CLY29

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Semiconductor Group 1 of 10 Draft D, September 99 HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

• HiRel Discrete and Microwave Semiconductor
• For professional power amplifiers
• For frequencies from 100 MHz to 8 GHz
• Hermetically sealed microwave power package
• Low thermal resistance for high voltage application
• Power added efficiency > 55 % Space Qualification Expected 1998 ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/006, Type Variant No.s 04 to 06 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package 123 CLY29-00 (ql) CLY29-05 (ql) CLY29-10 (ql) - see below G S D MWP-25 CLY29-nn: specifies output power level (see electrical characteristics) (ql) Quality Level: P: Professional Quality, Ordering Code: Q 62702L117 H: High Rel Quality, Ordering Code: on request S: Space Quality, Ordering Code: on request ES: ESA Space Quality, Ordering Code: Q 62702L116 (see order instructions for ordering example)

Semiconductor Group 2 of 10 Draft D, September 99 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain-source voltage V DS 14 V Drain-gate voltage V DG 16 V Gate-source voltage V GS - 6 V Drain current I D 700 mA Gate forward current I G 4m A Compression Level Operation Range 1 1) PC 1.5 at VDS ≤ 9 V 2.5 at VDS ≤ 8 V 3.5 at VDS ≤ 7 V dB Compression Level Operation Range 2 2) PC 3.5 at VDS ≤ 7 V dB Compression Level Operation Range 3 3) PC tbd. dB Junction temperature T J 175 °C Storage temperature range T stg - 65...+ 175 °C Total power dissipation 4) Ptot 3.55 W Soldering temperature 5) Tsol 230 °C Thermal Resistance Junction-soldering point R th JS ≤ 38 K/W Notes.: 1) Operation Range 1: 135 mA ≤ ID ≤ 270 mA 2) Operation Range 2: ID > 270 mA 3) Operation Range 3: ID < 135 mA 4) At TS = + 40 °C. For TS > + 40 °C derating is required. 5) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have elapsed.

Semiconductor Group 3 of 10 Draft D, September 99 Electrical Characteristics (at TA=25°C; unless otherwise specified) Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics Drain-source saturation current VDS = 2 V, VGS = 0 V IDss 300 500 700 mA Gate threshold voltage VDS = 3 V, ID = 20 mA -VGth 1.6 2.6 3.6 V Drain current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.8 V IDp3 -- 5 0 µ A Gate current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.8 V -IGp3 -- 2 0 µ A Drain current at pinch-off, high VDS VDS = 12 V, VGS = -4 V IDp12 - - 1000 µA Gate current at pinch-off, high VDS VDS = 12 V, VGS = -4 V -IGp12 - - 400 µA Transconductance VDS = 3 V, ID = 200 mA gm 150 190 - mS Thermal resistance junction to soldering point VDS = 9 V, ID = 200 mA, Ts = +25°C Rth JS -3 2 - K / W

Semiconductor Group 4 of 10 Draft D, September 99 Electrical Characteristics (continued) Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. AC Characteristics Linear power gain 1) VDS = 9 V, ID = 200 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 0 dBm Glp dB CLY29-00 13.5 15.0 - CLY29-05 14.0 15.2 - CLY29-10 14.0 15.2 - Output power at 1dB gain compr. 1) VDS = 9 V, ID(RF off) = 200 mA, f = 2.3 GHz P1dB dBm CLY29-00 - 28.8 - CLY29-05 - 29.3 - CLY29-10 - 30.0 - Output power 1) VDS = 9 V, ID(RF off) = 200 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 16.5 dBm Pout dBm CLY29-00 28.5 28.8 - CLY29-05 29.0 29.3 - CLY29-10 29.5 30.0 - Power added efficiency 1), 2) VDS = 9 V, ID(RF off) = 200 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 16.5 dBm PAE % CLY29-00 40 50 - CLY29-05 45 52 - CLY29-10 45 55 - Notes.: 1) RF Power characteristics given for power matching conditions 2) Power added efficiency: PAE = (PRFout - PRFin) / PDC

