BYZ50A22_07 DIOTEC | Alldatasheet
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Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2006-04-27 Dimensions - Maße [mm] Nominal Current Nennstrom 50 A Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung 22 ... 47 V Metal press-fit case with plastic cover Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung Weight approx. Gewicht ca. 10 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Maximum ratings Grenzwerte Type / Typ Wire to / Draht an Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 µA Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei Ipp, tp = 1 ms Anode Cathode V BRmin [V] V BRmax [V] V R [V] V C [V] I pp [A] BYZ50A22 BYZ50K22 19.8 24.2 > 17.8 31.9 235 BYZ50A27 BYZ50K27 24.3 29.7 > 21.8 39.1 192 BYZ50A33 BYZ50K33 29.7 36.3 > 26.8 47.7 157 BYZ50A39 BYZ50K39 35.1 42.9 > 31.6 56.4 133 BYZ50A47 BYZ50K47 42.3 51.7 > 38.1 67.8 111 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last T C = 150°C I FAV 50 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 400/450 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i 2t 800 A 2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+215°C -50...+215°C Max. junction temperature in case of “Load-Dump“ Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“ Tjmax +280°C 1 Max. case temperature T C = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 28.5 min Ø 12.75 Rändel 0.8 knurl 0.8 Ø ±0.1 1.3 10.7 ±0.2 ±0.2 Ø ±01
Forward Voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 50 A V F < 1.1 V Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.6 K/W Maximum pressing force Maximaler Einpressdruck Fpmax 7 kN © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 2 120 100 [%] I FAV Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. [°C]TC 150100500 200 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25° Cj T = 125°Cj 400a-(50a-1,1v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 10 2 3