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Technical content
Features
TVS (suppressor) characteristic High junction temperature Press-fit assembly into aluminum plate Two polarity versions: A = Anode to lead wire K = Cathode to lead wire Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten TVS-(Begrenzer-)Charakteristik Hohe Sperrschichttemperatur Einpressmontage in Alu-Kühlblech Zwei Polaritäten: A = Anode am Anschlussdraht K = Kathode am Anschlussdraht Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 300 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 10 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom TC = 150°C 3) IFAV 50 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 150°C 3) IFRM 80 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 400 A 450 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 800 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+200°C -50...+200°C Peak junction temperature in case of load dump Spitzensperrschichttemperatur im “Load dump” Fall t < 400 ms TjM +215°C Maximum pressing force – Maximaler Einpressdruck FpM 4 kN Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Type / Typ Wire to / Draht an Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 µA Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei Ipp, tp = 1 ms Anode Cathode VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] VC [V] Ipp [A] BYZ50A22 BYZ50K22 19.8 24.2 > 17.8 31.9 235 BYZ50A33 BYZ50K33 29.7 36.3 > 26.8 47.7 157 BYZ50A39 BYZ50K39 35.1 42.9 > 31.6 56.4 133 BYZ50A47 BYZ50K47 42.3 51.7 > 38.1 67.8 111
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 28.5 min Ø 12.75 Rändel 0.8 knurl 0.8 Ø ±0.5 1.3 9.3±0.2 4.2+0.3 A K
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 50 A VF < 1.1 V Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 430 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.6 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj 400a-(50a-1,1v) 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. [°C]TC 150100500 200 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3