Semiconductor Group 5 of 10 Draft D, September 99 Typical Common Source S-Parameters VDS = 3 V, I D = 180 mA, Z o = 50 Ω f |S11| <S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S12 MAG [GHz] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [dB] [dB] 0,5 0,870 -78 7,618 129 0,0396 50 0,227 -138 0,37 22,8 0,6 0,847 -83 7,318 126 0,0412 47 0,237 -141 0,43 22,5 0,7 0,824 -88 6,983 123 0,0429 44 0,249 -144 0,49 22,1 0,8 0,805 -95 6,620 119 0,0447 41 0,262 -148 0,55 21,7 0,9 0,791 -103 6,248 114 0,0468 37 0,277 -152 0,58 21,3 1,0 0,787 -111 5,881 109 0,0493 34 0,293 -155 0,59 20,8 1,1 0,783 -118 5,537 104 0,0512 31 0,307 -159 0,61 20,3 1,2 0,778 -125 5,213 99 0,0529 28 0,319 -162 0,63 19,9 1,3 0,774 -131 4,916 95 0,0541 26 0,330 -165 0,66 19,6 1,4 0,771 -137 4,641 91 0,0552 24 0,340 -167 0,69 19,2 1,5 0,768 -142 4,387 87 0,0562 22 0,348 -170 0,72 18,9 1,6 0,766 -147 4,155 83 0,0570 20 0,356 -172 0,75 18,6 1,7 0,764 -152 3,942 80 0,0578 18 0,363 -174 0,78 18,3 1,8 0,763 -156 3,746 77 0,0584 17 0,370 -176 0,82 18,1 1,9 0,761 -160 3,565 73 0,0587 15 0,376 -178 0,85 17,8 2,0 0,760 -163 3,401 70 0,0593 14 0,382 -180 0,88 17,6 2,1 0,759 -167 3,248 68 0,0597 12 0,388 179 0,91 17,4 2,2 0,759 -170 3,106 65 0,0602 11 0,393 177 0,95 17,1 2,3 0,758 -173 2,977 62 0,0606 10 0,398 176 0,98 16,9 2,4 0,758 -176 2,858 59 0,0607 9 0,403 174 1,01 16,7 16,1 2,5 0,757 -179 2,747 57 0,0610 8 0,408 173 1,04 16,5 15,3 2,6 0,757 179 2,644 54 0,0615 7 0,412 172 1,07 16,3 14,7 2,7 0,757 176 2,548 52 0,0619 6 0,417 170 1,10 16,1 14,2 2,8 0,757 173 2,459 49 0,0624 6 0,421 169 1,13 16,0 13,8 2,9 0,756 171 2,374 47 0,0630 5 0,424 168 1,15 15,8 13,4 3,0 0,756 169 2,295 44 0,0634 4 0,427 167 1,18 15,6 13,0 3,1 0,756 166 2,223 42 0,0638 4 0,431 165 1,21 15,4 12,7 3,2 0,756 164 2,155 40 0,0643 3 0,435 164 1,23 15,3 12,3 3,3 0,756 162 2,091 37 0,0650 2 0,439 163 1,25 15,1 12,0 3,4 0,756 160 2,030 35 0,0655 2 0,442 162 1,28 14,9 11,8 3,5 0,756 158 1,973 33 0,0659 1 0,447 161 1,30 14,8 11,5 3,6 0,756 156 1,919 31 0,0666 1 0,451 160 1,32 14,6 11,2 3,7 0,756 154 1,866 28 0,0670 0 0,456 158 1,34 14,4 11,0 3,8 0,756 152 1,817 26 0,0673 -1 0,460 157 1,36 14,3 10,7 3,9 0,756 150 1,770 24 0,0680 -1 0,465 156 1,38 14,2 10,5 4,0 0,756 148 1,725 22 0,0685 -2 0,470 155 1,39 14,0 10,3 4,1 0,757 146 1,681 20 0,0689 -2 0,475 153 1,42 13,9 10,0 4,2 0,757 144 1,639 18 0,0691 -3 0,479 152 1,44 13,8 9,8 4,3 0,758 142 1,599 15 0,0696 -4 0,483 151 1,46 13,6 9,6 4,4 0,758 140 1,560 13 0,0702 -4 0,487 150 1,47 13,5 9,4 4,5 0,759 138 1,524 11 0,0703 -5 0,491 148 1,49 13,4 9,2 4,6 0,759 136 1,488 9 0,0711 -6 0,495 147 1,50 13,2 9,0 4,7 0,760 134 1,457 7 0,0717 -6 0,499 146 1,51 13,1 8,9 4,8 0,762 133 1,431 6 0,0722 -7 0,503 145 1,51 13,0 8,8 4,9 0,763 132 1,409 4 0,0727 -7 0,506 145 1,51 12,9 8,7 5,0 0,764 131 1,392 3 0,0733 -7 0,509 144 1,50 12,8 8,6

