C67070-A2517-A67

C67070-A2517-A67 EUPEC | Alldatasheet

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Technical content

1 Aug-27-2001

• Solderable Power module
• 3-phase full-bridge
• Including fast free-wheel diodes
• Package with insulated metal base plate Type BSM 100 GD 120 DN2 1200V 150A ECONOPACK 3 C67070-A2517-A67 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE 1200 V Collector-gate voltage R GE = 20 kΩ VCGR 1200 Gate-emitter voltage VGE ± 20 DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C IC 100 150 A Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C ICpuls 200 300 Power dissipation per IGBT TC = 25 °C Ptot 680 W Chip temperature Tj + 150 °C Storage temperature Tstg -40 ... + 125 Thermal resistance, chip case R thJC ≤ 0.182 K/W Diode thermal resistance, chip case R thJCD ≤ 0.36 Insulation test voltage, t = 1min. Vis 2500 Vac Creepage distance - 16 mm Clearance - 11 DIN humidity category, DIN 40 040 - F sec IEC climatic category, DIN IEC 68-1 - 40 / 125 / 56

2 Aug-27-2001

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics Gate threshold voltage VGE = VCE, IC = 4 mA VGE(th) 4.5 5.5 6.5 V Collector-emitter saturation voltage VGE = 15 V, IC = 100 A, Tj = 25 °C VGE = 15 V, IC = 100 A, Tj = 125 °C VCE(sat) 3.1 2.5 3.7 Zero gate voltage collector current VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C ICES 1.5 mA Gate-emitter leakage current VGE = 20 V, VCE = 0 V IGES - - 400 nA AC Characteristics Transconductance VCE = 20 V, IC = 100 A gfs 54 - - S Input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz C iss - 6.5 - nF Output capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz C oss - 1 - Reverse transfer capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz C rss - 0.5 -

3 Aug-27-2001

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C Turn-on delay time VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 100 A R Gon = 6.8 Ω td(on) - 160 320 ns Rise time VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 100 A R Gon = 6.8 Ω tr - 80 160 Turn-off delay time VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 100 A R Goff = 6.8 Ω td(off) - 400 520 Fall time VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 100 A R Goff = 6.8 Ω tf - 70 100 Free-Wheel Diode Diode forward voltage IF = 100 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C IF = 100 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C VF 1.8 2.3 2.8 V Reverse recovery time IF = 100 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -800 A/µs, Tj = 125 °C trr - 0.3 - µs Reverse recovery charge IF = 100 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -800 A/µs Tj = 25 °C Tj = 125 °C Q rr µC

4 Aug-27-2001

Ptot = ƒ(TC) parameter: Tj ≤ 150 °C 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 TC 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 W 700 Ptot Safe operating area IC = ƒ(VCE) parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 A IC V VCE DC 10 ms 1 ms 100 µs tp = 15.0µs Collector current IC = ƒ(TC) parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 TC 100 110 120 130 A 150 IC Transient thermal impedance IGBT Zth JC = ƒ(tp) parameter: D = tp / T -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 K/W ZthJC 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s tp single pulse 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 D = 0.50

5 Aug-27-2001

Typ. output characteristics IC = f (VCE ) parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C 0 1 2 3 V 5 VCE 100 120 140 160 A 200 IC 17V 15V 13V 11V Typ. output characteristics IC = f (VCE ) parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C 0 1 2 3 V 5 VCE 100 120 140 160 A 200 IC 17V 15V 13V 11V Typ. transfer characteristics IC = f (VGE ) parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V 0 2 4 6 8 10 V 14 VGE 100 120 140 160 A 200 IC

6 Aug-27-2001

Typ. gate charge VGE = ƒ(QGate) parameter: IC puls = 100 A 0 100 200 300 400 500 nC 700 QGate V VGE

800 V600 V

Typ. capacitances C = f (VCE ) parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 VCE -1 10 0 10 1 10 2 10 nF C Ciss Coss Crss Reverse biased safe operating area ICpuls = f(VCE ) , Tj = 150°C parameter: VGE = 15 V 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 VCE 0.0 0.5 1.0 1.5 2.5 ICpuls/IC Short circuit safe operating area ICsc = f(VCE ) , Tj = 150°C parameter: VGE = ± 15 V, tSC ≤ 10 µs, L < 50 nH 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 VCE ICsc/IC

7 Aug-27-2001

Typ. switching time I = f (IC ) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 6.8 Ω 0 50 100 150 A 250 IC 1 10 2 10 3 10 ns t tdon tr tdoff tf Typ. switching time t = f (RG ) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 100 A 0 10 20 30 40 Ω 60 R G 1 10 2 10 3 10 4 10 ns t tdon tr tdoff tf Typ. switching losses E = f (IC ) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 6.8 Ω 0 50 100 150 A 250 IC mWs E Eon Eoff Typ. switching losses E = f (RG ) , inductive load , Tj = 125°C par.: VCE = 600V, VGE = ± 15 V, IC = 100 A 0 10 20 30 40 Ω 60 R G mWs E Eon Eoff

8 Aug-27-2001

Forward characteristics of fast recovery reverse diode IF = f(VF) parameter: Tj VF 100 120 140 160 A 200 IF Tj=25°C=125°CjT Transient thermal impedance Diode Zth JC = ƒ(tp) parameter: D = tp / T -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 K/W ZthJC s tp single pulse 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 D = 0.50

9 Aug-27-2001

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. not connected: 16,18 Econo3

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