131 0,910 8 0,0718 5 0,676 134 1,50 11,0 6,8 4,7 0,831 130 0,890 6 0,0722 5 0,677 133 1,52 10,9 6,7 4,8 0,831 129 0,873 5 0,0728 4 0,676 131 1,53 10,8 6,5 4,9 0,832 128 0,859 3 0,0734 4 0,676 130 1,54 10,7 6,4 5,0 0,833 127 0,849 2 0,0740 4 0,674 130 1,55 10,6 6,2

Semiconductor Group 6 of 10 Draft D, September 99 Typical Common Source S-Parameters (continued) VDS = 5 V, I D = 380 mA, Z o = 50 Ω f |S11| <S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S12 MAG [GHz] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [dB] [dB] 0,5 0,847 -116 7,584 111 0,0330 36 0,403 -167 0,48 23,6 0,6 0,832 -120 7,161 108 0,0339 34 0,410 -168 0,54 23,2 0,7 0,818 -126 6,698 105 0,0348 33 0,419 -170 0,60 22,8 0,8 0,809 -132 6,206 102 0,0357 31 0,428 -172 0,66 22,4 0,9 0,806 -138 5,698 98 0,0366 29 0,438 -174 0,71 21,9 1,0 0,811 -145 5,189 93 0,0376 26 0,449 -176 0,74 21,4 1,1 0,813 -151 4,746 88 0,0385 25 0,458 -178 0,78 20,9 1,2 0,814 -156 4,363 84 0,0392 24 0,465 -180 0,81 20,5 1,3 0,816 -161 4,031 80 0,0397 23 0,470 178 0,86 20,1 1,4 0,817 -165 3,743 76 0,0400 21 0,475 177 0,91 19,7 1,5 0,817 -169 3,492 73 0,0403 21 0,479 175 0,96 19,4 1,6 0,818 -172 3,270 70 0,0408 20 0,483 174 1,00 19,0 18,7 1,7 0,818 -175 3,072 67 0,0412 20 0,488 173 1,05 18,7 17,4 1,8 0,817 -178 2,898 64 0,0418 19 0,493 172 1,09 18,4 16,6 1,9 0,817 179 2,740 61 0,0420 19 0,498 171 1,14 18,1 15,9 2,0 0,817 177 2,596 58 0,0424 19 0,504 170 1,18 17,9 15,3 2,1 0,817 175 2,464 56 0,0428 18 0,510 169 1,22 17,6 14,8 2,2 0,817 172 2,344 53 0,0433 18 0,516 168 1,26 17,3 14,3 2,3 0,817 170 2,233 51 0,0440 17 0,521 167 1,29 17,1 13,8 2,4 0,817 168 2,132 48 0,0445 17 0,525 166 1,33 16,8 13,4 2,5 0,818 166 2,041 46 0,0451 17 0,529 165 1,36 16,6 13,0 2,6 0,818 164 1,957 43 0,0458 17 0,531 164 1,38 16,3 12,6 2,7 0,819 163 1,880 41 0,0464 17 0,535 163 1,41 16,1 12,3 2,8 0,819 161 1,809 39 0,0474 17 0,538 162 1,43 15,8 11,9 2,9 0,819 159 1,745 37 0,0481 17 0,541 161 1,46 15,6 11,6 3,0 0,819 157 1,684 35 0,0485 17 0,546 160 1,49 15,4 11,3 3,1 0,819 156 1,628 32 0,0492 17 0,550 160 1,50 15,2 11,0 3,2 0,819 154 1,574 30 0,0500 17 0,555 159 1,52 15,0 10,7 3,3 0,819 153 1,522 28 0,0509 16 0,560 158 1,53 14,8 10,5 3,4 0,819 151 1,472 26 0,0515 16 0,565 157 1,55 14,6 10,2 3,5 0,820 149 1,427 24 0,0522 16 0,570 156 1,57 14,4 9,9 3,6 0,820 148 1,384 22 0,0530 15 0,574 155 1,57 14,2 9,7 3,7 0,822 146 1,345 20 0,0538 15 0,577 153 1,57 14,0 9,5 3,8 0,822 145 1,308 17 0,0550 14 0,581 152 1,57 13,8 9,3 3,9 0,823 143 1,274 15 0,0563 14 0,586 151 1,55 13,5 9,2 4,0 0,824 141 1,240 13 0,0574 14 0,591 150 1,55 13,3 9,0 4,1 0,824 140 1,208 11 0,0584 14 0,596 149 1,55 13,2 8,8 4,2 0,825 138 1,177 9 0,0596 13 0,602 148 1,54 13,0 8,6 4,3 0,825 137 1,146 7 0,0608 13 0,607 147 1,54 12,8 8,4 4,4 0,827 135 1,116 5 0,0619 13 0,612 146 1,53 12,6 8,3 4,5 0,827 134 1,085 3 0,0628 12 0,616 144 1,54 12,4 8,1 4,6 0,827 132 1,057 1 0,0638 12 0,619 143 1,54 12,2 7,8 4,7 0,828 131 1,032 -1 0,0643 12 0,621 142 1,56 12,1 7,7 4,8 0,828 130 1,011 -3 0,0650 11 0,622 141 1,56 11,9 7,5 4,9 0,829 129 0,994 -4 0,0655 10 0,623 140 1,57 11,8 7,4 5,0 0,830 128 0,981 -5 0,0658 10 0,622 139 1,58 11,7 7,3

Semiconductor Group 7 of 10 Draft D, September 99 Typical Common Source S-Parameters (continued) VDS = 9 V, I D = 380 mA, Z o = 50 Ω f |S11| <S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S12 MAG [GHz] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [dB] [dB] 0,5 0,845 -115 8,446 110 0,0278 36 0,257 -147 0,54 24,8 0,6 0,830 -120 7,968 107 0,0283 34 0,265 -149 0,61 24,5 0,7 0,817 -125 7,445 104 0,0289 32 0,273 -151 0,69 24,1 0,8 0,807 -131 6,891 101 0,0296 31 0,283 -153 0,76 23,7 0,9 0,804 -137 6,321 96 0,0302 29 0,294 -156 0,82 23,2 1,0 0,809 -144 5,755 91 0,0311 27 0,306 -158 0,84 22,7 1,1 0,812 -150 5,263 86 0,0316 26 0,317 -161 0,89 22,2 1,2 0,814 -156 4,838 81 0,0322 24 0,326 -163 0,93 21,8 1,3 0,815 -160 4,470 77 0,0327 23 0,334 -165 0,98 21,4 1,4 0,815 -164 4,150 73 0,0331 23 0,342 -167 1,04 21,0 19,8 1,5 0,816 -168 3,870 70 0,0335 22 0,350 -168 1,09 20,6 18,8 1,6 0,816 -171 3,621 66 0,0339 22 0,358 -169 1,14 20,3 18,0 1,7 0,817 -175 3,399 63 0,0341 21 0,366 -170 1,19 20,0 17,3 1,8 0,817 -177 3,200 60 0,0345 21 0,375 -171 1,24 19,7 16,7 1,9 0,817 180 3,020 57 0,0348 21 0,385 -172 1,29 19,4 16,1 2,0 0,817 178 2,857 54 0,0353 21 0,395 -173 1,33 19,1 15,6 2,1 0,817 175 2,707 51 0,0357 20 0,405 -174 1,37 18,8 15,2 2,2 0,818 173 2,570 48 0,0361 20 0,415 -175 1,41 18,5 14,7 2,3 0,818 171 2,444 46 0,0366 20 0,424 -176 1,45 18,2 14,3 2,4 0,819 169 2,330 43 0,0370 21 0,433 -178 1,49 18,0 13,9 2,5 0,820 167 2,228 40 0,0376 21 0,441 -179 1,51 17,7 13,5 2,6 0,821 165 2,133 38 0,0381 21 0,448 180 1,55 17,5 13,1 2,7 0,821 163 2,045 35 0,0386 21 0,455 179 1,57 17,2 12,8 2,8 0,821 161 1,963 33 0,0393 22 0,463 178 1,60 17,0 12,5 2,9 0,821 160 1,889 30 0,0399 21 0,471 177 1,62 16,8 12,2 3,0 0,822 158 1,820 28 0,0405 22 0,479 176 1,64 16,5 11,9 3,1 0,822 156 1,755 26 0,0411 22 0,488 175 1,65 16,3 11,6 3,2 0,823 155 1,693 23 0,0419 22 0,498 174 1,65 16,1 11,3 3,3 0,823 153 1,632 21 0,0427 23 0,506 173 1,66 15,8 11,1 3,4 0,824 152 1,575 19 0,0434 23 0,514 172 1,67 15,6 10,8 3,5 0,825 150 1,522 16 0,0447 23 0,523 171 1,66 15,3 10,6 3,6 0,826 148 1,473 14 0,0458 23 0,530 