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Technical content
Features
Controlled avalanche characteristic High average forward current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Controlled Avalanche Charakteristik Hoher Dauergrenzstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte2) Type Typ DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] 4) BYG10D 200 > 250 BYG10G 400 > 450 BYG10J/-AQ 480 600 > 650 BYG10K 800 > 850 BYG10M 1000 > 1050 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1.5 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 5 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 3.6 A2s Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung ERSM 20 mJ 4) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
4 IRSM = 1 A, inductive load switch-off – IRSM = 1 A, Abschalten induktiver Last
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Typ 0.15 1 ± 0.3 4.5± 0.3 1.5 ±0.1 2.1± 0.2 2.2± 0.2 5± 0.2 2.7 0.2± Pb ELV W EEE RoHS
BYG10D ... BYG10M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A IF = 1.5 A VF < 1.1 V < 1.15 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Typ. thermal resistance junction-ambient − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction-terminal − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthA RthT
100 K/W 1)
30 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the terminals 120 100 IFAV [%] [°C]TT 150100500 [pF] Cj VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) 101 10-1 10-2 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 30a-(1a-1.1v) 102 101 10-1 10-2 [µA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj