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Technical content
Features
Two polarity versions: A = Anode to lead wire K = Cathode to lead wire For press-fit assembly into aluminium cooling plate Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Hohe Sperrschichttemperatur Zwei Polaritäten: A = Anode am Anschlussdraht K = Kathode am Anschlussdraht Für Einpressmontage in Alu-Kühlblech Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 300 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 10 g Gewicht ca. Plastic material UL 94V-0 Kunststoffmaterial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type / Wire to / Anode Typ Draht an Cathode Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BYP60A05 BYP60K05 50 50 BYP60A1 BYP60K1 100 100 BYP60A2 BYP60K2 200 200 BYP60A4 BYP60K4 400 400 BYP60A6 BYP60K6 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 150°C 3) IFAV 60 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 150°C 3) IFRM 190 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 450 A 500 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 1000 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+200°C -50...+200°C Maximum admissible press-in force Maximal zulässige Einpresskraft FpM 4 kN
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen
1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Pb ELV W EEE RoHS 28.5 min Ø 12.75 Rändel 0.8 knurl 0.8 Ø ±0.5 1.3 9.3±0.2 4.2+0.3 A K
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 60 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 100 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj 430 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to metallic base Wärmewiderstand Sperrschicht – Metallsockel RthC < 0.6 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. [°C]TC 150100500 200 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj 450a-(60a-1,1v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 103 102 [A] îF 1 10 10 [n] 102 3