BYZ35A22_09 DIOTEC | Alldatasheet
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Silicon-Protectifiers® with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2009-05-04 Dimensions - Maße [mm] Nominal Current Nennstrom 35 A Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung 22 ... 47 V Metal press-fit case with plastic cover Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung Weight approx. Gewicht ca. 10 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Maximum ratings Grenzwerte Type / Typ Wire to / Draht an Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 µA Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei Ipp, tp = 1 ms Anode Cathode VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] VC [V] Ipp [A] BYZ35A22 BYZ35K22 19.8 24.2 > 17.8 31.9 157 BYZ35A27 BYZ35K27 24.3 29.7 > 21.8 39.1 128 BYZ35A33 BYZ35K33 29.7 36.3 > 26.8 47.7 105 BYZ35A39 BYZ35K39 35.1 42.9 > 31.6 56.4 89 BYZ35A47 BYZ35K47 42.3 51.7 > 38.1 67.8 74 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 150°C IFAV 35 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 72 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 360/400 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 660 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+215°C -50...+215°C Max. junction temperature in case of “Load-Dump“ Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“ Tjmax +280°C 1 Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 28.5 min Ø 12.75 Rändel 0.8 knurl 0.8 Ø ±0.1 1.3 10.7±0.2 5±0.2 Ø ±01
Tj = 25°C IF = 35 A VF < 1.1 V Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.8 K/W Maximum pressing force Maximaler Einpressdruck Fpmax 7 kN © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 2 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. [°C]TC 150100500 200 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj 360a-(35a-1,1v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3