Semiconductor Group 6 of 10 Draft D, September 99 Typical Common Source S-Parameters (continued) VDS = 5 V, I D = 180 mA, Z o = 50 Ω f |S11| <S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S12 MAG [GHz] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [dB] [dB] 0,5 0,873 -76 8,549 129 0,0311 50 0,182 -88 0,41 24,4 0,6 0,850 -81 8,222 127 0,0326 48 0,183 -93 0,48 24,0 0,7 0,827 -86 7,852 123 0,0342 45 0,186 -98 0,55 23,6 0,8 0,807 -93 7,457 119 0,0359 42 0,190 -105 0,61 23,2 0,9 0,793 -100 7,051 114 0,0378 39 0,196 -111 0,65 22,7 1,0 0,787 -108 6,651 109 0,0398 36 0,205 -117 0,66 22,2 1,1 0,783 -116 6,269 104 0,0413 33 0,213 -123 0,68 21,8 1,2 0,778 -123 5,910 99 0,0426 31 0,221 -128 0,71 21,4 1,3 0,774 -129 5,577 94 0,0437 28 0,228 -133 0,74 21,1 1,4 0,771 -135 5,270 90 0,0446 26 0,236 -137 0,77 20,7 1,5 0,768 -140 4,986 86 0,0454 24 0,243 -140 0,81 20,4 1,6 0,765 -145 4,725 82 0,0460 23 0,250 -143 0,84 20,1 1,7 0,764 -150 4,485 79 0,0465 21 0,257 -146 0,88 19,8 1,8 0,762 -154 4,261 75 0,0471 19 0,264 -149 0,91 19,6 1,9 0,761 -158 4,057 72 0,0475 18 0,272 -151 0,95 19,3 2,0 0,760 -161 3,869 69 0,0479 16 0,279 -154 0,98 19,1 2,1 0,759 -165 3,694 66 0,0483 16 0,286 -156 1,02 18,8 18,0 2,2 0,758 -168 3,533 63 0,0484 14 0,292 -158 1,06 18,6 17,1 2,3 0,757 -171 3,384 60 0,0488 14 0,299 -160 1,10 18,4 16,5 2,4 0,757 -174 3,247 57 0,0490 13 0,306 -161 1,13 18,2 16,0 2,5 0,757 -177 3,119 54 0,0492 12 0,313 -163 1,17 18,0 15,5 2,6 0,757 -180 3,000 52 0,0495 11 0,319 -165 1,20 17,8 15,1 2,7 0,756 178 2,889 49 0,0495 11 0,326 -166 1,25 17,7 14,7 2,8 0,756 175 2,786 47 0,0500 10 0,332 -168 1,27 17,5 14,3 2,9 0,756 173 2,689 44 0,0505 9 0,338 -169 1,30 17,3 14,0 3,0 0,756 170 2,598 41 0,0509 9 0,344 -171 1,33 17,1 13,7 3,1 0,757 168 2,514 39 0,0514 8 0,351 -172 1,35 16,9 13,4 3,2 0,757 166 2,434 37 0,0516 8 0,357 -173 1,38 16,7 13,1 3,3 0,757 164 2,360 34 0,0520 8 0,364 -175 1,40 16,6 12,8 3,4 0,757 162 2,289 32 0,0525 8 0,370 -176 1,43 16,4 12,5 3,5 0,757 159 2,222 29 0,0530 8 0,377 -178 1,45 16,2 12,3 3,6 0,758 157 2,158 27 0,0536 7 0,384 -179 1,46 16,0 12,0 3,7 0,758 155 2,097 25 0,0541 7 0,391 180 1,48 15,9 11,8 3,8 0,758 153 2,039 22 0,0546 7 0,399 178 1,50 15,7 11,5 3,9 0,759 151 1,985 20 0,0550 6 0,406 177 1,52 15,6 11,3 4,0 0,759 149 1,932 18 0,0557 6 0,413 175 1,53 15,4 11,1 4,1 0,760 147 1,882 15 0,0563 6 0,420 174 1,54 15,2 10,9 4,2 0,760 145 1,833 13 0,0568 6 0,426 172 1,56 15,1 10,7 4,3 0,761 143 1,786 11 0,0575 5 0,432 171 1,56 14,9 10,5 4,4 0,762 141 1,741 9 0,0580 4 0,438 169 1,58 14,8 10,3 4,5 0,762 139 1,698 7 0,0587 4 0,445 168 1,58 14,6 10,1 4,6 0,763 137 1,657 4 0,0591 3 0,452 166 1,59 14,5 9,9 4,7 0,764 136 1,621 2 0,0596 3 0,458 165 1,60 14,3 9,8 4,8 0,765 134 1,590 1 0,0601 3 0,464 164 1,60 14,2 9,7 4,9 0,766 133 1,564 -1 0,0604 2 0,470 163 1,60 14,1 9,6 5,0 0,768 132 1,544 -2 0,0606 2 0,474 162 1,60 14,1 9,5

Semiconductor Group 7 of 10 Draft D, September 99 Typical Common Source S-Parameters (continued) VDS = 9 V, I D = 180 mA, Z o = 50 Ω f |S11| <S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S 21 /S12 MAG [GHz] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [dB] [dB] 0,5 0,874 -76 8,885 129 0,0245 51 0,272 -48 0,48 25,6 0,6 0,852 -80 8,544 126 0,0257 48 0,266 -52 0,56 25,2 0,7 0,829 -86 8,159 122 0,0269 46 0,261 -56 0,64 24,8 0,8 0,810 -93 7,748 118 0,0283 43 0,256 -60 0,70 24,4 0,9 0,796 -100 7,326 113 0,0296 40 0,252 -65 0,75 23,9 1,0 0,791 -108 6,913 108 0,0312 37 0,249 -71 0,76 23,5 1,1 0,786 -115 6,519 103 0,0324 34 0,248 -77 0,79 23,0 1,2 0,782 -122 6,147 98 0,0335 32 0,247 -82 0,82 22,6 1,3 0,778 -128 5,801 93 0,0342 30 0,248 -86 0,86 22,3 1,4 0,775 -134 5,482 89 0,0350 28 0,249 -91 0,89 21,9 1,5 0,772 -140 5,187 84 0,0355 27 0,252 -95 0,93 21,6 1,6 0,770 -144 4,916 81 0,0360 25 0,256 -99 0,97 21,4 1,7 0,768 -149 4,665 77 0,0363 24 0,260 -103 1,01 21,1 20,4 1,8 0,767 -153 4,433 73 0,0367 22 0,265 -107 1,06 20,8 19,4 1,9 0,766 -157 4,220 70 0,0370 21 0,270 -110 1,10 20,6 18,7 2,0 0,765 -161 4,024 66 0,0371 21 0,277 -114 1,15 20,4 18,0 2,1 0,765 -165 3,840 63 0,0373 20 0,283 -117 1,19 20,1 17,5 2,2 0,764 -168 3,672 60 0,0375 19 0,290 -120 1,23 19,9 17,0 2,3 0,764 -171 3,516 57 0,0377 18 0,297 -123 1,27 19,7 16,5 2,4 0,764 -174 3,372 54 0,0379 17 0,305 -126 1,31 19,5 16,1 2,5 0,764 -177 3,238 51 0,0382 17 0,313 -128 1,35 19,3 15,8 2,6 0,764 -179 3,112 48 0,0385 16 0,320 -131 1,38 19,1 15,4 2,7 0,764 178 2,995 45 0,0386 16 0,328 -133 1,42 18,9 15,0 2,8 0,764 176 2,885 43 0,0388 17 0,337 -136 1,46 18,7 14,7 2,9 0,764 173 2,782 40 0,0393 17 0,344 -138 1,49 18,5 14,4 3,0 0,764 171 2,686 37 0,0396 17 0,352 -140 1,52 18,3 14,1 3,1 0,765 169 2,596 35 0,0400 17 0,360 -142 1,54 18,1 13,8 3,2 0,765 166 2,512 32 0,0406 17 0,368 -145 1,56 17,9 13,5 3,3 0,765 164 2,432 30 0,0411 17 0,377 -147 1,58 17,7 13,3 3,4 0,766 162 2,357 27 0,0416 17 0,386 -149 1,59 17,5 13,0 3,5 0,766 160 2,286 25 0,0422 17 0,394 -151 1,60 17,3 12,8 3,6 0,766 158 2,218 22 0,0429 17 0,403 -153 1,61 17,1 12,5 3,7 0,767 156 2,152 20 0,0436 17 0,411 -155 1,62 16,9 12,3 3,8 0,768 154 2,091 17 0,0444 17 0,420 -157 1,61 16,7 12,1 3,9 0,769 152 2,034 15 0,0451 17 0,428 -159 1,61 16,5 11,9 4,0 0,769 150 1,977 12 0,0458 17 0,436 -162 1,62 16,4 11,7 4,1 0,770 148 1,924 10 0,0466 17 0,445 -164 1,62 16,2 11,6 4,2 0,771 146 1,872 8 0,0472 17 0,452 -166 1,62 16,0 11,4 4,3 0,772 144 1,822 5 0,0481 17 0,460 -168 1,62 15,8 11,2 4,4 0,772 142 1,773 3 0,0491 17 0,468 -170 1,61 15,6 11,0 4,5 0,773 140 1,727 1 0,0500 16 0,476 -172 1,60 15,4 10,8 4,6 0,775 138 1,683 -2 0,0510 16 0,485 -174 1,59 15,2 10,7 4,7 0,776 136 1,644 -4 0,0517 16 0,493 -176 1,58 15,0 10,6 4,8 0,778 135 1,611 -6 0,0527 16 0,500 -177 1,55 14,9 10,5 4,9 0,779 134 1,584 -7 0,0533 16 0,507 -178 1,54 14,7 10,4 5,0 0,781 133 1,562 -9 0,0539 16 0,512 -179 1,52 14,6 10,4