169 1,65 15,1 10,4 3,7 0,827 147 1,430 12 0,0469 22 0,537 168 1,63 14,8 10,2 3,8 0,827 145 1,387 9 0,0482 23 0,545 167 1,62 14,6 10,0 3,9 0,828 144 1,346 7 0,0494 22 0,553 166 1,60 14,4 9,8 4,0 0,829 142 1,308 5 0,0505 22 0,561 164 1,58 14,1 9,7 4,1 0,830 141 1,270 3 0,0515 22 0,569 163 1,57 13,9 9,5 4,2 0,831 139 1,234 1 0,0525 22 0,578 162 1,55 13,7 9,3 4,3 0,831 137 1,198 -2 0,0539 21 0,586 160 1,53 13,5 9,2 4,4 0,833 136 1,163 -4 0,0547 21 0,593 159 1,53 13,3 9,0 4,5 0,834 134 1,128 -6 0,0557 20 0,599 157 1,52 13,1 8,8 4,6 0,835 133 1,094 -8 0,0567 20 0,605 156 1,52 12,9 8,6 4,7 0,836 132 1,065 -10 0,0575 19 0,610 154 1,52 12,7 8,4 4,8 0,837 130 1,042 -12 0,0582 19 0,613 153 1,52 12,5 8,3 4,9 0,838 130 1,022 -13 0,0590 18 0,615 152 1,51 12,4 8,2 5,0 0,839 129 1,007 -15 0,0598 18 0,616 151 1,50 12,3 8,1

Semiconductor Group 8 of 10 Draft D, September 99 Order Instructions: Full type variant including quality level must be specified by the orderer. For HiRel Discrete and Microwave Semiconductors the ordering code specifies device family and quality level only. Ordering Form: CLY32- (nn) (ql) (nn): Output Power Level (ql): Quality Level Ordering Example: Ordering Code: Q62702L120 CLY32-10 ES For CLY32; Output Power Level 10 (P out>32.5 dBm) in ESA Space Quality Level Further Informations: See our WWW-Pages: - Discrete and RF-Semiconductors (Small Signal Semiconductors) www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm - HiRel Discrete and Microwave Semiconductors www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm Please contact also our marketing division : Tel.: ++89 234 24480 Fax.: ++89 234 28438 e-mail: martin.wimmers@infineon.com Address: Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich

Semiconductor Group 9 of 10 Draft D, September 99 Published by Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich. Infineon Technologies AG 1998. All Rights Reserved. As far as patents or other rights of third parties are concerned, liability is only assumed for components per se, not for applications, processes and circuits implemented within components or assemblies. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. For questions on technology, delivery and prices please contact the Offices of Semiconductor Group in Germany or the Infineon Technologies Companies and Representatives woldwide (see address list). Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the type in question please contact your nearest Infineon Technologies Office, Semiconductor Group. Infineon Technologies Semiconductors is a certified CECC and QS9000 manufacturer (this includes ISO 9000).