BYW27-50_07 DIOTEC | Alldatasheet

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BYW27-50 ... BYW27-1000 BYW27-50 ... BYW27-1000 Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter Version 2005-08-26 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 1 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-41 DO-204AL Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BYW27-50 50 50 BYW27-100 100 100 BYW27-200 200 200 BYW27-400 400 400 BYW27-600 600 600 BYW27-800 800 800 BYW27-1000 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last T A = 75°C TA = 100°C IFAV IFAV

1 A 1)

0.8 A 1)

Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i 2t 12.5 A 2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C

1 Valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 0.8 Ø 0.1 2.6 62.5 ±0.5 5.1 -0.1

BYW27-50 ... BYW27-1000 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 1 A V F < 1.3 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 0.2 µA < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthL < 15 K/W Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 2 5° Cj T = 125°Cj 50a-(1a-1.3v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 10 2 3