Semiconductor Group 8 of 10 Draft D, September 99 Order Instructions: Full type variant including quality level must be specified by the orderer. For HiRel Discrete and Microwave Semiconductors the ordering code specifies device family and quality level only. Ordering Form: CLY29- (nn) (ql) (nn): Output Power Level (ql): Quality Level Ordering Example: Ordering Code: Q62702L116 CLY29-10 ES For CLY29; Output Power Level 10 (P out>29.5 dBm) in ESA Space Quality Level Further Informations: See our WWW-Pages: - Discrete and RF-Semiconductors (Small Signal Semiconductors) www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm - HiRel Discrete and Microwave Semiconductors www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm Please contact also our marketing division : Tel.: ++89 234 24480 Fax.: ++89 234 28438 e-mail: martin.wimmers@infineon.com Address: Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich

Semiconductor Group 9 of 10 Draft D, September 99 Published by Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich. Infineon Technologies AG 1998. All Rights Reserved. As far as patents or other rights of third parties are concerned, liability is only assumed for components per se, not for applications, processes and circuits implemented within components or assemblies. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. For questions on technology, delivery and prices please contact the Offices of Semiconductor Group in Germany or the Infineon Technologies Companies and Representatives woldwide (see address list). Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the type in question please contact your nearest Infineon Technologies Office, Semiconductor Group. Infineon Technologies Semiconductors is a certified CECC and QS9000 manufacturer (this includes ISO 9000).